N-Channel MOSFET

基于表面电势方程的 n 沟道或 p 沟道 MOSFET 模型。

类型: AcausalElectricPowerSystems.Semiconductors.MOSFET

N-Channel MOSFET

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/N-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/P-Channel MOSFET

说明

N-Channel MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 模块根据表面电势方程对具有金属氧化物半导体（MOS）结构的 n 沟道或 p 沟道场效应晶体管进行建模。

该模块还能模拟热效应。

基于表面势能方程的模型

基于表面势能方程的模型考虑了以下效应：

完全非线性电容模型（包括非线性米勒电容）。
电荷守恒
载流子速度饱和与通道长度调制。
集成二极管
嵌入式二极管模型中的反向恢复。
温度对物理参数的影响
热效应建模选项的动态自热（模拟自热对器件电气特性的影响）。

该模型是标准 PSP 模型[1]的简化版，只包含其中的一部分，以便在模型的准确性和复杂性之间找到平衡。有关该模型所包含现象的物理假设的更多详情，请参阅 [2]。

下文给出了 n 沟道 MOSFET 的表面电势方程。p 沟道 MOSFET 的方程推导类似，但电荷和电流乘以"-1"。

该模型基于泊松方程：

其中

- 静电电位；
- 电子电荷；
- 底物中受体的浓度；
- 半导体材料（如硅）的介电常数；
- 本征费米级与硅块费米级之间的差异；
- 表面层相对于主体层的准费米势；
- 温度势；
- 玻尔兹曼常数；
- 温度

泊松方程用于推导表面势能方程：

其中

- 是施加的栅极-基底电压；
- 是平坦区的应力；
- 表面电势；
- 基底系数：
- 比表面电容

该程序块使用表面电势方程的显式近似值，以避免对该隐式方程进行数值求解。

一旦已知表面电势，漏极电流的确定方法如下

其中

- 是设备的宽度；
- 通道长度；
- 在弱场中的移动性；
- 速度饱和度
- 漏极与源极之间的表面电位差；
和 - 源极和漏极的反转电荷密度；
- 沿沟道的平均反转电荷密度；
- 迁移率降低系数。更多信息，请参阅*表面粗糙度散射系数*参数的说明；
- 沟道长度调制：

其中
- - 是信道长度的调制系数；
- - 漏极-基底电压；
- - 漏极-基底电压降至与速度饱和或截止（以先到者为准）相对应的最大值；
- - 通道长度调制电压。

该装置可直接根据表面电势计算反转电荷密度。

该单元还能根据表面电势计算非线性电容。源极和漏极电荷使用偏压相关的 Ward-Dutton 电荷分离方案分配，如文献 [3] 所述。这些电荷是明确计算出来的，因此在该模型中电荷是守恒的。电容电流是通过计算相应电荷的时间导数得出的。实际上，建模中的电荷与氧化物电容归一化，并以伏特为单位计算。

MOSFET 的增益确定如下：

源极-衬底结短路时的阈值电压大致按以下方式确定：

其中是强反转时的表面电势。

一般来说，三通道和四通道模型包括一个由表面电势公式定义的本征 MOSFET、一个集成二极管、串联电阻和固定结电容，如 n 通道 MOSFET 的原理图所示。

n channel mosfet 1

n channel mosfet 2

集成二极管建模

该模块模拟具有指数伏安特性 (VAC) 的集成二极管。

结电容和扩散电容的计算公式为

其中

- 是通过二极管的电流；
- 是反向饱和电流；
- 漏极-基底电压；
- 表意系数；
- 温度势能；
- 二极管结电容；
- 零偏压时的结电容；
- 集成二极管的电压；
- 二极管的扩散电容；
- 传输时间。

