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Diode (Advanced)

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具有片线性、指数或表 VAC 的二极管。

类型: AcausalElectricPowerSystems.Semiconductors.Diode

diode advanced

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/Diode (Advanced)

说明

二极管*块可以用片式线性、指数或表 - 曲线（伏安特性，VAC）来表示二极管。

具有片断线性 VAC 的二极管

如果二极管的正向电压超过 Forward voltage （正向电压*）中指定的值，则二极管表现为线性电阻器，其电阻值在 On resistance （导通电阻*）中指定。否则，二极管将作为线性电阻器工作，具有*关断电导*中指定的小电导。在零电压下，流过二极管的电流为零。

带指数 VAC 的二极管

指数型 EAC 是二极管电流 与二极管电压 之间的以下关系：

在

在

其中

  • - 电子的基本电荷 (1.602176e-19 Cl)。

  • - 玻尔兹曼常数（1.3806503e-23 J/K）。

  • - 反向击穿电压*参数值。

  • - 发射系数

  • - 饱和电流。

  • - 是二极管参数设置的温度，由 Measurement temperature 参数值决定。

当 时，程序块会将 到 ，它对应于 时的二极管电流梯度，并进行线性外推。

当 时，程序块替换为 到 ，它也与梯度相对应，并进行线性外推。

传统电路无法达到这些极端值。该模块提供这种线性外推法，以便在建模过程中求解约束条件时促进收敛。

如果*参数化*参数中选择了 "使用参数 IS 和 N"，则二极管将被指定为*饱和电流 IS* 和*发射系数 N* 参数。

如果为*参数化*参数选择了 "使用两个 I-V 曲线数据点"，则会设置二极管 VAC 上的两个电压和电流测量点，并由程序块确定 和 的值。计算 和 的方法如下：

  • 在哪里？

    • .

    • 和 是参数 Voltages [V1 V2] 的值。

    • 和 - 参数 电流 [I1 I2] 的值。

如果*参数化*参数中选择了 "使用 I-V 数据点和 IS"，则设备按如下方式计算 ：

如果 "使用 I-V 数据点 "并为 "参数化*"参数选择了 "N"，则程序块计算 如下：

带表列 VAC 的二极管

要为具有制表 BAC 的二极管建模，请将 Diode model 参数设置为 "Tabulated I-V curve"（制表 I-V 曲线）。本图显示了具有制表 I-V 曲线的二极管变体的实现情况：

diode 1 1

您只需提供正向偏压的表格数据。程序块使用修正的阿基姆插值法查找中间值。如果电压或电流超出表格数据的范围，程序块会在最后一个电压和电流数据点之后使用线性外推法。

对于反向偏置

  • 如果电压小于−1 V，程序块将模拟一个 VAC，其恒定关断电导等于*关断电导*参数值。对于小正向电压，设定点必须小于正向 VAC 的梯度。

  • 如果电压介于−1 和 0 V 之间，程序块将使用修改后的 Akim 插值，使正向和反向偏置 VAC 平稳重叠。

对于具有表中 BAC 的二极管，不模拟反向击穿。

过渡电容

有三种方法可以建立结电容模型：

  • 为参数*参数化*选择值 "包含固定或零结电容"。在这种情况下，电容是固定的。

  • 为参数化*参数选择 "使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC"。在这种情况下，程序块使用系数 , , 和 计算结电容，结电容取决于瞬态电压。

  • 为*参数化*选择 "使用 C-V 曲线数据点"。在这种情况下，程序块使用三个 C-V 曲线电容值估算 、 和 ，并使用这些值和设定值 计算取决于结电压的结电容。程序块计算 , , 的方法如下：

在哪里？

  • - 反向偏置电压 [VR1 VR2 VR3]* 参数值。

  • - 参数值 对应电容 [C1 C2 C3].

