Memristor
完美的忆阻器。
blockType: AcausalFoundation.Electrical.Elements.Memristor
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资料描述
该模块允许您模拟理想的忆阻器。 忆阻器的行为类似于电阻器的行为，不同之处在于其电阻是通过器件的电流（电流的时间积分）的函数。 忆阻器在给定时间的电阻由忆阻器的两种状态决定, A 和 B，取决于设备的哪个部分处于这些状态之一。
忆阻器的数学模型由以下方程描述:
哪里:
* -忆阻器上的电压;
* -电流电阻;
* -电流;
* 和 -状态下的忆阻电阻 A 和 B 因此;
* -状态下忆阻器的比例 A. 从*+*端子流向*−*端子的正电流增加 . 同样，从端子*−*流向端子*+*的正电流减小 . 意义 限于*0*和*1*;
* -时间;
* -忆阻器从一种状态完全转换到另一种状态所需的总电荷;
* -*窗口功能*持有 在*1*和*0*之间的窗口中。
窗口功能:
哪里:
* -一个正整数。 此函数在以下情况下被修改 接近*0*或*1*以提高计算稳定性。
参数
*状态a的阻力*-状态中的阻力 但是 通行证：q[<br>] 1欧姆（默认） | 正 | 标量,标量
忆阻器的电阻的情况下，当整个设备在 但是 也就是说，如果 . 值必须大于零。
*状态b的电阻*-整个忆阻器处于状态 B 通行证：q[<br>] 100欧姆（默认） | 正 | 标量,标量
忆阻器的电阻的情况下，当整个设备在 B 也就是说，如果 . 值必须大于零。
*完全状态转换所需的总电荷*-状态之间完全转换的电荷通过：q[<br>] 10毫升(默认) | 正 | 标量,标量
忆阻器从完全一个状态转变到完全另一个状态所需的总电荷。
*状态分数在t=0*-忆阻器在状态的分数 但是 在模拟开始时，通过：q[<br>] 0（默认） | 最小/最大:(0.1)
初始值为 在模拟开始时。 值必须大于或等于*0*且小于或等于*1*。
*窗函数的指数*-窗函数的指数传递：q[<br>] 2（默认情况下） | 正 | 整数 | 标量,标量
指标 保存值的窗口函数 在*0*和*1*之间。
*电流i的初始值*-电流i的初始值通过：q[<br>] 0(默认)
初始电流值 .
*电压v的初始值*-电压v的初始值
0(默认)
初始电压值 .