Документация Engee

Memristor

Идеальный мемристор.

memristor

Описание

Этот блок позволяет вам моделировать идеальный мемристор. Поведение мемристора похоже на поведение резистора, за исключением того, что его сопротивление является функцией тока, прошедшего через устройство (интеграла тока по времени). Сопротивление мемристора в данный момент времени определяется двумя состояниями мемристора, A и B, в зависимости от того, какая часть устройства находится в одном из этих состояний. Математическая модель мемристора описывается следующими уравнениями:

ξξ

ξξ

где:

  • — напряжение на мемристоре;

  • — текущее сопротивление;

  • — ток;

  • и — сопротивления мемристора в состояниях A и B соответственно;

  • ξ — доля мемристора в состоянии A. Положительный ток, текущий от + клеммы к − клемме увеличивает ξ . Аналогично положительный ток, текущий от клеммы − к клемме + уменьшает ξ . Значение ξ ограничено 0 и 1;

  • — время;

  • — суммарный заряд, необходимый для перехода мемристора полностью из одного состояния в полностью другое;

  • ξ — оконная функция, которая удерживает ξ в окне между 1 и 0.

Оконная функция:

ξξ

где:

  • р — целое положительное число. Эта функция модифицируется, когда ξ близко к 0 или 1, чтобы улучшить вычислительную стабильность.

Порты

+ — положительный
электричество

Электрический порт, представляет положительную клемму мемристора.

− — отрицательный
электричество

Электрический порт, представляет отрицательную клемму мемристора.

Параметры

Resistance of state A — сопротивление в состоянии А
1 Ом (по умолчанию) | положительная | скалярная

Сопротивление мемристора в случае, когда все устройство находится в состоянии А, то есть если ξ . Значение должно быть больше нуля.

Resistance of state B — весь мемристор в состоянии B
100 Ом (по умолчанию) | положительная | скалярная

Сопротивление мемристора в случае, когда все устройство находится в состоянии B, то есть если ξ . Значение должно быть больше нуля.

Total charge required for full state transition — заряд для полного перехода между состояниями
10 мКл (по умолчанию) | положительная | скалярная

Суммарный заряд, необходимый для перехода мемристора из полностью одного состояния в полностью другое.

State A fraction at t=0 — доля мемристора в состоянии А в начале симуляции
0 (по умолчанию) | мин/макс: (0,1)

Начальное значение для ξ в начале моделирования. Значение должно быть больше или равно 0 и меньше или равно 1.

Exponent of the window function — показатель оконной функции
2 (по умолчанию) | положительная | целочисленная | скалярная

Показатель оконной функции, которая удерживает значение ξ между 0 и 1.

Initial value of current i — начальное значение тока i
0 (по умолчанию)

Начальное значение тока .

Initial value of voltage v — начальное значение напряжения v
0 (по умолчанию)

Начальное значение напряжения .