反向偏置电压（定义为正值）必须满足 条件。这意味着电容必须满足条件 ，因为反向偏压会扩大耗尽区，从而减小电容。违反这些不等式会导致错误。电压 和 必须与过渡电位 保持足够的距离。电压 必须小于结电位 ， 的典型值为 `0.1V。

与电压有关的结电容是以电容器电荷积累 来定义的：

  • 对于 ：

  • 对于 ：

在哪里？

电荷动力学

对于开关二极管等应用，模拟二极管的电荷动态可能非常重要。当向直接输入二极管施加反向电压时，电荷消散需要时间，因此二极管关闭也需要时间。关闭二极管所需的时间主要由跨度时间参数决定。关闭二极管后，剩余电荷会耗散，这一过程的速度由载流子寿命决定。

为了考虑这些影响，*二极管*模块采用了 Lauritzen 和 Ma 的模型。以下是定义方程：

(1)

τ (2)

τ (3)

其中

  • - 二极管电流。

  • - 结点电荷。

  • - 累积总电荷。

  • - 移动时间

  • τ - 载流子寿命

  • - 二极管电压

  • - 二极管正向电压

  • - 二极管开关电阻

  • - 二极管在关断状态下的电导率。

该图显示了二极管的典型反向电流特性。

diode 2 2

其中

  • - 峰值反向电流。

  • - 测量过程中的初始正向电流 .

  • - 测量过程中的电流变化率 .

  • - 为反向恢复时间。

二极管数据表提供了初始正向电流和恒定电流变化率的峰值反向电流值。数据表还可能提供反向恢复时间和完全恢复电荷的值。

模块如何计算 和 τ

程序块根据输入的*电荷动态*参数值计算跨距时间 和载流子寿命 τ 。程序块使用 和 τ 来求解电荷动力学方程 1、2 和 3。

在反向模式的初始电流衰减期间，二极管保持导通，电流变化率由外部测试电路确定。

程序块首先使用方程 1 进行计算。

(4)

然后将公式 4 代入公式 2。

τ (5)

然后求出方程 5 、

ττττ (6)

其中 是一个常数。

当 、 和 τ 时，由于系统处于稳定状态。

将这些关系式代入方程 6 并求解，可得 τ 。

因此

ττττ (7)

在 时，电流为 ，结点电荷 为零。 将这些值代入公式 1。

(8)

该程序块将等式 8 中的 表示出来，并将结果代入等式 7。

ττττ (9)

然后，程序块通过 、 和 来表示时间 。

(10)

考虑二极管恢复过程，即当 时。二极管反向偏置，结电流和电荷实际上为零。

电流由公式

τ , (11)

其中

ττ (12)

现在，我们将方程 12 中的表达式与后向恢复时间 联系起来。

当 电流为 .

因此

τ (13)

和

τ (14).

程序块利用等式 9 和 14 计算 和 τ 的值。由于等式 9 中存在指数项，因此计算采用了迭代方案。

直接指定的替代方案

除了允许区块直接指定反向恢复时间 外，它还支持三种替代参数设置。程序块可根据任意参数定义 ：

  • 反向恢复时间拉伸系数 λ 。

  • 反向恢复电荷 ，如果规格指定了该值而不是反向恢复时间。

  • 反向恢复能量 ，如果规格指定了该值而不是反向恢复时间。

恢复时间伸展系数 λ 和 之间的关系用公式表示为

λ

反向恢复时间应大于 。其典型值为 。

因此， λ 的典型值是 3。 λ 必须大于 1。

反向恢复电荷 是反向电流时间的积分，从电流变为负值开始，直到电流回落到零为止。

时间 的初始电荷用下式表示：

(15).

对等式 11 进行积分，可得出 和 inf 两个时间点之间的电荷量。该电荷等于

τ .

因此，反向还原的总电荷由公式确定。

τ .(16).

将方程 16 重排以求解 τ ，并将结果代入方程 14，就得到了一个用 表示 τ 的方程：

.

或者，该模块利用反向恢复能量 计算出 τ 。该方程确定了二极管两端的电压曲线：

τ , (17).

