N-Channel IGBT (Advanced)

N-канальный биполярный транзистор с изолированным затвором.

Тип: AcausalElectricPowerSystems.Semiconductors.IGBTAdvanced

Путь в библиотеке:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/N-Channel IGBT (Advanced)

Описание

Блок N-Channel IGBT (Advanced) моделирует биполярный транзистор с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT). Блок предоставляет полную модель вольт-амперных характеристик (ВАХ) и характеристик емкости, подходящую для моделирования детальных характеристик переключения и прогнозирования потерь в компоненте. Блок позволяет моделировать IGBT следующими способами:

В виде эквивалентной схемы на основе биполярного PNP транзистора и N-канального MOSFET. Для получения дополнительной информации см. разделы Представление в виде эквивалентной схемы, Точная настройка вольт-амперных характеристик и Моделирование температурной зависимости.
В виде двумерной интерполяционной таблицы приближенных значений ВАХ. Подробнее см. в разделе Представление с помощью двумерной интерполяционной таблицы.
В виде трехмерной интерполяционной таблицы приближенных значений ВАХ, включающей данные о температуре. Подробнее см. в разделе Представление с помощью трехмерной интерполяционной таблицы.

В модели емкость затвора представлена фиксированной емкостью затвор-эмиттер и фиксированной или нелинейной емкостью затвор-коллектор . Подробнее см. в разделе Модель заряда.

Представление в виде эквивалентной схемы

Эквивалентная схема состоит из блока Биполярный PNP транзистор, управляемого блоком N-канальный MOSFET, как показано на следующем рисунке.

n channel igbt advanced 1

Исток MOSFET подключен к коллектору биполярного транзистора, а сток MOSFET — к базе биполярного транзистора. Для MOSFET используются уравнения на основе порогового напряжения, приведенные в описании блока N-канальный MOSFET. Для биполярного транзистора используются уравнения из описания блока Биполярный PNP транзистор с дополнительным коэффициентом эмиссии , масштабирующим .

Блок N-Channel IGBT (Advanced) использует заданные в настройках характеристики включенного и выключенного состояний, чтобы оценить параметры внутренних N-канального MOSFET и биполярного PNP транзистора. По характеристикам выключенного состояния блок вычисляет напряжение база-эмиттер и ток насыщения .

Когда транзистор выключен, напряжение затвор-эмиттер равно нулю, а напряжение база-коллектор IGBT велико. Поэтому уравнения токов базы и коллектора PNP-транзистора упрощаются до

где

— значение параметра Emission coefficient, N;
— напряжение Эрли в прямом направлении;
и — положительные токи, направленные в коллектор и базу соответственно.

Определения остальных переменных приведены в описании блока Биполярный PNP транзистор. Из первого уравнения можно определить .

В выключенном состоянии ток базы равен нулю, поэтому , где — ток коллектора при нулевом напряжении затвора. Напряжение база-коллектор равно , где — напряжение, при котором измеряется . Тогда второе уравнение принимает вид

Блок задает типовые значения и , поэтому и определяются по формулам

Точное значение не требуется: блок регулирует коэффициент усиления MOSFET , чтобы обеспечить правильный общий коэффициент усиления устройства.

Параметры Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat) и Collector current at which Vce(sat) is defined используются для определения путем решения следующего уравнения:

После этого блок вычисляет коэффициент усиления MOSFET , используя следующее уравнение:

где

— значение параметра Gate-emitter threshold voltage, Vge(th);
— значение параметра Gate-emitter voltage at which Vce(sat) is defined;
— значение параметра Total forward transit time.

Напряжение связано с напряжениями транзистора соотношением . Блок подставляет это соотношение вместо , задает напряжение база-эмиттер и ток базы равными значениям насыщения и преобразует уравнение MOSFET, чтобы получить

где — значение параметра Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat).

Эти вычисления обеспечивают точное соответствие заданным току коллектора при нулевом напряжении затвора и напряжению насыщения коллектор-эмиттер. Вольт-амперные характеристики чувствительны к коэффициенту эмиссии и точному значению . Если в техническом описании производителя приведены вольт-амперные характеристики для разных значений , то параметры и можно настроить вручную.

Представление с помощью двумерной интерполяционной таблицы

Для представления с помощью интерполяционной таблицы задайте табличные значения тока коллектора как функции напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер. Основное преимущество этого метода — скорость моделирования. Устройство можно параметризовать как по результатам измерений, так и по данным из другой среды моделирования.

Табличное представление объединяет все компоненты эквивалентной схемы — PNP-транзистор, N-канальный MOSFET, резисторы коллектора и эмиттера — в одну эквивалентную интерполяционную таблицу.

Чтобы знаки тока и напряжения коллектор-эмиттер были согласованы, соблюдайте следующие условия:

Если напряжение коллектор-эмиттер равно 0, значение параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) должно быть равно 0;
Табличная мощность, представляющая собой произведение параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) и напряжения коллектор-эмиттер, должна быть больше или равна 0;
Табличная проводимость, представляющая собой градиент параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) по отношению к напряжению коллектор-эмиттер , должна быть больше или равна 0;
Первый градиент параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) по отношению к напряжению затвор-эмиттер должен быть равен 0.

Представление с помощью трехмерной интерполяционной таблицы

Для представления с помощью интерполяционной таблицы, зависящего от температуры, задайте табличные значения тока коллектора как функции напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер и температуры.

Если тепловой порт блока не используется, то температуру моделирования задает параметр Device simulation temperature в группе параметров Temperature Dependence.

