N-Channel MOSFET

基于表面电势方程的 n 沟道或 p 沟道 MOSFET 模型。

类型: AcausalElectricPowerSystems.Semiconductors.MOSFET

N-Channel MOSFET

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/N-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/P-Channel MOSFET

说明

N-Channel MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 模块根据表面电势方程对具有金属氧化物半导体（MOS）结构的 n 沟道或 p 沟道场效应晶体管进行建模。

该模块还能模拟热效应。

基于表面势能方程的模型

基于表面势能方程的模型考虑了以下效应：

完全非线性电容模型（包括非线性米勒电容）。
电荷守恒
载流子速度饱和与通道长度调制。
集成二极管
嵌入式二极管模型中的反向恢复。
温度对物理参数的影响
热效应建模选项的动态自热（模拟自热对器件电气特性的影响）。

该模型是标准 PSP 模型[1]的简化版，只包含其中的一部分，以便在模型的准确性和复杂性之间找到平衡。有关该模型所包含现象的物理假设的更多详情，请参阅 [2]。

下文给出了 n 沟道 MOSFET 的表面电势方程。p 沟道 MOSFET 的方程推导类似，但电荷和电流乘以"-1"。

该模型基于泊松方程：

其中

- 静电电位；
- 电子电荷；
- 底物中受体的浓度；
- 半导体材料（如硅）的介电常数；
- 本征费米级与硅块费米级之间的差异；
- 表面层相对于主体层的准费米势；
- 温度势；
- 玻尔兹曼常数；
- 温度

泊松方程用于推导表面势能方程：

其中

- 是施加的栅极-基底电压；
- 是平坦区的应力；
- 表面电势；
- 基底系数：
- 比表面电容

该程序块使用表面电势方程的显式近似值，以避免对该隐式方程进行数值求解。

一旦已知表面电势，漏极电流的确定方法如下

其中

- 是设备的宽度；
- 通道长度；
- 在弱场中的移动性；
- 速度饱和度
- 漏极与源极之间的表面电位差；
和 - 源极和漏极的反转电荷密度；
- 沿沟道的平均反转电荷密度；
- 迁移率降低系数。更多信息，请参阅*表面粗糙度散射系数*参数的说明；
- 沟道长度调制：

其中
- - 是信道长度的调制系数；
- - 漏极-基底电压；
- - 漏极-基底电压降至与速度饱和或截止（以先到者为准）相对应的最大值；
- - 通道长度调制电压。

该装置可直接根据表面电势计算反转电荷密度。

该单元还能根据表面电势计算非线性电容。源极和漏极电荷使用偏压相关的 Ward-Dutton 电荷分离方案分配，如文献 [3] 所述。这些电荷是明确计算出来的，因此在该模型中电荷是守恒的。电容电流是通过计算相应电荷的时间导数得出的。实际上，建模中的电荷与氧化物电容归一化，并以伏特为单位计算。

MOSFET 的增益确定如下：

源极-衬底结短路时的阈值电压大致按以下方式确定：

其中是强反转时的表面电势。

一般来说，三通道和四通道模型包括一个由表面电势公式定义的本征 MOSFET、一个集成二极管、串联电阻和固定结电容，如 n 通道 MOSFET 的原理图所示。

n channel mosfet 1

n channel mosfet 2

集成二极管建模

该模块模拟具有指数伏安特性 (VAC) 的集成二极管。

结电容和扩散电容的计算公式为

其中

- 是通过二极管的电流；
- 是反向饱和电流；
- 漏极-基底电压；
- 表意系数；
- 温度势能；
- 二极管结电容；
- 零偏压时的结电容；
- 集成二极管的电压；
- 二极管的扩散电容；
- 传输时间。