其中 τ 是二极管的最大反向电压。

如果 τ ，这是反向恢复检查电路的通常条件，则该模块计算出二极管的最大反向电压：

τ .

由于衰减时间值较小，该模块假定二极管电流衰减为线性：

.(18).

然后将方程 18 代入方程 5：

τ .(19).

为了得到总累积电荷，等式 19 的解法是 ：

ττττ , (20),

其中 为电流梯度。

当 时，峰值反向电流为：

.(21).

现在将公式 21 代入公式 20：

ττττ
τττ
τ .(22)

最后，区块求解方程 22，得到反向恢复能量：


τ
τ .(23)

电荷动力学

启用电荷动力学建模后，*二极管*模块会计算转换时的电荷，计算公式如下

τ ,

其中

  • - 不考虑电荷模型的二极管电流。

  • - 过渡电荷。

  • - 传输时间

  • τ - 载流子寿命

然后，该等式确定二极管电流值：

τ

在哪里？

  • - 二极管中的电流。

  • - 是存储的总电荷。

  • - 是电荷系数的电流值。

与温度有关

默认情况下，*二极管*模块不模拟温度相关性，器件在模块参数设置的温度下建模。带指数 VAC 的二极管包含多个选项，用于在仿真过程中模拟二极管电流和电压的温度相关性。由于结电容对温度的影响较小，因此不对其进行建模。

当包括温度依赖性时，二极管的定义方程保持不变。测量温度值 由建模温度 代替。根据下式，饱和电流 成为温度的函数：

,

其中

  • - 是设置二极管参数的温度，由 * 测量温度 * 参数值决定。

  • - 模拟温度。

  • - 是测量温度下的饱和电流。

  • - 是模拟温度下的饱和电流。该饱和电流值用于模拟温度相关性时的标准二极管方程。

  • - 该类型半导体的能隙，单位为焦耳 (J)。对于硅，通常假定其值为 "1.11 eV"，其中 "1 eV "等于 "1.602e-19 J"。

  • - 饱和电流的温度指数。对于 pn 结二极管，该值通常为 3.0，而对于肖特基势垒二极管，该值通常为 2.0。

  • - 发射系数。

  • - 玻尔兹曼常数（1.3806503e-23 J/K）。

和 的相应值取决于二极管的类型和使用的半导体材料。特定材料类型和二极管的默认值反映了温度变化时的近似行为。常见二极管类型的默认值见方框。

在实践中，要模拟特定二极管的精确行为，需要调整 和 的值。一些制造商会在数据表中说明这些调整值，您可以在数据表中查看相应的值。否则，您可以使用数据表中较高温度下的特定电流-电压数据点来确定 的改进估计值。为此，程序块包含一个参数化选项。它还允许直接设置较高温度下的饱和电流 。

注意：设备的温度特性还取决于发射因子。由于饱和电流取决于 和 的比值，因此发射因数的错误值会导致不正确的温度依赖性。

如果设置了最终反向击穿电压 ，则反向 的值受反向击穿温度系数 的调节（通过参数 反向击穿电压温度系数，dBV/dT 进行设置）：

(24).

假设和限制

  • 为参数化*参数选择 "使用两个 I-V 曲线数据点 "时，请选择一对接近二极管开启电压的电压。通常，该电压范围在 0.05 至 1 V 之间。使用超出此范围的值可能会导致数字问题，以及对 和 的估计不准确。

  • 该模块没有考虑温度对结电容的影响。

  • 为避免数值建模问题，可能有必要使用非零值的欧姆电阻和结电容，但如果将这些值设为零，仿真运行速度可能会更快。

  • 表 I-V 曲线 "模式不能用于反向击穿建模。

端口

非定向

+ - 正触点（阳极）
电

与阳极相关的电气端口。

- - 负极触点（阴极）
电

与阴极相关的电气端口。

参数

基本参数

二极管模型 - 二极管模型
分片线性（默认）` | 指数 | 制表 I-V 曲线。
表格类型 - 制表函数
If(Tj,Vf)形式的表(默认)` | Vf(Tj,If)形式的表` | `Table in Vf(Tj,If)形式的表

