Memristor

完美的忆阻器。

模块类型: AcausalFoundation.Electrical.Elements.Memristor

库中的路径:

/Physical Modeling/Fundamental/Electrical/Elements/Memristor

资料描述

该模块允许您模拟理想的忆阻器。忆阻器的行为类似于电阻器的行为，不同之处在于其电阻是通过器件的电流（电流的时间积分）的函数。忆阻器在给定时间的电阻由忆阻器的两种状态决定和，取决于设备的哪个部分处于这些状态之一。忆阻器的数学模型由以下方程描述:

哪里

-忆阻器上的电压;
-电流电阻;
-电流;
和 -状态下的忆阻电阻和因此;
-状态下忆阻器的比例 . 从正极端子流向负极端子的正极电流增大 . 同样，从负端子流向正端子的正电流减小 . 意义它必须是从 0 以前 1;
-时间;
-忆阻器从一种状态完全转换到另一种状态所需的总电荷;
-*窗口功能*持有之间的窗口中 0 以前 1.

窗口功能:

哪里 -窗口函数的指标，正整数。功能它被修改时接近 0 或 1 以提高计算稳定性。

变量

使用参数组 Initial Targets 在建模之前为块参数变量设置优先级和初始目标值。有关详细信息，请参阅使用目标值配置物理块.

港口

非定向

# + — 正端子
电力

Details

电端口，其为忆阻器的正极端。

程序使用名称

p

# − — 负端子
电力

Details

电端口，其为忆阻器的负端。

程序使用名称

n

参数

# Resistance of state A — 条件下的阻力
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

忆阻器的电阻的情况下，当整个设备在也就是说，如果 . 值必须大于零。

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`1 Ohm`
程序使用名称	`R_a`
可计算	是

# Resistance of state B — 条件下的阻力
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

忆阻器的电阻的情况下，当整个设备在也就是说，如果 . 值必须大于零。

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`100 Ohm`
程序使用名称	`R_b`
可计算	是

# Total charge required for full state transition — 状态之间完全转换的收费
C | nC | uC | mC | nA*s | uA*s | mA*s | A*s | mA*hr | A*hr | kA*hr | MA*hr

Details

忆阻器从一种状态到另一种状态的完全转变所需的总电荷。

计量单位	`C` \| `nC` \| `uC` \| `mC` \| `nAs` \| `uAs` \| `mAs` \| `As` \| `mAhr` \| `Ahr` \| `kAhr` \| `MAhr`
默认值	`0.01 C`
程序使用名称	`q_0`
可计算	是

# State A fraction at t=0 — 态的忆阻器的比例在模拟开始时

Details

初始值为在模拟开始时。该值必须大于或等于 0 且小于等于 1.

默认值	`0`
程序使用名称	`xi_0`
可计算	是

# Exponent of the window function — 窗口功能指示器

Details

指标保存值的窗口函数之间 0 和 1.

默认值	`2`
程序使用名称	`window_function_exponent`
可计算	是