Чтобы знаки тока и напряжения коллектор-эмиттер были согласованы, соблюдайте следующие условия:

Если напряжение коллектор-эмиттер равно 0, значение параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) должно быть равно 0;
Табличная мощность, представляющая собой произведение параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) и напряжения коллектор-эмиттер, должна быть больше или равна 0;
Табличная проводимость, представляющая собой градиент параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) по отношению к напряжению коллектор-эмиттер , должна быть больше или равна 0;
Первый градиент параметра Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) по отношению к напряжению затвор-эмиттер должен быть равен 0.

Модель заряда

Блок моделирует емкости фиксированными значениями или табличными значениями, зависящими от напряжения коллектор-эмиттер. Емкости затвор-эмиттер и затвор-коллектор можно задать непосредственно, либо вычислить по входной и проходной емкостям. Параметр Parameterization в группе параметров Junction Capacitance предоставляет следующие способы параметризации:

Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance (по умолчанию) — задать фиксированные значения параметров из технического описания и преобразовать значения входной и проходной емкостей в значения емкости, как описано ниже;
Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance — задать фиксированные значения параметров емкости напрямую;
Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance — задать табличные значения емкости и напряжения коллектор-эмиттер на основе графиков из технического описания, затем преобразовать значения входной и проходной емкостей в значения емкости, как описано ниже;
Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance — задать табличные значения емкостей и напряжения коллектор-эмиттер.

Используйте один из табличных способов (Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance или Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance), если в техническом описании приведен график зависимости емкости от напряжения коллектор-эмиттер. Использование табличных значений емкости обеспечит более точные динамические характеристики и позволит избежать необходимости итеративной настройки параметров.

Если вы используете способ Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance или Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance, то в группе параметров Junction Capacitance можно напрямую указать значения параметров Gate-emitter capacitance, Gate-collector capacitance и Collector-emitter capacitance. В остальных случаях блок вычисляет их на основе значений параметров Input capacitance, Cies, Reverse transfer capacitance, Cres и Output capacitance, Coes. Эти два метода параметризации связаны следующим образом:

При фиксированных емкостях (Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance или Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance) модель содержит фиксированную емкость затвор-эмиттер и фиксированную или нелинейную емкость затвор-коллектор . Если для параметра Charge-voltage linearity выбрать значение Gate-collector charge function is nonlinear, зависимость заряда затвор-коллектор определяется кусочно-линейной функцией, показанной на следующем рисунке.

n channel igbt advanced 2 ru

При такой нелинейной емкости профили напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер принимают форму, показанную на следующем рисунке. Спад напряжения коллектор-эмиттер состоит из областей 2 и 3, а напряжение затвор-эмиттер имеет две постоянные времени — до и после порогового напряжения .

n channel igbt advanced 3 ru

Если затвор IGBT управляется через внешнее сопротивление , значения емкостей конденсаторов , и можно определить следующим образом:

Задайте так, чтобы получить требуемую постоянную времени для в области 1. Постоянная времени равна произведению и . Вместо этого можно использовать значение из технического описания.
Задайте так, чтобы получить требуемый градиент в области 2. Градиент равен .
Задайте равным напряжению, при котором изменяется градиент , за вычетом порогового напряжения .
Задайте так, чтобы получить требуемые длину Миллера и постоянную времени в области 4.

Модель упрощает фактическое распределение заряда, поэтому для наилучшего соответствия измеренным данным может потребоваться несколько итераций этих четырех шагов.

Если для параметра I-V characteristics defined by установлено значение Fundamental nonlinear equations, хвостовая часть тока коллектора при выключенном IGBT определяется параметром Total forward transit time.

Если для параметра I-V characteristics defined by установлено значение Lookup table (2D, temperature independent) или Lookup table (3D, temperature dependent), хвостовая часть тока коллектора при выключенном IGBT определяется параметром Turn-off tail current transit time:

где — ток выключения IGBT, — ток включения IGBT, — время выключения, — значение параметра Turn-off tail current transit time.

Модель учитывает заряд, поэтому для корректного воспроизведения динамики включения и выключения необходимо смоделировать импеданс цепи управления затвором. Если цепь управления представлена управляемым источником напряжения, между источником и затвором следует включить подходящий последовательный резистор.

Точная настройка вольт-амперных характеристик

Для представления модели в виде эквивалентной схемы используйте параметры группы Advanced, чтобы точно настроить вольт-амперные характеристики устройства. Для настройки требуется техническое описание производителя с графиками зависимости тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при разных напряжениях затвор-эмиттер. Эти параметры оказывают следующее воздействие:

Параметр Emission coefficient, N определяет форму вольт-амперных характеристик вблизи начала координат;
Параметры Collector resistance, RC и Emitter resistance, RE влияют на наклон ВАХ при более высоких токах и при полном открытии устройства под действием высокого напряжения затвор-эмиттер;
Параметр Forward Early voltage, VAF влияет на форму ВАХ при напряжениях затвор-эмиттер вблизи значения Gate-emitter threshold voltage, Vge(th).

Моделирование температурной зависимости

Для двумерной интерполяционной таблицы электрические уравнения не зависят от температуры. Однако температурную зависимость можно моделировать с помощью трехмерной таблицы или с помощью эквивалентной схемы.

В эквивалентной схеме используются температурные зависимости составляющих компонентов. Определяющие уравнения приведены в описаниях блоков N-канальный MOSFET и Биполярный PNP транзистор.