温度相关性建模

默认情况下不考虑温度相关性，设备在参数设置的温度下建模。要在模拟过程中考虑温度相关性，请将 *参数化*参数设置为 "模拟温度相关性"。

表面电势方程模型会考虑温度对电容特性的影响，并在仿真过程中模拟晶体管静态行为的温度依赖性。

参数 *测量温度 * 定义温度，在此温度下设置器件的某些参数。温度依赖性*部分的参数设置了建模温度和其余器件参数的温度依赖性系数。

热端口

设备默认隐藏了一个可选的热端口。要使用*H*热端口，请选择*启用热端口*复选框。

使用热敏端口可模拟产生的热量和设备温度的影响。

端口

非定向

# g — 百叶窗
电力

Details

与闸门相关的端口。

程序使用名称

gate

# d — 出水
电力

Details

与排水管道相关的端口。

程序使用名称

drain

# s — 来源
电力

Details

与源相关联的端口。

程序使用名称

source

# H — 热端口
加热

Details

加热端口。

依赖关系

要使用该端口，请选择 启用热端口 复选框。

程序使用名称

thermal_port

# b — 船体
电力

Details

与基板上的集成二极管有关的端口。

依赖关系

要使用该端口，请将*端子数*参数设置为 "4"。

程序使用名称

body

参数

主

# Transistor type — 晶体管类型
N-Channel | P-Channel

Details

晶体管型号类型：

n 沟道 MOSFET；
P 沟道"--p 沟道 MOSFET。

值	`N-Channel` \| `P-Channel`
默认值	`—`
程序使用名称	`type`
可计算	无

# Number of terminals — 触点参数化
Three | Four

Details

模块中触点的数量。

值	`Three` \| `Four`
默认值	`Three`
程序使用名称	`terminal_count`
可计算	无

# Gain — 放大
A/V^2

Details

MOSFET 的增益。该参数主要决定了特性 - 上的线性区域。

计量单位	`A/V^2`
默认值	`18.0 A/V^2`
程序使用名称	`reference_gain`
可计算	是

# Flatband voltage — 平面应力
V | MV | kV | mV

Details

平区电压定义了在硅表面实现平区状态所必须施加的栅极偏压。由于材料屈服性能和界面或氧化物上的俘获电荷存在差异，因此可以使用该参数任意改变阈值电压。不过，在实际应用中，通常建议首先使用*体因子*和*强反转时的表面电势*参数来改变阈值电压，然后再使用该参数进行微调。

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`-1.1 V`
程序使用名称	`V_flatband_reference`
可计算	是

# Body factor — 基底系数
V^(1/2) | MV^(1/2) | kV^(1/2) | mV^(1/2)

Details

表面电势方程中的衬底系数。该参数主要影响阈值电压。

计量单位	`V^(1/2)` \| `MV^(1/2)` \| `kV^(1/2)` \| `mV^(1/2)`
默认值	`3.5 V^(1/2)`
程序使用名称	`body_factor`
可计算	是

# Surface potential at strong inversion — 强反转时的表面电位
V | MV | kV | mV

Details

表面电势方程中的值。该参数也主要影响阈值电压。

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`reference_potential_at_strong_inversion`
可计算	是

# Velocity saturation factor — 速度饱和系数
1/V | 1/MV | 1/kV | 1/mV

Details

漏极电流方程中的值。当良好的线性拟合导致饱和电流过大时使用该参数。增大该参数值会导致饱和电流减小。对于高压器件，良好的线性模式匹配通常会导致饱和电流过低。在这种情况下，应增加增益和漏极欧姆电阻。

计量单位	`1/V` \| `1/MV` \| `1/kV` \| `1/mV`
默认值	`0.4 1/V`
程序使用名称	`reference_velocity_saturation_factor`
可计算	是

# Channel-length modulation factor — 信道长度调制因子

Details

系数，是等式中对数项的乘数。该参数描述了沟道长度调制的起始点。对于在饱和状态下表现出正传导的器件特性，应增加该参数的值以符合这种行为。默认值为 "0"，表示通道长度调制关闭。

默认值	`0.0`
程序使用名称	`modulation_factor`
可计算	是

# Channel-length modulation voltage — 通道长度调制电压
V | MV | kV | mV

Details

等式中的电压。该参数控制沟道长度调制开始生效时的漏极电压。

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`5e-2 V`
程序使用名称	`V_modulation`
可计算	是

# Surface roughness scattering factor — 表面粗糙度散射系数
1/V | 1/MV | 1/kV | 1/mV

Details

迁移率降低力。流动性等于，其中是在没有表面散射影响的弱电场中的流动性。迁移率降低系数定义为，其中是表面粗糙度散射系数，是与通道中电场强度的有效垂直分量相对应的电压。对于高垂直电场，电子迁移率与大致成正比。

计量单位	`1/V` \| `1/MV` \| `1/kV` \| `1/mV`
默认值	`0.0 1/V`
程序使用名称	`reference_surface_roughness_factor`
可计算	是

# Linear-to-saturation transition coefficient — 线性区域-饱和过渡系数

Details

该系数表示 MOSFET 特性从线性区到饱和过渡的平滑程度，尤其是在启用速度饱和的情况下。通常情况下，该参数可保持默认值，但也可用于微调特性曲率 - 。该参数的预期取值范围为 "2 "至 "8"。

默认值	`8.0`
程序使用名称	`linear_to_saturation_transition_coefficient`
可计算	是

Details

测量单位参数的温度。如果 * 设备模拟温度* 的值与此值不同，则将根据模拟温度和参考温度确定单位参数。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_reference`
可计算	是

