Документация Engee

Crystal

Стабильный резонатор.

Тип: AcausalElectricPowerSystems.Passive.Crystal

Путь в библиотеке:

/Physical Modeling/Electrical/Passive/Crystal

Описание

Блок Crystal представляет электрические характеристики кристалла. На рисунке ниже показана эквивалентная схема блока Crystal.

crystal 1

Параметры эквивалентной схемы для данной модели задаются при установке для параметра Parameterization значения Equivalent circuit parameters.

  • Конденсатор соответствует емкости, указанной в параметре Shunt capacitance, C0.

  • Конденсатор соответствует емкости, указанной в параметре Motional capacitance, C1.

  • Катушка индуктивности соответствует индуктивности, указанной в параметре Motional inductance, L1.

  • Резистор соответствует сопротивлению, указанному в параметре Equivalent series resistance, R1.

В большинстве технических описаний указывается частота кварцевого резонатора, а не индуктивность, поэтому блок дополнительно принимает данные о частоте.

  • Если для параметра Parameterization установлено значение Series resonance data, блок использует следующее соотношение для вычисления из резонансной частоты последовательного контура:

    где — значение параметра Series resonance, fs.

  • Если для параметра Parameterization установлено значение Parallel resonance data, блок использует следующее соотношение для вычисления из резонансной частоты параллельного контура:

    где

    • — значение параметра Parallel resonance, fa;

    • — значение параметра Load capacitance, CL.

В некоторых технических описаниях указывается добротность, а не эквивалентное последовательное сопротивление, поэтому блок опционально принимает данные о добротности. Если для параметра R1 parameterization установлено значение Quality factor Q, блок использует следующую формулу для вычисления по добротности:

где — значение параметра Quality factor, Q.

Чтобы использовать параметр R1 parameterization, установите для параметра Parameterization значение Series resonance data или Parallel resonance data.

Допущения и ограничения

Блок Crystal моделирует только основной режим колебаний кристалла.

Порты

Ненаправленные

# + — положительная клемма
электричество

Details

Ненаправленный электрический порт, связанный с положительным напряжением кристалла.

Имя для программного использования

p

# — отрицательная клемма
электричество

Details

Ненаправленный электрический порт, связанный с отрицательным напряжением кристалла.

Имя для программного использования

n

Параметры

Parameters

# Parameterization — параметризация блока
Series resonance data | Parallel resonance data | Equivalent circuit parameters

Details

Выберите один из следующих методов параметризации блока:

  • Series resonance data – укажите данные о резонансной частоте последовательного контура и емкости кристалла. Этот метод используется по умолчанию.

  • Parallel resonance data – укажите данные о резонансной частоте параллельного контура и емкости кристалла.

  • Equivalent circuit parameters – укажите электрические параметры эквивалентной схемы кристалла.

Значения

Series resonance data | Parallel resonance data | Equivalent circuit parameters

Значение по умолчанию

Series resonance data

Имя для программного использования

parameterization

Вычисляемый

Да

# Series resonance, fs — резонансная частота последовательного контура кристалла
Hz | GHz | MHz | kHz

Details

Резонансная частота последовательного контура кристалла.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Series resonance data.

Единицы измерения

Hz | GHz | MHz | kHz

Значение по умолчанию

32.764 kHz

Имя для программного использования

f_series

Вычисляемый

Да

# R1 parameterization — параметризация последовательного сопротивления
Equivalent series resistance R1 | Quality factor Q

Details

Выберите один из следующих методов параметризации последовательного сопротивления:

  • Equivalent series resistance R1 – укажите значение сопротивления напрямую. Этот метод используется по умолчанию.

  • Quality factor Q – укажите добротность, которую блок использует для расчета значения сопротивления.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Series resonance data или Parallel resonance data.

Значения

Equivalent series resistance R1 | Quality factor Q

Значение по умолчанию

Equivalent series resistance R1

Имя для программного использования

series_resistance_parameterization

Вычисляемый

Да

# Equivalent series resistance, R1 — динамическое демпфирование
Ohm | GOhm | MOhm | kOhm | mOhm

Details

Составляющая динамического демпфирования.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите

  • для параметра Parameterization значение Series resonance data, а для параметра R1 parameterization значение Equivalent series resistance R1;

  • для параметра Parameterization значение Parallel resonance data, а для параметра R1 parameterization значение Equivalent series resistance R1;

  • для параметра Parameterization значение Equivalent circuit parameters.

Единицы измерения

Ohm | GOhm | MOhm | kOhm | mOhm

Значение по умолчанию

15.0 kOhm

Имя для программного использования

R

Вычисляемый

Да

# Motional capacitance, C1 — динамическая емкость
F | mF | nF | pF | uF

Details

Емкость, отражающая механическую жесткость кристалла под нагрузкой.

Единицы измерения

F | mF | nF | pF | uF

Значение по умолчанию

0.0035 pF

Имя для программного использования

C_motional

Вычисляемый

Да

# Shunt capacitance, C0 — шунтирующая емкость
F | mF | nF | pF | uF

Details

Электрическая емкость между двумя электрическими соединениями кристалла.

Единицы измерения

F | mF | nF | pF | uF

Значение по умолчанию

1.6 pF

Имя для программного использования

С_shunt

Вычисляемый

Да

# Initial voltage — начальное выходное напряжение
V | MV | kV | mV

Details

Выходное напряжение в начале моделирования, когда выходной ток равен нулю.

Единицы измерения

V | MV | kV | mV

Значение по умолчанию

0.0 V

Имя для программного использования

V_start

Вычисляемый

Да

# Quality factor, Q — добротность кристалла

Details

Добротность кристалла.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите

  • для параметра Parameterization значение Series resonance data, а для параметра R1 parameterization значение Quality factor Q;

  • для параметра Parameterization значение Parallel resonance data , а для параметра R1 parameterization значение Quality factor Q.

Значение по умолчанию

90000.0

Имя для программного использования

Q

Вычисляемый

Да

# Parallel resonance, fa — резонансная частота параллельного контура кристалла
Hz | GHz | MHz | kHz

Details

Резонансная частота параллельного контура кристалла, соответствующая работе с параллельной емкостью нагрузки, определяемой параметром Load capacitance, CL.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Parallel resonance data.

Единицы измерения

Hz | GHz | MHz | kHz

Значение по умолчанию

32.768 kHz

Имя для программного использования

f_parallel

Вычисляемый

Да

# Load capacitance, CL — емкость нагрузки
F | mF | nF | pF | uF

Details

Емкость нагрузки, соответствующая значению параметра Parallel resonance, fa .

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Parallel resonance data.

Единицы измерения

F | mF | nF | pF | uF

Значение по умолчанию

12.5 pF

Имя для программного использования

C_load

Вычисляемый

Да

# Motional inductance, L1 — динамическая индуктивность
H | mH | nH | uH

Details

Индуктивность, представляющая собой механическую массу кристалла.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Equivalent circuit parameters.

Единицы измерения

H | mH | nH | uH

Значение по умолчанию

6742.0 H

Имя для программного использования

L

Вычисляемый

Да