温度相关性建模

默认情况下不考虑温度相关性，设备在参数设置的温度下建模。要在模拟过程中考虑温度相关性，请将 *参数化*参数设置为 "模拟温度相关性"。

表面电势方程模型会考虑温度对电容特性的影响，并在仿真过程中模拟晶体管静态行为的温度依赖性。

参数 *测量温度 * 定义温度，在此温度下设置器件的某些参数。温度依赖性*部分的参数设置了建模温度和其余器件参数的温度依赖性系数。

热端口

设备默认隐藏了一个可选的热端口。要使用*H*热端口，请选择*启用热端口*复选框。

使用热敏端口可模拟产生的热量和设备温度的影响。

端口

非定向

# g — 百叶窗
电力

Details

与闸门相关的端口。

程序使用名称

gate

# d — 出水
电力

Details

与排水管道相关的端口。

程序使用名称

drain

# s — 来源
电力

Details

与源相关联的端口。

程序使用名称

source

# H — 热端口
加热

Details

加热端口。

依赖关系

要使用该端口，请选择 启用热端口 复选框。

程序使用名称

thermal_port

# b — 船体
电力

Details

与基板上的集成二极管有关的端口。

依赖关系

要使用该端口，请将*端子数*参数设置为 "4"。

程序使用名称

body

参数

主

# Transistor type — 晶体管类型
N-Channel | P-Channel

Details

晶体管型号:

N通道 -n沟道MOSFET;
P通道 -p沟道MOSFET。

值	`N-Channel` \| `P-Channel`
默认值	`—`
程序使用名称	`type`
可计算	无

# Number of terminals — 联系人参数化
Three | Four

Details

块中的触点的数量。

值	`Three` \| `Four`
默认值	`Three`
程序使用名称	`terminal_count`
可计算	无

# Gain — 增益
A/V^2

Details

MOSFET增益 . 此参数主要定义特性上的线性区域 - .

计量单位	`A/V^2`
默认值	`18.0 A/V^2`
程序使用名称	`reference_gain`
可计算	是

# Flatband voltage — 平区电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

平区电压确定为在硅表面上实现平坦区状态而必须施加的栅极偏移。您可以使用此参数来任意偏移阈值电压，因为材料的输出差异，以及界面或氧化物处的捕获电荷。然而，在实践中，通常建议首先在强反转*参数下使用*体因子*和*表面电位来改变阈值电压，并且仅将该参数用于微调。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`-1.1 V`
程序使用名称	`V_flatband_reference`
可计算	是

# Body factor — 基材比
V^(1/2) | MV^(1/2) | kV^(1/2) | mV^(1/2)

Details

底物因子面电位的方程中。该参数主要影响阈值电压。

计量单位	`V^(1/2)` \| `MV^(1/2)` \| `kV^(1/2)` \| `mV^(1/2)`
默认值	`3.5 V^(1/2)`
程序使用名称	`body_factor`
可计算	是

# Surface potential at strong inversion — 具有强反演的表面电位
V | uV | mV | kV | MV

Details

价值面电位的方程中。该参数也主要影响阈值电压。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`reference_potential_at_strong_inversion`
可计算	是

# Velocity saturation factor — 率饱和系数
1/V | 1/MV | 1/kV | 1/mV

Details

价值漏极电流方程中。如果符合线性模式会导致饱和电流过大，请使用此参数。增加该参数的值导致饱和电流的减小。对于高压器件，经常发生的情况是，良好的线性模式顺应性导致饱和电流过低。在这种情况下，应该增加漏极的增益和欧姆电阻。

计量单位	`1/V` \| `1/MV` \| `1/kV` \| `1/mV`
默认值	`0.4 1/V`
程序使用名称	`reference_velocity_saturation_factor`
可计算	是

# Channel-length modulation factor — 信道长度调制系数

Details

比率，它是方程中对数项的乘数。 . 该参数描述了信道长度调制的开始。对于表现出正饱和电导率的器件的特性，增加参数值以匹配该行为。默认值为 0，这意味着信道长度调制被禁用。

默认值	`0.0`
程序使用名称	`modulation_factor`
可计算	是

# Channel-length modulation voltage — 通道长度调制电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

电压；电压在方程为 . 该参数控制沟道长度调制开始工作的漏极电压。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`5e-2 V`
程序使用名称	`V_modulation`
可计算	是

# Surface roughness scattering factor — 表面粗糙度的散射系数
1/V | 1/MV | 1/kV | 1/mV

Details

移动性降低的功率。移动性等于，在哪里 -在不受表面散射影响的弱场中的迁移率。流动性降低系数定义为，在哪里 -表面粗糙度的散射系数，以及是对应于沟道中电场强度的有效垂直分量的电压 . 对于高垂直电场，电子迁移率大约与 .