欧姆电阻

# Source ohmic resistance — 晶体管源电阻
Ohm | GOhm | MOhm | kOhm | mOhm

Details

晶体管的源电阻，即与源引脚相关的串联电阻。该值必须大于或等于 "0"。

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`2e-3 Ohm`
程序使用名称	`R_s_reference`
可计算	是

# Drain ohmic resistance — 晶体管漏极电阻
Ohm | GOhm | MOhm | kOhm | mOhm

Details

晶体管的漏极电阻，即与漏极引脚相关的串联电阻。该值必须大于或等于 "0"。

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`0.17 Ohm`
程序使用名称	`R_d_reference`
可计算	是

# Gate ohmic resistance — 晶体管栅极电阻
Ohm | GOhm | MOhm | kOhm | mOhm

Details

晶体管的栅极电阻，即与栅极触点相关的串联电阻。该值必须大于或等于 "0"。

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`8.4 Ohm`
程序使用名称	`R_g_reference`
可计算	是

# Bulk ohmic resistance — 晶体管衬底电阻
Ohm | GOhm | MOhm | kOhm | mOhm

Details

晶体管衬底电阻，即与衬底触点相关的串联电阻。

依赖关系

要使用此参数，请将*端子数*参数设置为 "四"。

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`2e-3 Ohm`
程序使用名称	`R_b_reference`
可计算	是

通道电容

# Oxide capacitance — 氧化物容量
F | mF | nF | pF | uF

Details

栅极和沟道之间的电容。

计量单位	`F` \| `mF` \| `nF` \| `pF` \| `uF`
默认值	`1500.0 pF`
程序使用名称	`C_oxide`
可计算	是

# Gate-source overlap capacitance — 栅极至源极结电容
F | mF | nF | pF | uF

Details

与栅极-源极结点相关的固定线性电容。

计量单位	`F` \| `mF` \| `nF` \| `pF` \| `uF`
默认值	`100.0 pF`
程序使用名称	`C_gs_overlap`
可计算	是

# Gate-drain overlap capacitance — 栅漏电容
F | mF | nF | pF | uF

Details

与栅极到漏极结点相关的固定线性电容。

计量单位	`F` \| `mF` \| `nF` \| `pF` \| `uF`
默认值	`14.0 pF`
程序使用名称	`C_gd_overlap`
可计算	是

本体二极管

# Reverse saturation current — 反向饱和电流
A | MA | kA | mA | nA | pA | uA

Details

集成二极管公式中的电流。

将该参数设置为非零值，以模拟 MOSFET 电流在模拟期间改变符号的应用（如 MOSFET 驱动电感负载时）中流经集成二极管的电流。

对于 MOSFET 电流从不改变符号的应用，如在小信号放大器中，将此参数设置为 "0 "以提高仿真速度。

计量单位	`A` \| `MA` \| `kA` \| `mA` \| `nA` \| `pA` \| `uA`
默认值	`5.2e-13 A`
程序使用名称	`I_sat_reference`
可计算	是

# Built-in voltage — 集成二极管电压
V | MV | kV | mV

Details

嵌入式二极管电压在嵌入式二极管方程中。该电压只影响结电容方程。它不会影响传导电流。

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`0.6 V`
程序使用名称	`V_built_in`
可计算	是

# Ideality factor — 意识形态因素

Details

集成二极管计算公式中的表意系数。

默认值	`1.0`
程序使用名称	`ideality_factor`
可计算	是

# Zero-bias junction capacitance — 零偏置时的结电容
F | mF | nF | pF | uF

Details

零偏压时漏极和基底之间的电容，仅由集成二极管引起，。

计量单位	`F` \| `mF` \| `nF` \| `pF` \| `uF`
默认值	`480.0 pF`
程序使用名称	`C_j0`
可计算	是

# Transit time — 过境时间
d | s | hr | ms | ns | us | min

Details

集成二极管方程中的时间。

如果*反向饱和电流*和*转移时间*参数的值不为零，则该模块在嵌入式二极管模型中包含反向恢复。

计量单位	`d` \| `s` \| `hr` \| `ms` \| `ns` \| `us` \| `min`
默认值	`50e-9 s`
程序使用名称	`transit_time`
可计算	是

温度相关性

# Parameterization — 温度依赖性参数
None - Simulate at parameter measurement temperature | Model temperature dependence

Details

从以下方法中选择一种进行温度相关性参数化：

无—在参数测量温度下模拟`--不模拟温度相关性。这是默认方法。
模拟温度相关性` - 模拟温度相关性效应。指定设备建模温度值和其他块参数的温度相关系数。

值	`None - Simulate at parameter measurement temperature` \| `Model temperature dependence`
默认值	`None - Simulate at parameter measurement temperature`
程序使用名称	`enable_temperature_dependence`
可计算	无