是以表格形式显示电流与温度和电压的函数关系，还是以表格形式显示电压与温度和电流的函数关系。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*参数设置为 "制表 I-V 曲线"。

正向电压 - 正向电压
0.6V（默认值）`。

二极管进入正向模式时必须施加的最小电压。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*参数设置为 "片线性"。

导通电阻 - 导通电阻
0.3欧姆（默认值）。

二极管正向偏置时的电阻。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*参数设置为 "片式线性"。

禁用电导 - 禁用电导
1e-8 1/欧姆（默认）`。

二极管反向偏置时的电导。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*参数设置为 "片线性 "或 "制表 I-V 曲线"。

参数化 - 模型参数化
| 使用两个 I-V 曲线数据点（默认）` | 使用参数 IS 和 N` | 使用一个 I-V 数据点和 IS` | 使用一个 I-V 数据点和 N`。

从下列模型参数化方法中选择一种：

  • 使用两个 I-V 曲线数据点"- 设置二极管两个 VAC 点的测量数据。默认使用此方法。

  • 使用参数 IS 和 N` - 指定饱和电流和发射因数。

  • 使用一个 I-V 曲线数据点和 IS` - 结合饱和电流指定二极管一个 VAC 点的测量数据。

  • 使用 I-V 数据点和 N` - 结合发射因数指定二极管一个 VAC 点的测量数据。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*参数设置为 "指数"。

电流 [I1 I2] 是两个点的电流值向量
[0.0137, 0.545] A（默认值）`。

二极管 VAC 两点的电流值向量，程序块使用该向量计算 和 。

依赖关系

要使用该参数，请将*二极管模型*设为 "指数"，*参数化*设为 "使用两个 I-V 曲线数据点"。

电压 [V1 V2] - 两个点的电压值向量
V (默认)`。

二极管 VAC 两点的电压值矢量，程序块使用该矢量计算 和 。

依赖关系

要使用该参数，请将*二极管模型*参数设置为 "指数"，*参数化*参数设置为 "使用两个 I-V 曲线数据点"。

饱和电流，IS - 饱和电流
1e-12 A（默认值）`。

理想二极管方程在很大的反向偏置水平下渐近达到的电流值。

依赖关系

要使用该参数，请将*二极管模型*参数设置为 "指数"，并将*参数化*参数设置为 "使用参数 IS 和 N "或 "使用 I-V 数据点和 IS"。

发射系数，N - 二极管的发射系数
1（默认值

二极管发射系数或理想系数。

依赖关系

要使用该参数，请将 二极管模型 设置为 "指数"，并将 参数化 设置为 "使用参数 IS 和 N "或 "使用 I-V 数据点和 IS"。

电流 I1 - 电流值
0.0137 A（默认值）`。

二极管 VAC 上点的电流值，程序块使用该值进行计算。根据*参数化*参数的值，程序块使用该参数计算 或 。

依赖关系

要使用该参数，请将*二极管模型*参数设置为 "指数"，并将*参数化*参数设置为 "使用 I-V 数据点和 IS "或 "使用 I-V 数据点和 N"。

电压 V1 - 电压值
0.6 V（默认值）`。

二极管曲线 - 处的电压值，程序块使用该值进行计算。

依赖关系

要使用该参数，请将 二极管模型 设置为 "指数"，并将 参数化 设置为 "使用 I-V 数据点和 IS "或 "使用 I-V 数据点和 N"。

欧姆电阻，RS - 欧姆电阻
`0（默认值）

二极管串联的电阻，欧姆。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*参数设置为 "指数"。

测量温度 - 测量温度
298.15 K（默认值）。

，在此温度下测量 或 - 曲线。

前向电流，If(Tj,Vf) 为前向电流矢量
[.07, .12, .19, 1.75, 4.24, 7.32, 11.2; .16, .3, .72, 2.14, 4.02, 6.35, 9.12] A（默认） | `非负矢量'。