计量单位	`1/V` \| `1/MV` \| `1/kV` \| `1/mV`
默认值	`0.0 1/V`
程序使用名称	`reference_surface_roughness_factor`
可计算	是

# Linear-to-saturation transition coefficient — 线性面积-饱和过渡系数

Details

该系数表征MOSFET特性从线性区域到饱和的平滑过渡，特别是在启用速度饱和时。此参数通常可以保留在默认值，但您可以使用它来微调弯曲特性。 - . 此参数的预期值范围为 2 以前 8.

默认值	`8.0`
程序使用名称	`linear_to_saturation_transition_coefficient`
可计算	是

Details

温度，在其上测量块参数。如果*设备仿真温度*参数的值与此值不同，则将根据仿真温度和参考温度确定设备参数。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_reference`
可计算	是

欧姆电阻

# Source ohmic resistance — 晶体管源极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的源极电阻，即与源极接触相关的串联电阻。该值必须大于或等于 0.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`2e-3 Ohm`
程序使用名称	`R_s_reference`
可计算	是

# Drain ohmic resistance — 晶体管漏极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的漏极电阻，即与漏极接触相关的串联电阻。该值必须大于或等于 0.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.17 Ohm`
程序使用名称	`R_d_reference`
可计算	是

# Gate ohmic resistance — 晶体管栅极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的栅极电阻，即与栅极接触相关的串联电阻。该值必须大于或等于 0.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`8.4 Ohm`
程序使用名称	`R_g_reference`
可计算	是

# Bulk ohmic resistance — 晶体管基板的电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管衬底的电阻，即与衬底接触相关的串联电阻。

依赖关系

要使用此参数，请将*Number of terminals*参数设置为 四.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`2e-3 Ohm`
程序使用名称	`R_b_reference`
可计算	是

通道电容

# Oxide capacitance — 氧化物容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

栅极和沟道之间的容量。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`1500.0 pF`
程序使用名称	`C_oxide`
可计算	是

# Gate-source overlap capacitance — 栅源结容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

定与栅极-源极结相关联的线性电容。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`100.0 pF`
程序使用名称	`C_gs_overlap`
可计算	是

# Gate-drain overlap capacitance — 栅极-漏极结容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

定与栅极-漏极结相关联的线性容量。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`14.0 pF`
程序使用名称	`C_gd_overlap`
可计算	是

本体二极管

# Reverse saturation current — 反向饱和电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

电流内置二极管的方程中。

将此参数设置为非零值，以模拟电流通过内置二极管，适用于在模拟过程中MOSFET电流变化很大的应用，例如，当MOSFET驱动电感负载时。

对于MOSFET电流从不改变符号的应用，例如在小信号放大器中，将此参数设置为 0 以提高仿真速度。

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`5.2e-13 A`
程序使用名称	`I_sat_reference`
可计算	是

# Built-in voltage — 内置二极管的电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

内置二极管的电压内置二极管的方程中。该电压仅影响结电容方程。不影响导通电流。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`0.6 V`
程序使用名称	`V_built_in`
可计算	是

# Ideality factor — 理想系数

Details

理想系数内置二极管的方程中。

默认值	`1.0`
程序使用名称	`ideality_factor`
可计算	是

# Zero-bias junction capacitance — 零偏移时的过渡容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

漏极和衬底之间的电容在零偏置，仅由于内置二极管, 内置二极管的方程中。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`480.0 pF`
程序使用名称	`C_j0`
可计算	是

# Transit time — 过境时间
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

时间内置二极管的方程中。

如果*反向饱和电流*和*过境时间*参数的值是非零，那么该块使反向恢复到内置二极管模型。

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`50e-9 s`
程序使用名称	`transit_time`
可计算	是

温度相关性

# Parameterization — 温度依赖性参数化
None - Simulate at parameter measurement temperature | Model temperature dependence

Details

选择以下方法之一来参数化温度依赖性:

无-在参数测量温度下进行模拟 -温度依赖性未建模。这是默认方法。
模型温度依赖性 -模拟依赖温度的影响。指定设备仿真的温度值和其他块参数的温度依赖性系数。

值	`None - Simulate at parameter measurement temperature` \| `Model temperature dependence`
默认值	`None - Simulate at parameter measurement temperature`
程序使用名称	`enable_temperature_dependence`
可计算	无