Если техническое описание не содержит информацию о токе коллектора при нулевом напряжении затвора для более высокой температуры измерения, то можно задать энергетический зазор типичным для полупроводника значением. Для кремния энергетический зазор обычно составляет 1.11 эВ.

Тепловой порт

Блок имеет дополнительный тепловой порт, скрытый по умолчанию. Чтобы использовать тепловой порт H и параметры тепловой модели, установите флажок Enable thermal port.

Используйте тепловой порт для моделирования влияния выделяемого тепла и температуры устройства.

Допущения и ограничения

Модель, используемая в блоке, основана на следующих предположениях:

Блок не позволяет непосредственно задавать начальные условия для емкостей. Если установить флажок Start simulation from steady state в блоке Solver Configuration, начальные напряжения вычисляются согласованно с рассчитанным установившимся режимом. В противном случае напряжения в начале моделирования равны нулю.
Для предотвращения численных проблем могут потребоваться ненулевые значения емкостей, однако нулевые значения могут повысить скорость моделирования.
Блок не учитывает влияние температуры на емкости.

Порты

Ненаправленные

# E — эмиттер
электричество

Details

Ненаправленный порт, связанный с клеммой коллектора PNP-транзистора.

Имя для программного использования

emitter

# G — затвор
электричество

Details

Ненаправленный порт, связанный с клеммой затвора IGBT.

Имя для программного использования

gate

# H — тепловой порт
тепло

Details

Ненаправленный тепловой порт.

Зависимости

Чтобы использовать этот порт, установите флажок Enable thermal port.

Имя для программного использования

thermal_port

# C — коллектор
электричество

Details

Ненаправленный порт, связанный с клеммой эмиттера PNP-транзистора.

Имя для программного использования

collector

Параметры

Thermal Port

# Thermal resistances, [R1, R2, ..., Rn] — вектор тепловых сопротивлений для модели Фостера
K/W

Details

Вектор из значений тепловых сопротивлений, представленных элементами Фостера в тепловой сети. Все эти значения должны быть больше нуля.

Зависимости

Единицы измерения	`K/W`
Значение по умолчанию	`[0.08, 0.14, 0.22, 0.16] K/W`
Имя для программного использования	`thermal_resistance_foster_vector`
Вычисляемый	Да

# Thermal masses, [M1, M2, ..., Mn] — вектор значений теплоемкости для модели Фостера
J/K | kJ/K

Details

Вектор из значений теплоемкостей, где — это количество коэффициентов модели Фостера в тепловой сети. Все эти значения должны быть больше нуля.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port, для параметра Thermal network установите значение Cauer model parameterized with Foster coefficients, а для параметра Thermal mass parameterization — значение By thermal mass.

Единицы измерения	`J/K` \| `kJ/K`
Значение по умолчанию	`[0.001, 0.005, 0.05, 0.5] J/K`
Имя для программного использования	`thermal_mass_foster_vector`
Вычисляемый	Да

# Thermal masses, [M1, M2, ..., Mn] — вектор значений теплоемкости для модели Кауэра
J/K | kJ/K

Details

Вектор из значений теплоемкостей, где — это количество коэффициентов модели Кауэра в тепловой сети. Все эти значения должны быть больше нуля.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port, для параметра Thermal network установите значение Cauer model, а для параметра Thermal mass parameterization — значение By thermal mass.

Единицы измерения	`J/K` \| `kJ/K`
Значение по умолчанию	`[0.1, 0.3, 1.0] J/K`
Имя для программного использования	`thermal_mass_cauer_vector`
Вычисляемый	Да

# Thermal time constants, [t1, t2, ..., tn] — вектор тепловых постоянных времени для модели Фостера
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

Вектор из значений тепловых постоянных времени, где — это количество элементов Фостера в тепловой сети. Все эти значения должны быть больше нуля.

Значение теплоемкости вычисляется как , где , и — теплоемкость, тепловая постоянная времени и тепловое сопротивление для -го элемента Фостера.

Зависимости

Единицы измерения	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
Значение по умолчанию	`[7.0e-5, 0.0007, 0.01, 0.08] s`
Имя для программного использования	`thermal_time_constant_foster_vector`
Вычисляемый	Да

# Thermal resistances, [R1, R2, ..., Rn] — вектор тепловых сопротивлений для модели Кауэра
K/W

Details

Вектор из значений тепловых сопротивлений, представленных элементами Кауэра в тепловой сети. Все эти значения должны быть больше нуля.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port, для параметра Thermal network установите значение Cauer model.

Единицы измерения	`K/W`
Значение по умолчанию	`[1.0, 3.0, 10.0] K/W`
Имя для программного использования	`thermal_resistance_cauer_vector`
Вычисляемый	Да

# Thermal time constants, [t1, t2, ..., tn] — вектор тепловых постоянных времени для модели Кауэра
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

Вектор из значений тепловых постоянных времени, где — это количество элементов Кауэра в тепловой сети. Все эти значения должны быть больше нуля.

Значение теплоемкости вычисляется как , где , и — теплоемкость, тепловая постоянная времени и тепловое сопротивление для -го элемента Кауэра.

Зависимости

Единицы измерения	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
Значение по умолчанию	`[1.0, 3.0, 10.0] s`
Имя для программного использования	`thermal_time_constant_cauer_vector`
Вычисляемый	Да

# Junction and case thermal masses, [M_J, M_C] — вектор значений теплоемкостей
J/K | kJ/K

Details

Вектор [M_J, M_C] из двух значений теплоемкости. Первое значение M_J — это теплоемкость перехода. Второе значение M_C — это теплоемкость корпуса.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port, для параметра Thermal network установите значение Specify junction and case thermal parameters, а для параметра Thermal mass parameterization — значение By thermal mass.