正向电流。该参数必须是至少包含三个非负元素的矢量。

依赖关系

要使用此参数，请将 Table type 设置为 "Table in If(Tj,Vf)"。

正向电压，Vf(Tj,If) 是正向电压向量
[.9, 1.15, 1.25, 1.5, 1.75, 2.17, 2.6, 2.85; .58, .68, .75, 1.1, 1.38, 1.77, 2.27, 2.7] V（默认） | 非负向量。

正向电压。该参数应为至少包含三个非负元素的矢量。

依赖关系

要使用此参数，请将 Table type 设置为 "Table in If(Tj,Vf)"。

连接温度，Tj 是过渡温度向量
[25, 125] °C （默认）。

过渡温度向量。

如果矢量中只有一个元素，则二极管特性与温度无关。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*设为 "制表 I-V 曲线"。

正向电压，Vf - 正向电压矢量
[.5、.7、.9、1.3、1.7、2.1、2.5] V（默认）`。

直接电压矢量。该参数应为至少包含三个非负值的矢量。

依赖关系

要使用此参数，请将 Table type 设置为 "Table in If(Tj,Vf)"。

前向电流，If 为前向电流矢量
[.1, .2, .5, 1, 2, 4, 7, 10] A（默认）。

正向电流矢量。该参数必须是至少包含三个非负值的矢量。

依赖关系

要使用此参数，请将 Table type 设置为 "Vf(Tj,If)中的表格"。

串联二极管数 - 串联连接的二极管数
1（默认值

在模块的 + 端口和 - 端口之间串联的二极管数量。不模拟多个二极管。相反，对于每个二极管，所有与电压相关的量都按指定系数缩放。

并联二极管数 - 并联二极管数
1（默认值）

模块的 + 端口和 - 端口之间的并联二极管数或串联二极管形成的并联轨道数。不模拟多个二极管。相反，对于每个二极管，所有与电流相关的量都按指定系数缩放。

细分

齐纳电阻 - 齐纳电阻。
0.3欧姆（默认值） | "正标量

当电压小于*反向击穿电压*时的二极管电阻。

依赖关系

要使用此参数，请将*二极管模型*设为 "分片线性"。

反向击穿电压 - 反向击穿电压
inf V（默认值） | `正标量'。

反向电压，低于该电压时，二极管击穿导致的电导率快速上升将被模拟。

依赖关系

要使用此参数，请将二极管模型*设置为 "分段线性或指数"。

电容式

参数化 - 结电容建模
固定或零结电容（默认）` | 使用 C-V 曲线数据点 | `使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC

过渡电容建模方法：

  • 固定结电容或零结电容` - 将结电容建模为固定值。

  • 使用 C-V 曲线数据点"- 指定二极管三个 C-V 曲线数据点的测量数据。

  • 使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC` - 指定零偏置结电容、结电位、等级因子和用于确定耗尽正向偏置电容的因子。

结电容 - 结电容
0（默认值） - 结电容

结电容的固定值。

依赖关系

要使用该参数，请将 参数化 设置为 "固定或零结电容"。

反向偏置电压 [VR1 VR2 VR3] - 反向偏置电压值矢量
[.1, 10, 100] V（默认）。

二极管 C-V 曲线上三点的反向偏置电压值矢量，程序块使用该矢量计算 , 和 。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "使用 C-V 曲线数据点"。