# Gain temperature exponent — 增益系数的温度依赖程度的指标

Details

假设MOSFET的增益指数取决于温度: ，在哪里 —这是*Gain*参数的值，并且 -增益温度指数参数的值。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

默认值	`1.3`
程序使用名称	`gain_temperature_exponent`
可计算	是

# Flatband voltage temperature coefficient — 平坦区电压的温度依赖性系数
V/K

Details

假设平坦区的电压线性依赖于温度: ，在哪里 —这是*平带电压*参数的值，以及 —这是*平带电压温度系数*参数的值。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

计量单位	`V/K`
默认值	`5e-4 V/K`
程序使用名称	`flatband_voltage_temperature_coefficient`
可计算	是

# Surface potential at strong inversion temperature coefficient — 强反演下表面电位的温度依赖系数
V/K

Details

假设强反演下的表面电位线性依赖于温度: ，在哪里 —这是*表面电位在强反转*参数的值，并且 —这是强反演温度系数*参数下的*表面电位的值。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

计量单位	`V/K`
默认值	`-0.00085 V/K`
程序使用名称	`potential_at_strong_inversion_temperature_coefficient`
可计算	是

# Velocity saturation temperature exponent — 饱和速度的温度依赖程度的指标

Details

假设速度的饱和度指数取决于温度: ，在哪里 —这是*速度饱和因子*参数的值，以及 -速度饱和温度指数参数的值。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

默认值	`1.04`
程序使用名称	`velocity_saturation_temperature_exponent`
可计算	是

# Surface roughness scattering temperature exponent — 表面粗糙度的散射系数的温度依赖程度的指标

Details

该参数导致MOSFET在高栅极电压下的电导率随温度而降低。

假设表面粗糙度的散射系数指数取决于温度: ，在哪里 —这是*表面粗糙度散射因子*参数的值，并且 -*表面粗糙度散射温度指数*参数的值。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

默认值	`0.65`
程序使用名称	`surface_roughness_temperature_exponent`
可计算	是

# Resistance temperature exponent — 电阻的温度依赖程度的指标

Details

假定串联电阻对应于半导体电阻。因此，它们随着温度的升高呈指数下降。: ，在哪里 -这是 , 或分别为源极、漏极或栅极的电阻, 是相应参数*源极欧姆电阻*、*漏极欧姆电阻*或*栅极欧姆电阻*的值，以及 -*电阻温度指数*参数的值。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

默认值	`0.95`
程序使用名称	`resistance_temperature_exponent`
可计算	是

# Body diode reverse saturation current temperature exponent — 反向饱和电流的温度依赖程度的指标

Details

假设内置二极管的反向饱和电流与其自身载流子浓度的平方成正比。: ，在哪里是状态的依赖于温度的有效密度，并且是半导体材料的温度相关带隙。为了不引入温度依赖性的另一个参数，该块忽略了带隙宽度的温度依赖性，并将300K(1.12eV)的硅带隙用于所有类型的器件。因此，反向饱和电流的温度依赖性如下确定:

哪里 -参数的值*反向饱和电流*, -玻尔兹曼常数, -*体二极管反向饱和电流温度指数*参数的值。默认值为 3 因为对于硅，大约按比例 . 能够通过调整值来考虑带隙宽度的温度依赖性 .

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

默认值	`3.0`
程序使用名称	`reverse_saturation_current_temperature_exponent`
可计算	是

Details

温度，对其设备正在建模。

依赖关系

要使用此参数，请将*Parameterization*参数设置为 模型温度依赖性.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_device`
可计算	是

热端口

# Enable thermal port — 打开热端口

Details

要启用热效应模拟，请选中此选项的复选框。

默认值	`false (关掉)`
程序使用名称	`has_thermal_port`
可计算	无

# Thermal network — 选择内部热模型
Specify junction and case thermal parameters | Cauer model | Cauer model parameterized with Foster coefficients | External

Details

选择内部热模型:

指定结和壳体热参数;
警示模型;
用Foster系数参数化的Cauer模型;
外部.