Единицы измерения	`J/K` \| `kJ/K`
Значение по умолчанию	`[0.0, 1.0] J/K`
Имя для программного использования	`thermal_mass_vector`
Вычисляемый	Да

Details

Вектор [T_J, T_C] из двух значений температуры. Первое значение T_J — это начальная температура перехода. Второе значение T_C — это начальная температура корпуса.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port и для параметра Thermal network установите значение Specify junction and case thermal parameters.

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`[25.0, 25.0] degC`
Имя для программного использования	`T_thermal_mass_vector_start`
Вычисляемый	Да

# Thermal network — внутренняя тепловая модель
Specify junction and case thermal parameters | Cauer model | Cauer model parameterized with Foster coefficients | External

Details

Выберите внутреннюю тепловую модель:

Specify junction and case thermal parameters;
Cauer model;
Cauer model parameterized with Foster coefficients;
External.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port.

Значения	`Specify junction and case thermal parameters` \| `Cauer model` \| `Cauer model parameterized with Foster coefficients` \| `External`
Значение по умолчанию	`Specify junction and case thermal parameters`
Имя для программного использования	`thermal_network_parameterization`
Вычисляемый	Нет

# Enable thermal port — активация теплового порта

Details

Установите этот флажок, чтобы использовать тепловой порт H и моделировать тепловые эффекты.

Значение по умолчанию	`false (выключено)`
Имя для программного использования	`has_thermal_port`
Вычисляемый	Нет

Details

Вектор абсолютных значений температуры каждого элемента модели Фостера.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port и для параметра Thermal network установите значение Cauer model parameterized with Foster coefficients.

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`[25.0, 25.0, 25.0, 25.0] degC`
Имя для программного использования	`T_thermal_mass_foster_vector_start`
Вычисляемый	Да

# Thermal mass parameterization — параметризация теплоемкости
By thermal time constants | By thermal mass

Details

Выберите способ задания теплоемкости:

By thermal time constants (по умолчанию) — параметризация теплоемкости в терминах тепловых постоянных времени;
By thermal mass — задание значений теплоемкости напрямую.

Зависимости

Значения	`By thermal time constants` \| `By thermal mass`
Значение по умолчанию	`By thermal time constants`
Имя для программного использования	`thermal_mass_parameterization`
Вычисляемый	Нет

# Junction and case thermal time constants, [t_J, t_C] — вектор тепловых постоянных времени
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

Вектор [t_J, t_C] из двух значений тепловых постоянных времени. Первое значение t_J — это тепловая постоянная времени перехода. Второе значение t_C — это тепловая постоянная времени корпуса.

Зависимости

Единицы измерения	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
Значение по умолчанию	`[0.0, 10.0] s`
Имя для программного использования	`thermal_time_constant_vector`
Вычисляемый	Да

Details

Вектор значений температуры. Он соответствует перепаду температур для каждой теплоемкости в модели.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите флажок Enable thermal port и для параметра Thermal network установите значение Cauer model.

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`[25.0, 25.0, 25.0] degC`
Имя для программного использования	`T_thermal_mass_cauer_vector_start`
Вычисляемый	Да

# Junction-case and case-ambient (or case-heatsink) thermal resistances, [R_JC, R_CA] — вектор тепловых сопротивлений
K/W

Details

Вектор [R_JC, R_CA] из двух значений теплового сопротивления. Первое значение R_JC — это тепловое сопротивление между переходом и корпусом. Второе значение R_CA — это тепловое сопротивление между портом H и корпусом устройства.

Зависимости

Единицы измерения	`K/W`
Значение по умолчанию	`[0.0, 10.0] K/W`
Имя для программного использования	`thermal_resistance_vector`
Вычисляемый	Да

Main

Details

Вектор температур, используемый для поиска по интерполяционной таблице. Значения вектора должны строго возрастать. Значения могут быть неравномерно распределены.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Lookup table (3D, temperature dependent).

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`[25.0, 125.0] degC`
Имя для программного использования	`T_vector`
Вычисляемый	Да

# Voltage at which Ices is defined — напряжение, при котором определяется ток
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжение, используемое при измерении параметра Zero gate voltage collector current, Ices.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`600.0 V`
Имя для программного использования	`V_ces`
Вычисляемый	Да

# I-V characteristics defined by — представление IGBT
Fundamental nonlinear equations | Lookup table (2D, temperature independent) | Lookup table (3D, temperature dependent)

Details

Выберите представление IGBT:

Fundamental nonlinear equations (по умолчанию) — эквивалентная схема на основе биполярного PNP-транзистора и N-канального MOSFET;
Lookup table (2D, temperature independent) — двумерная интерполяционная таблица тока коллектора как функции напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер;
Lookup table (3D, temperature dependent) — трехмерная интерполяционная таблица тока коллектора как функции напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер и температуры.

Значения	`Fundamental nonlinear equations` \| `Lookup table (2D, temperature independent)` \| `Lookup table (3D, temperature dependent)`
Значение по умолчанию	`Fundamental nonlinear equations`
Имя для программного использования	`model_type`
Вычисляемый	Нет

# Vector of gate-emitter voltages, Vge — вектор напряжений затвор-эмиттер
V | uV | mV | kV | MV

Details

Вектор напряжений затвор-эмиттер, используемый для поиска по интерполяционной таблице. Значения вектора должны строго возрастать. Значения могут быть неравномерно распределены.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Lookup table (2D, temperature independent) или Lookup table (3D, temperature dependent).

