Memristor

Идеальный мемристор.

Тип: AcausalFoundation.Electrical.Elements.Memristor

Путь в библиотеке:

/Physical Modeling/Fundamental/Electrical/Elements/Memristor

Описание

Этот блок позволяет вам моделировать идеальный мемристор. Поведение мемристора похоже на поведение резистора, за исключением того, что его сопротивление является функцией тока, прошедшего через устройство (интеграла тока по времени). Сопротивление мемристора в данный момент времени определяется двумя состояниями мемристора и , в зависимости от того, какая часть устройства находится в одном из этих состояний. Математическая модель мемристора описывается следующими уравнениями:

где

— напряжение на мемристоре;
— текущее сопротивление;
— ток;
и — сопротивления мемристора в состояниях и соответственно;
— доля мемристора в состоянии . Положительный ток, текущий от положительной клеммы к отрицательной клемме увеличивает . Аналогично положительный ток, текущий от отрицательной клеммы к положительной клемме уменьшает . Значение должно быть от 0 до 1;
— время;
— суммарный заряд, необходимый для полного перехода мемристора из одного состояния в другое;
— оконная функция, которая удерживает в окне между 0 до 1.

Оконная функция:

где — показатель оконной функции, целое положительное число. Функция модифицируется, когда близко к 0 или 1, чтобы улучшить вычислительную стабильность.

Переменные

Используйте группу параметров Initial Targets, чтобы установить приоритет и начальные целевые значения для переменных параметров блока перед моделированием. Для получения дополнительной информации см. Настройка физических блоков с помощью целевых значений.

Порты

Ненаправленные

# + — положительная клемма
электричество

Details

Электрический порт, который представляет собой положительную клемму мемристора.

Имя для программного использования

p

# − — отрицательная клемма
электричество

Details

Электрический порт, который представляет собой отрицательную клемму мемристора.

Имя для программного использования

n

Параметры

# Resistance of state A — сопротивление в состоянии
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление мемристора в случае, когда все устройство находится в состоянии , то есть если . Значение должно быть больше нуля.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`1 Ohm`
Имя для программного использования	`R_a`
Вычисляемый	Да

# Resistance of state B — сопротивление в состоянии
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`100 Ohm`
Имя для программного использования	`R_b`
Вычисляемый	Да

# Total charge required for full state transition — заряд для полного перехода между состояниями
C | nC | uC | mC | nA*s | uA*s | mA*s | A*s | mA*hr | A*hr | kA*hr | MA*hr

Details

Суммарный заряд, необходимый для полного перехода мемристора из одного состояния в другое.

Единицы измерения	`C` \| `nC` \| `uC` \| `mC` \| `nAs` \| `uAs` \| `mAs` \| `As` \| `mAhr` \| `Ahr` \| `kAhr` \| `MAhr`
Значение по умолчанию	`0.01 C`
Имя для программного использования	`q_0`
Вычисляемый	Да

# State A fraction at t=0 — доля мемристора в состоянии в начале симуляции

Details

Начальное значение для в начале моделирования. Значение должно быть больше или равно 0 и меньше или равно 1.

Значение по умолчанию	`0`
Имя для программного использования	`xi_0`
Вычисляемый	Да

# Exponent of the window function — показатель оконной функции

Details

Показатель оконной функции, которая удерживает значение между 0 и 1.

Значение по умолчанию	`2`
Имя для программного использования	`window_function_exponent`
Вычисляемый	Да