值	`Specify junction and case thermal parameters` \| `Cauer model` \| `Cauer model parameterized with Foster coefficients` \| `External`
默认值	`Specify junction and case thermal parameters`
程序使用名称	`thermal_network_parameterization`
可计算	无

# Junction-case and case-ambient (or case-heatsink) thermal resistances, [R_JC R_CA] — 热阻矢量
K/W

Details

向量资料 [R_JC,R_CA] 热阻的两个值中。第一个值 R_JC -这是结和外壳之间的热阻。第二个值, R_CA —这是*H*端口和设备主体之间的热阻。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 指定结和壳体热参数.

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1 R2 ... Rn] — 考尔模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从由加热网络中的Kauer元件表示的热阻值。所有这些值必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 警示模型.

计量单位	`K/W`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1 R2 ... Rn] — 福斯特模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从热阻值由Foster模型在加热网络中的系数表示。所有这些值必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 用Foster系数参数化的Cauer模型.

计量单位	`K/W`
默认值	`[4.0, 6.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_foster_vector`
可计算	是

# Thermal mass parameterization — 热容量参数化
By thermal time constants | By thermal mass

Details

选择设置热容量的方法:

通过热时间常数 -热时间常数方面的热容量的参数化。默认情况下使用此值。
按热质量计算 -设置热容值。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 指定结和壳体热参数, 警示模型 或 用Foster系数参数化的Cauer模型.

值	`By thermal time constants` \| `By thermal mass`
默认值	`By thermal time constants`
程序使用名称	`thermal_mass_parameterization`
可计算	无

# Junction and case thermal masses, [M_J M_C] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

向量资料 [M_J，M_C] 热容量的两个值中。第一个值 M_J —这是过渡的热容量。第二个值, M_C —这是表壳的热容量。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 指定结和壳体热参数，并为参数*热质量参数化*值 按热质量计算.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.0, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1 M2 ... Mn] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中这是热网中Kauer模型的系数数。所有这些值必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 警示模型，并为参数*热质量参数化*值 按热质量计算.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.1, 0.3, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1 M2 ... Mn] — 福斯特模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中这是加热网络中福斯特元件的数量。所有这些值必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 用Foster系数参数化的Cauer模型，并为参数*热质量参数化*值 按热质量计算.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[1.5, 3.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_foster_vector`
可计算	是

# Junction and case thermal time constants, [t_J t_C] — 热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

向量资料 [t_J，t_C] 热时间常数的两个值中。第一个值 t_J -这是过渡时间的热常数。第二个值, t_C -这是船体的热时间常数。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 指定结和壳体热参数，并为参数*热质量参数化*值 通过热时间常数.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[0.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1 t2 ... tn] — 考尔模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中这是加热网络中Kauer元件的数量。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 警示模型，并为参数*热质量参数化*值 通过热时间常数.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1 t2 ... tn] — 福斯特模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中这是供暖网络中福斯特模型的系数数。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 用Foster系数参数化的Cauer模型，并为参数*热质量参数化*值 通过热时间常数.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[6.0, 18.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_foster_vector`
可计算	是

Details

向量资料 [T_J，T_C] 的两个温度值中。第一个值 T_J -这是转变的初始温度。第二个值, T_C —这是案件的初始温度。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 指定结和壳体热参数.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_vector_start`
可计算	是

Details

温度值的向量。它对应于模型中每个热容量的温差。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 警示模型.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_cauer_vector_start`
可计算	是

Details

福斯特模型的每个元素的绝对温度值的向量。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 用Foster系数参数化的Cauer模型.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_foster_vector_start`
可计算	是

文学

[1] Gildenblat, G., et al."PSP MOSFET 模型简介"。Proc.Conf., Nanotech 2005.2005.

[2] Van Langevelde, R., A. J. Scholten, and D. B. M. M. Klaassen."MOS Model 11 的物理背景。1101 级"。Nat.Lab.Unclassified Report 2003/00239.2003 年 4 月。

[3] Oh, S-Y., D.E.Ward, and R. W. Dutton."MOS 晶体管的瞬态分析"。IEEE J. Solid State Circuits.SC-15，第 636-643 页，1980 年。