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`[-1.0, 0.0, 2.0, 3.0, 5.0, 6.0, 7.0, 8.0, 10.0, 12.0, 15.0, 18.0, 20.0] V`
Имя для программного использования	`V_ge_vector`
Вычисляемый	Да

# Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) — табличные значения токов коллектора, не зависящие от температуры
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

Табличные значения токов коллектора как функции напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер, используемые для поиска по двумерной таблице. Каждое значение задает ток коллектора для соответствующей пары напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер. Размер матрицы должен соответствовать размерам, определенным векторами напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Lookup table (2D, temperature independent).

Единицы измерения	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
Значение по умолчанию	[0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.81 3.13 4.97 6.03 6.53 6.84 7.01 7.19 7.32 7.44 7.55 7.67 7.78 7.89 8.0 8.07 8.07; 0.0 0.0 0.0 1.07 5.5 12.93 22.09 29.14 35.27 38.97 41.37 43.08 44.52 45.45 46.28 46.85 47.41 47.76 48.06 48.36; 0.0 0.0 0.0 1.1 6.99 16.51 28.38 41.53 55.76 69.08 80.5 89.56 96.13 101.45 105.15 107.99 110.09 111.87 113.54 114.95; 0.0 0.0 0.0 1.36 6.26 17.43 33.6 50.43 71.75 93.61 114.64 134.42 151.44 164.25 177.06 189.88 202.69 215.51 228.32 241.14; 0.0 0.0 0.0 1.42 6.4 18.7 36.19 55.23 79.71 106.22 131.28 156.62 182.79 208.97 235.15 261.32 287.5 313.67 339.85 366.02; 0.0 0.0 0.0 1.45 6.81 20.01 39.61 60.63 88.74 117.7 147.16 191.87 237.14 282.42 327.69 372.96 418.23 463.5 508.77 554.04; 0.0 0.0 0.0 1.49 6.97 20.55 41.34 64.15 94.91 126.1 170.16 233.77 297.38 360.98 424.59 488.19 551.8 615.4 679.01 742.62; 0.0 0.0 0.0 1.5 7.5 20.96 42.17 66.19 98.34 131.14 187.84 263.46 339.09 414.72 490.34 565.97 641.6 717.22 792.85 868.48] A
Имя для программного использования	`I_c_matrix`
Вычисляемый	Да

# Vector of collector-emitter voltages, Vce — вектор напряжений коллектор-эмиттер
V | uV | mV | kV | MV

Details

Вектор напряжений коллектор-эмиттер, используемый для поиска по интерполяционной таблице. Значения вектора должны строго возрастать. Значения могут быть неравномерно распределены.

Зависимости

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`[0.0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0, 1.26, 1.51, 1.76, 2.01, 2.26, 2.51, 2.76, 3.01, 3.27, 3.52, 3.77, 4.02, 4.27, 4.52, 4.77] V`
Имя для программного использования	`V_ce_vector`
Вычисляемый	Да

# Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat) — напряжение насыщения коллектор-эмиттер
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжение коллектор-эмиттер для типичного включенного состояния, указанное производителем.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`2.6 V`
Имя для программного использования	`V_ce_sat`
Вычисляемый	Да

# Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) — табличные значения токов коллектора, зависящие от температуры
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

Табличные значения токов коллектора как функции напряжения затвор-эмиттер, напряжения коллектор-эмиттер и температуры, используемые для поиска в трехмерной таблице. Каждое значение задает ток коллектора для соответствующей пары напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер при определенной температуре. Размер массива должен соответствовать размерам, определенным векторами напряжений затвор-эмиттер и коллектор-эмиттер и температуры.

Зависимости

Единицы измерения	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
Значение по умолчанию	`zeros(13, 20, 2) A`
Имя для программного использования	`I_c_array_3D`
Вычисляемый	Да

# Gate-emitter voltage at which Vce(sat) is defined — напряжение затвор-эмиттер при измерении
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжение затвор-эмиттер, используемое при измерении и .

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`10.0 V`
Имя для программного использования	`V_ge_sat`
Вычисляемый	Да

# Collector current at which Vce(sat) is defined — ток коллектора при измерении
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

Ток коллектор-эмиттер при напряжении затвор-эмиттер и напряжении коллектор-эмиттер .

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
Значение по умолчанию	`400.0 A`
Имя для программного использования	`I_ce_sat`
Вычисляемый	Да

# Zero gate voltage collector current, Ices — ток коллектора при нулевом напряжении затвора
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

Ток коллектора при нулевом напряжении затвор-эмиттер и приложенном большом напряжении коллектор-эмиттер, то есть при выключенном устройстве. Напряжение коллектор-эмиттер задается параметром Voltage at which Ices is defined.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
Значение по умолчанию	`2.0 mA`
Имя для программного использования	`I_ces`
Вычисляемый	Да

Details

Температура , для которой указаны параметры устройства.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`25.0 degC`
Имя для программного использования	`T_measurement`
Вычисляемый	Да

# Gate-emitter threshold voltage, Vge(th) — пороговое напряжение затвор-эмиттер
V | uV | mV | kV | MV

Details

Пороговое напряжение, используемое в уравнениях MOSFET.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`6.0 V`
Имя для программного использования	`V_threshold`
Вычисляемый	Да

Junction Capacitance

# Output capacitance, Coes — выходная емкость
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость коллектор-эмиттер при замкнутых между собой затворе и эмиттере.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance.