对应电容 [C1 C2 C3] - 电容值矢量
[3.5, 1, .4] pF（默认）。

二极管 C-V 曲线上三点的电容值矢量，程序块使用该矢量计算 , 和 。

依赖关系

要使用该参数，请将 参数化 设置为 "使用 C-V 曲线数据点"。

零偏压结电容，CJ0 - 零偏压时的结电容
5 pF（默认值）

与传导电流分量平行的电容值。

依赖关系

要使用该参数，请将 参数化 设置为 "使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC"。

接点电位，VJ - 接点电位差
1 V（默认值）

触点电位差。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC"。

分级系数，M - 评估系数
0.5（默认值）

分级系数。

依赖关系

要使用该参数，请将 参数化 设置为 "使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC"。

电容系数，FC - 电容系数
0.5（默认值）

拟合系数，用于量化施加电压时势垒电容的减小。

依赖关系

要使用该参数，请将 参数化 设置为 "使用参数 CJ0、VJ、M 和 FC"。

电荷动力学 - 电荷动力学参数化
不模拟电荷动力学（默认）` | 使用峰值反向电流和拉伸因子 | 使用峰值反向电流和反向恢复时间 | 使用峰值反向电流和反向恢复电荷 | 使用峰值反向电流和反向恢复能量 | 使用传输时间和载流子寿命。

选择以下方法之一来设置电荷动力学参数：

  • 不建立电荷动力学模型` - 不建立电荷动力学模型。这是默认方法。

  • 使用峰值反向电流和拉伸因子"- 通过提供峰值反向电流 和拉伸因子 λ 的值，以及测量 和 时测试电路中使用的初始正向电流和电流变化率的信息，建立电荷动力学模型。

  • 使用峰值反向电流和反向恢复时间"- 通过提供峰值反向电流 和反向恢复时间 的值，以及测量时测试电路中使用的初始正向电流和电流变化率的信息，建立电荷动态模型 和 。如果制造商的数据表没有提供传输时间 和载流子寿命 τ 的值，请使用此选项。

  • 使用峰值反向电流和反向恢复电荷"--通过提供峰值反向电流 和反向恢复电荷 Qrr 的值以及测量时测试电路中使用的初始正向电流和电流变化率的信息来模拟电荷动态 和 。

  • 使用峰值反向电流和反向恢复能量"--通过提供峰值反向电流 和反向恢复能量 的值以及测量时测试电路中使用的初始正向电流和电流变化率的信息来模拟电荷动态 。

  • 使用过渡时间和载流子寿命"--通过提供过渡时间 和载流子寿命 τ 的值来模拟电荷动态。

峰值反向电流，iRM - 峰值反向电流
7.15 A（默认值）` | 负标量

由外部测试电路测量的峰值反向电流。该值必须小于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*充电动态*参数设置为 "使用峰值反向电流和拉伸因子"、"使用峰值反向电流和反向恢复时间"、"使用峰值反向电流和反向恢复电荷 "或 "使用峰值反向电流和反向恢复能量"。

测量 iRM 时的初始正向电流 - 测量 iRM 时的初始正向电流
4 A（默认值）` | `正标量

测量峰值反向电流时的初始正向电流。该值必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*充电动态*参数设置为 "使用峰值反向电流和拉伸因子"、"使用峰值反向电流和反向恢复时间"、"使用峰值反向电流和反向恢复电荷 "或 "使用峰值反向电流和反向恢复能量"。

测量 iRM 时的电流变化率 - 测量 iRM 时的电流变化率
750 A/µs （默认值）` | "负标量"。

测量峰值反向电流时的电流变化率。该值必须小于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*电荷动态*参数设置为 "使用峰值反向电流和拉伸因子"、"使用峰值反向电流和反向恢复时间"、"使用峰值反向电流和反向恢复电荷 "或 "使用峰值反向电流和反向恢复能量"。