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`0.0 nF`
Имя для программного использования	`C_oes`
Вычисляемый	Да

# Reverse transfer capacitance, Cres — проходная емкость
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость коллектор-затвор при соединенном с землей эмиттере.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`2.7 nF`
Имя для программного использования	`C_res`
Вычисляемый	Да

# Total forward transit time — общее время прохождения заряда в прямом направлении
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

Время прохождения заряда в прямом направлении для PNP-транзистора внутренней модели IGBT. Параметр влияет на скорость удаления заряда из канала при выключении IGBT.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
Значение по умолчанию	`0.0 us`
Имя для программного использования	`forward_transit_time`
Вычисляемый	Да

# Collector-gate voltage below which oxide capacitance is active — напряжение активации оксидной емкости
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжение коллектор-затвор, при котором емкость коллектор-затвор переключается между емкостью выключенного состояния и емкостью включенного состояния .

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Charge-voltage linearity значение Gate-collector charge function is nonlinear.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`-5.0 V`
Имя для программного использования	`V_C_oxide`
Вычисляемый	Да

# Reverse transfer capacitance, Cres(Vce) — проходная емкость с табличным входным сигналом
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость коллектор-затвор при соединенном с землей эмиттере, таблично совпадающая с напряжением коллектор-эмиттер.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance.

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`[55.0, 9.0, 5.5, 3.1, 2.5, 2.1, 1.9, 1.8, 1.7] nF`
Имя для программного использования	`C_res_vector`
Вычисляемый	Да

# Gate-emitter capacitance, Cge(Vge,Vce) — емкость затвор-эмиттер с табличными значениями
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость между затвором и эмиттером с табличными значениями напряжения затвор-эмиттер и напряжения коллектор-эмиттер.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`[25.0 31.0 26.5 24.9 25.0 24.9 24.6 24.7 24.8] nF`
Имя для программного использования	`C_ge_matrix`
Вычисляемый	Да

# Charge-voltage linearity — линейность зависимости заряда от напряжения
Gate-collector capacitance is constant | Gate-collector charge function is nonlinear

Details

Выберите способ представления емкости затвор-коллектор:

Gate-collector capacitance is constant (по умолчанию) — значение емкости постоянно и определяется в соответствии с выбранным параметром: напрямую или по данным технического описания;
Gate-collector charge function is nonlinear — зависимость заряда затвор-коллектор задается кусочно-линейной функцией из раздела Модель заряда; для задания функции заряда затвор-коллектор становятся доступны два дополнительных параметра.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance или Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

Значения	`Gate-collector capacitance is constant` \| `Gate-collector charge function is nonlinear`
Значение по умолчанию	`Gate-collector capacitance is constant`
Имя для программного использования	`charge_linearity_parameterization`
Вычисляемый	Нет

# Input capacitance, Cies(Vce) — входная емкость с табличным входным сигналом
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость затвор-эмиттер при замкнутых между собой коллекторе и эмиттере, выраженная таблично с напряжением коллектор-эмиттер.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`[80.0, 40.0, 32.0, 28.0, 27.5, 27.0, 26.5, 26.5, 26.5] nF`
Имя для программного использования	`C_ies_vector`
Вычисляемый	Да

# Collector-emitter capacitance, Cce(Vce) — емкость коллектор-эмиттер с табличными значениями
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость между коллектором и эмиттером, заданная таблично с напряжением коллектор-эмиттер.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`[5.0, 11.0, 6.5, 4.9, 3.5, 2.7, 2.1, 1.7, 1.4] nF`
Имя для программного использования	`C_ce_vector`
Вычисляемый	Да

# Turn-off tail current transit time — общее время прохождения хвостового тока в прямом направлении
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

Время прохождения хвостовой части тока.

Зависимости

Единицы измерения	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
Значение по умолчанию	`0.0 us`
Имя для программного использования	`t_transit`
Вычисляемый	Да

# Gate-collector capacitance, Cgc(Vge,Vce) — емкость затвор-коллектор с табличными значениями
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость между затвором и коллектором с табличными значениями, совпадающими с напряжением затвор-эмиттер и напряжением коллектор-эмиттер.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`[55.0 9.0 5.5 3.1 2.5 2.1 1.9 1.8 1.7] nF`
Имя для программного использования	`C_gc_matrix`
Вычисляемый	Да

# Collector-emitter capacitance — емкость коллектор-эмиттер
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость между коллектором и эмиттером.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`0.0 nF`
Имя для программного использования	`C_ce`
Вычисляемый	Да

# Input capacitance, Cies — входная емкость
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость затвор-эмиттер при замкнутых между собой коллекторе и эмиттере.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`26.4 nF`
Имя для программного использования	`C_ies`
Вычисляемый	Да

# Corresponding gate-emitter voltages for tabulated gate capacitance, Vge — соответствующие напряжения затвор-эмиттер
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжения затвор-эмиттер, соответствующие табличным значениям емкостей затвора.

Если задан скаляр, параметры Gate-emitter capacitance, Cge(Vge,Vce) и Gate-collector capacitance, Cgc(Vge,Vce) являются векторами. Если задан вектор, эти параметры являются матрицами.

Зависимости

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`[0.0] V`
Имя для программного использования	`V_C_ge_vector`
Вычисляемый	Да

# Output capacitance, Coes(Vce) — выходная емкость с табличным входным сигналом
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость коллектор-эмиттер при замкнутых между собой затворе и эмиттере, выраженная таблично с напряжением коллектор-эмиттер.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`[60.0, 20.0, 12.0, 8.0, 6.0, 4.8, 4.0, 3.5, 3.1] nF`
Имя для программного использования	`C_oes_vector`
Вычисляемый	Да

# Gate-collector oxide capacitance — оксидная емкость затвор-коллектор
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость затвор-коллектор при включенном устройстве и малом напряжении коллектор-затвор.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`20.0 nF`
Имя для программного использования	`C_oxide`
Вычисляемый	Да

# Parameterization — параметризация емкости перехода
Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance | Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance | Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance | Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance

Details

Выберите способ параметризации блока:

Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance (по умолчанию) — задать фиксированные значения параметров из технического описания и преобразовать значения входной и проходной емкостей в значения емкости, как описано в разделе Модель заряда;
Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance — задать фиксированные значения параметров емкости перехода напрямую;
Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance — задать табличные значения емкости и напряжения коллектор-эмиттер на основе графиков из технического описания, затем преобразовать значения входной и проходной емкостей в значения емкости, как описано в разделе Модель заряда;
Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance — задать табличные значения емкостей перехода и напряжения коллектор-эмиттер.

Значения	`Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance` \| `Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance` \| `Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance` \| `Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance`
Значение по умолчанию	`Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance`
Имя для программного использования	`C_parameterization`
Вычисляемый	Нет

# Gate-emitter capacitance — емкость затвор-эмиттер
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость между затвором и эмиттером.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`23.7 nF`
Имя для программного использования	`C_ge`
Вычисляемый	Да

# Corresponding collector-emitter voltages, Vce — соответствующие напряжения коллектор-эмиттер
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжения коллектор-эмиттер, соответствующие табличным значениям емкостей.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра Parameterization значение Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance или Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`[0.0, 1.0, 2.0, 5.0, 10.0, 15.0, 20.0, 25.0, 30.0] V`
Имя для программного использования	`V_C_ce_vector`
Вычисляемый	Да

# Gate-collector capacitance — емкость затвор-коллектор
F | pF | nF | uF | mF

Details

Емкость между затвором и коллектором.

Зависимости

Единицы измерения	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
Значение по умолчанию	`2.7 nF`
Имя для программного использования	`C_gc`
Вычисляемый	Да

Advanced

# Forward Early voltage, VAF — напряжение Эрли в прямом направлении
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжение Эрли в прямом направлении для PNP-транзистора, используемого в модели IGBT. Подробнее см. в описании блока Биполярный PNP транзистор.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`200.0 V`
Имя для программного использования	`V_A`
Вычисляемый	Да

# Emitter resistance, RE — сопротивление эмиттера
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление эмиттера.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`0.001 Ohm`
Имя для программного использования	`R_e`
Вычисляемый	Да

# Forward current transfer ratio, BF — коэффициент передачи по прямому току

Details

Идеальный максимальный коэффициент усиления прямого тока PNP-транзистора, используемого в модели IGBT. Подробнее см. в описании блока Биполярный PNP транзистор.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Значение по умолчанию	`50.0`
Имя для программного использования	`beta_f`
Вычисляемый	Да

# Internal gate resistance, RG — внутреннее сопротивление затвора
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление внутреннего резистора затвора при температуре измерения. Это не значение сопротивления затвора внешней цепи, которое следует моделировать вне IGBT.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`0.001 Ohm`
Имя для программного использования	`R_g`
Вычисляемый	Да

# Emission coefficient, N — коэффициент эмиссии

Details

Коэффициент эмиссии, или коэффициент идеальности, биполярного транзистора.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Значение по умолчанию	`1.0`
Имя для программного использования	`N`
Вычисляемый	Да

# Collector resistance, RC — сопротивление коллектора
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление коллектора.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`0.001 Ohm`
Имя для программного использования	`R_c`
Вычисляемый	Да

Packaging

# Collector lead resistance — сопротивление вывода коллектора транзистора
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление вывода коллектора транзистора, то есть сопротивление последовательных выводов, связанных с контактом коллектора. Используйте этот параметр для моделирования паразитных эффектов в транзисторе.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`0.0 Ohm`
Имя для программного использования	`R_collector_lead`
Вычисляемый	Да

# Gate lead resistance — сопротивление вывода затвора транзистора
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление вывода затвора транзистора, то есть сопротивление последовательных выводов, связанных с контактом затвора. Используйте этот параметр для моделирования паразитных эффектов в транзисторе.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`0.0 Ohm`
Имя для программного использования	`R_gate_lead`
Вычисляемый	Да

# Gate lead inductance — индуктивность вывода затвора транзистора
H | nH | uH | mH

Details

Индуктивность вывода затвора транзистора, то есть индуктивность последовательных выводов, связанных с контактом затвора. Используйте этот параметр для моделирования паразитных эффектов в транзисторе.

Единицы измерения	`H` \| `nH` \| `uH` \| `mH`
Значение по умолчанию	`0.0 nH`
Имя для программного использования	`L_gate_lead`
Вычисляемый	Да

# Collector lead inductance — индуктивность вывода коллектора транзистора
H | nH | uH | mH

Details

Индуктивность вывода коллектора транзистора, то есть индуктивность последовательных выводов, связанных с контактом коллектора. Используйте этот параметр для моделирования паразитных эффектов в транзисторе.