反向恢复时间拉伸因数 - 拉伸因数的反向恢复时间
3（默认值

区块用于计算 反向恢复时间 trr 的值。 该值必须大于 1。

与指定反向恢复电荷相比，指定拉伸因数是一种更简单的反向恢复时间参数化方法。拉伸因子值越大，反向恢复电流耗散所需的时间就越长。

依赖关系

要使用该参数，请将*电荷动态*参数设置为 "使用峰值反向电流和拉伸因数"。

反向恢复时间，trr - 反向恢复时间
115 ns（默认值）"。

二极管关断时电流最初变为零，到电流降至峰值反向电流的 10% 以下之间的时间。

反向恢复时间 trr* 的值必须大于峰值反向电流 iRM* 除以测量 iRM* 时的电流变化率。

依赖关系

要使用此参数，请将*充电动态*设置为 "使用峰值反向电流和反向恢复时间"。

反向恢复电荷，Qrr - 反向恢复电荷
150 s*nA（默认值）"。

如果二极管设备规格指定了反向恢复电荷值而不是反向恢复时间值，则使用此参数。

反向恢复电荷是二极管关断后继续耗散的总电荷。该值应小于 、

其中：

  • - 是峰值反向电流 iRM* 参数的指定值。

  • - 是 测量 iRM 时电流变化率的指定值。

依赖关系

要使用此参数，请将*电荷动态*设置为 "使用峰值反向电流和反向恢复电荷"。

测量 Erec 时的二极管关断电压 - 测量 Erec 时的二极管关断电压
`-600 V（默认值）

稳态模式下二极管之间的电压。

依赖关系

要使用此参数，请将 充电动态 设置为 "使用峰值反向电流和反向恢复能量"。

测量 Erec 时的杂散电感 - 测量 Erec 时的杂散电感
150 nHn（默认值）`。

测量电路中的总无意电感。设备使用该值计算 反向恢复能量 Erec 参数。

依赖关系

要使用该参数，请将 充电动态 设置为 "使用峰值反向电流和反向恢复能量"。

反向恢复能量，Erec - 反向恢复能量
0.03焦耳（默认值）"。

二极管反向恢复造成的总开关损耗。

依赖关系

要使用此参数，请将 充电动态 设置为 "使用峰值反向电流和反向恢复能量"。

过渡时间，TT - 过渡时间
50 毫微秒（默认）

载流子穿过二极管结的时间。

依赖关系

要使用该参数，请将 电荷动力学 设置为 "使用传输时间和载流子寿命"。

载波寿命，tau - 载波寿命
100 毫微秒（默认值）

二极管停止传导电流后的载流子耗散时间。

依赖关系

要使用此参数，请将 充电动态 设置为 "使用传输时间和载流子寿命"。

温度依赖性

本节仅适用于具有 "指数和制表 I-V 曲线 "的二极管模型。

参数化 - 温度相关性参数化
None - Use characteristics at parameter measurement temperature (default) | Use an I-V data point at second measurement temperature | Specify saturation current at second measurement temperature | Specify the energy gap EG

选择下列方法之一，对温度相关性进行参数化：

  • 无—​使用参数测量温度下的特性`--不对温度相关性建模，或在测量温度 （在*主*选项卡上的*测量温度*参数中指定）下对模型建模。这是默认方法。

  • 使用第二测量温度 T2 下的 I-V 数据点"- 选择此参数可指定第二测量温度 以及该温度下的电流和电压值。模型将这些值与第一次测量温度 下的参数值一起用于计算能隙值。

  • 指定第二测量温度 T2 下的饱和电流"- 选择此参数可指定第二测量温度 以及该温度下的饱和电流值。模型将这些值与第一次测量温度 下的参数值一起用于计算能量间隙值。