Единицы измерения	`H` \| `nH` \| `uH` \| `mH`
Значение по умолчанию	`0.0 nH`
Имя для программного использования	`L_collector_lead`
Вычисляемый	Да

# Emitter lead inductance — индуктивность вывода эмиттера транзистора
H | nH | uH | mH

Details

Индуктивность вывода эмиттера транзистора, то есть индуктивность последовательных выводов, связанных с контактом эмиттера. Используйте этот параметр для моделирования паразитных эффектов в транзисторе.

Единицы измерения	`H` \| `nH` \| `uH` \| `mH`
Значение по умолчанию	`0.0 nH`
Имя для программного использования	`L_emitter_lead`
Вычисляемый	Да

# Emitter lead resistance — сопротивление вывода эмиттера транзистора
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

Сопротивление вывода эмиттера транзистора, то есть сопротивление последовательных выводов, связанных с контактом эмиттера. Используйте этот параметр для моделирования паразитных эффектов в транзисторе.

Единицы измерения	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
Значение по умолчанию	`0.0 Ohm`
Имя для программного использования	`R_emitter_lead`
Вычисляемый	Да

Temperature Dependence

# Zero gate voltage collector current, Ices, at second measurement temperature — ток коллектора при нулевом напряжении затвора и второй температуре
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

Ток коллектора при нулевом напряжении затвора и второй температуре измерения.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations, а в группе параметров Temperature Dependence установите для параметра Parameterization значение Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature.

Единицы измерения	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
Значение по умолчанию	`100.0 mA`
Имя для программного использования	`I_ces_T2`
Вычисляемый	Да

# Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat), at second measurement temperature — напряжение насыщения коллектор-эмиттер при второй температуре
V | uV | mV | kV | MV

Details

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при второй температуре измерения и значениях тока коллектора и напряжения затвор-эмиттер, заданных соответствующими параметрами в группе Main.

Зависимости

Единицы измерения	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
Значение по умолчанию	`3.0 V`
Имя для программного использования	`V_ce_sat_T2`
Вычисляемый	Да

# Saturation current temperature exponent, XTI — температурный показатель степени тока насыщения

Details

Показатель степени тока насыщения для моделируемого устройства. Если имеется график зависимости от температуры, используйте его для точной настройки .

Зависимости

Значение по умолчанию	`3.0`
Имя для программного использования	`XTI`
Вычисляемый	Да

Details

Вторая температура , при которой измеряются параметры Zero gate voltage collector current, Ices, at second measurement temperature и Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat), at second measurement temperature.

Зависимости

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`125.0 degC`
Имя для программного использования	`T2_measurement`
Вычисляемый	Да

Details

Относительная скорость изменения внутреннего сопротивления затвора с температурой. Сопротивление вычисляется как , где — значение параметра Internal gate resistance, RG.

Зависимости

Единицы измерения	`1/K` \| `1/degR` \| `1/deltaK` \| `1/deltadegC` \| `1/deltadegF` \| `1/deltadegR`
Значение по умолчанию	`0.0 1/K`
Имя для программного использования	`alpha_R_g`
Вычисляемый	Да

Details

Температура , при которой моделируется устройство.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, снимите флажок Enable thermal port и выполните одно из условий:

установите для параметра I-V characteristics defined by значение Lookup table (3D, temperature dependent);
установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations, а для параметра Parameterization — значение Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature или Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG.

Единицы измерения	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
Значение по умолчанию	`300.0 K`
Имена для программного использования	`T_device`, `T_device_3D`
Вычисляемый	Да

# Energy gap, EG — энергетический зазор
J | mJ | kJ | MJ | mW*hr | W*hr | kW*hr | MW*hr | eV | cal | kcal | Btu_IT

Details

Значение энергетического зазора.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations, а в группе параметров Temperature Dependence установите для параметра Parameterization значение Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG.

Единицы измерения	`J` \| `mJ` \| `kJ` \| `MJ` \| `mWhr` \| `Whr` \| `kWhr` \| `MWhr` \| `eV` \| `cal` \| `kcal` \| `Btu_IT`
Значение по умолчанию	`1.11 eV`
Имя для программного использования	`E_g`
Вычисляемый	Да

# Parameterization — параметризация температурной зависимости
None - Simulate at parameter measurement temperature | Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature | Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG

Details

Выберите способ параметризации температурной зависимости:

None - Simulate at parameter measurement temperature (по умолчанию) — не моделировать температурную зависимость;
Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature — моделировать температурные эффекты по току коллектора при нулевом напряжении затвора и напряжению коллектор-эмиттер при второй температуре измерения;
Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG — моделировать температурные эффекты по напряжению коллектор-эмиттер при второй температуре измерения и энергетическому зазору; используйте этот способ, если техническое описание не содержит информации о токе коллектора при нулевом напряжении затвора при более высокой температуре измерения.

Зависимости

Чтобы использовать этот параметр, установите для параметра I-V characteristics defined by значение Fundamental nonlinear equations.

Значения	`None - Simulate at parameter measurement temperature` \| `Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature` \| `Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG`
Значение по умолчанию	`None - Simulate at parameter measurement temperature`
Имя для программного использования	`T_parameterization`
Вычисляемый	Нет

# Mobility temperature exponent, BEX — температурный показатель степени подвижности

Details

Температурный коэффициент подвижности. Для большинства устройств можно использовать значение по умолчанию. Если имеются графики при разных температурах, используйте их для точной настройки .

Зависимости

Значение по умолчанию	`-1.5`
Имя для программного использования	`BEX`
Вычисляемый	Да