  • 指定能隙 EG` - 直接指定能隙值。

第二次测量温度下的电流 I1 - 第二次测量温度下的电流 I1
0.0245 A（默认值）`。

当第二次测量温度下的电压等于 时，指定二极管电流值 。

依赖关系

要使用此参数，请将 参数化 设置为 "使用第二测量温度下的 I-V 数据点"。

第二次测量温度下的 V1 电压 - 第二次测量温度下的 V1 电压
0.5V（默认值）"。

指定第二次测量温度下电流 时二极管电压 的值。

依赖关系

要使用此参数，请将 参数化 设置为 "使用第二测量温度下的 I-V 数据点"。

第二次测量温度下的 IS 饱和电流 - 第二次测量温度下的 IS 饱和电流
1.25e-7 A（默认值）`。

指定第二次测量温度下的饱和电流值 。

依赖关系

要使用此参数，请将 参数化 设置为 "指定第二次测量温度下的饱和电流"。

第二次测量温度 - 第二次测量温度
`125 °C （默认值）

指定第二次测量温度的值。

依赖关系

要使用此参数，请将 参数化 设置为 "使用第二测量温度下的 I-V 数据点或指定第二测量温度下的饱和电流"。

能隙参数化 - 能隙参数化
Use nominal value for silicon (EG=1.11eV) (default) | `Use nominal value for 4H-SiC silicon carbide (EG=3.23eV) | Use nominal value for 6H-SiC silicon carbide (EG=3.00eV) | Use nominal value for germanium (EG=0.67eV) | 使用砷化镓的标称值 (EG=1.43eV) | 使用硒的标称值 (EG=1.74eV) | 使用肖特基势垒二极管的标称值 (EG=0.69eV) | `指定自定义值

从预定义选项列表中选择能隙值或指定自定义值：

  • 使用硅的标称值 (EG=1.11eV)` - 默认值。

  • 使用 4H-SiC 碳化硅的标称值（EG=3.23eV）"。

  • 使用 6H-SiC 碳化硅的标称值（EG=3.00eV）`。

  • 使用锗的标称值（EG=0.67eV）`。

  • 使用砷化镓的标称值（EG=1.43eV）`。

  • 使用硒的标称值 (EG=1.74eV)

  • 使用肖特基势垒二极管的标称值 (EG=0.69eV)

  • 指定自定义值"- 选中此参数后，对话框中将出现 Energy Gap, EG 参数，允许您指定 EG 的自定义值。

能量间隙，EG - 能量间隙，EG
1.11eV（默认值）。

为能隙指定一个自定义值， 。

依赖关系

要使用该参数，请将 能量间隙参数化 设置为 "指定自定义值"。

饱和电流温度指数参数化 - 饱和电流温度指数参数化
使用 pn 结二极管的标称值 (XTI=3)（默认）` | 使用肖特基势垒二极管的标称值 (XTI=2)` | 指定一个自定义值`。

选择以下选项之一，设置饱和电流的温度指数值：

  • 使用 pn 结二极管的标称值 (XTI=3)` 为默认值。

  • 使用肖特基势垒二极管的标称值 (XTI=2)"。

  • 指定自定义值"- 选择此选项后，饱和电流温度指数 XTI 参数将出现在对话框中，可为 指定自定义值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "使用第二个测量温度下的 I-V 数据点"、"指定第二个测量温度下的饱和电流 "或 "指定能隙 EG"。

饱和电流温度指数，XTI - 饱和电流温度指数
3（默认值

为饱和电流温度指数指定自定义值， 。

依赖关系

要使用此参数，请将*参数化*设置为 "使用第二个测量温度下的 I-V 数据点、指定第二个测量温度下的饱和电流或指定能隙 EG"，并将*饱和电流温度指数参数化*设置为 "指定自定义值"。

反向击穿电压温度系数，dBV/dT - 反向击穿电压温度系数
0（默认值）

反向击穿电压的调制 。如果将反向击穿电压 定义为正值，则 的正值表示反向击穿电压值随温度升高而降低。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*设置为 "使用第二个测量温度下的 I-V 数据点"、"指定第二个测量温度下的饱和电流 "或 "指定能隙 EG"。

设备模拟温度 - 设备模拟温度
25 °C（默认值）

指定设备模拟温度值 。

依赖关系

要使用此参数，请将 参数化 设置为 "使用第二测量温度下的 I-V 数据点、指定第二测量温度下的饱和电流或指定能隙 EG"。

实例