# Gain temperature exponent — 增益系数随温度变化的程度

Details

假设 MOSFET 的增益与温度呈指数关系：其中是*增益*参数值，是*增益温度指数*参数值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模拟温度依赖性"。

默认值	`1.3`
程序使用名称	`gain_temperature_exponent`
可计算	是

# Flatband voltage temperature coefficient — 平面区应力随温度变化的系数
V/K

Details

假定平带电压与温度呈线性关系：其中为*平带电压*参数值，为*平带电压温度系数*参数值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模拟温度依赖性"。

计量单位	`V/K`
默认值	`5e-4 V/K`
程序使用名称	`flatband_voltage_temperature_coefficient`
可计算	是

# Surface potential at strong inversion temperature coefficient — 强反转时表面电势随温度变化的系数
V/K

Details

强反转时的表面势假设与温度成线性关系：其中为*强反演时的表面电位*值，为*强反演时的表面电位温度系数*值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

计量单位	`V/K`
默认值	`-0.00085 V/K`
程序使用名称	`potential_at_strong_inversion_temperature_coefficient`
可计算	是

# Velocity saturation temperature exponent — 速度饱和度随温度变化的程度

Details

速度饱和度假设与温度成指数关系：其中是 * 速度饱和系数 * 参数值，是 * 速度饱和温度指数 * 参数值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

默认值	`1.04`
程序使用名称	`velocity_saturation_temperature_exponent`
可计算	是

# Surface roughness scattering temperature exponent — 表面粗糙度散射系数随温度变化的程度指数

Details

该参数会导致 MOSFET 在高栅极电压下的电导率随温度而降低。

表面粗糙度散射系数假设与温度成指数关系：其中是*表面粗糙度散射系数*的值，是*表面粗糙度散射温度指数*的值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

默认值	`0.65`
程序使用名称	`surface_roughness_temperature_exponent`
可计算	是

# Resistance temperature exponent — 电阻的温度依赖性

Details

假设串联电阻与半导体电阻相对应。因此，它们随着温度的升高呈指数式下降：其中分别代表源极、漏极或栅极电阻的、或，是相应的*源极欧姆电阻*、*漏极欧姆电阻*或*栅极欧姆电阻*参数的值，是*电阻温度指数*参数的值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

默认值	`0.95`
程序使用名称	`resistance_temperature_exponent`
可计算	是

# Body diode reverse saturation current temperature exponent — 反向饱和电流的温度依赖程度

Details

集成二极管的反向饱和电流假定与本征载流子浓度的平方成正比：其中是随温度变化的有效态密度，是随温度变化的半导体材料带隙宽度。为了避免为温度相关性引入另一个参数，我们忽略了禁带宽度的温度相关性，所有类型的器件都采用了硅在 300 K 时的禁带宽度（1.12 eV）。因此，反向饱和电流的温度依赖性定义如下：

其中是*反向饱和电流*参数的值，是玻尔兹曼常数，是*体二极管反向饱和电流温度指数*参数的值。默认值为 "3"，因为硅的与大致成正比。可以通过调整的值来考虑禁带宽度的温度依赖性。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

默认值	`3.0`
程序使用名称	`reverse_saturation_current_temperature_exponent`
可计算	是

Details

，对其进行设备模拟。

依赖关系

要使用此参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_device`
可计算	是

热端口

# Enable thermal port — 开启加热口

Details

要启用热效应建模，请选中该选项的复选框。

默认值	`false (关掉)`
程序使用名称	`has_thermal_port`
可计算	无

# Thermal network — 选择内部热模型
Specify junction and case thermal parameters | Cauer model | Cauer model parameterized with Foster coefficients | External

Details

选择内部热模型：

指定结点和外壳热参数
考尔模型
用福斯特系数参数化的考尔模型"；
外部`.

值	`Specify junction and case thermal parameters` \| `Cauer model` \| `Cauer model parameterized with Foster coefficients` \| `External`
默认值	`Specify junction and case thermal parameters`
程序使用名称	`thermal_network_parameterization`
可计算	无

# Junction-case and case-ambient (or case-heatsink) thermal resistances, [R_JC R_CA] — 热阻向量
K/W

Details

矢量包含两个热阻值。第一个值 `R_JC 是结点与机箱之间的热阻。第二个值 R_CA 是 H 端口与设备外壳之间的热阻。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "指定结点和机箱热参数"。

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1 R2 ... Rn] — 考尔模型的热阻矢量
K/W

Details

热网络中考尔元件所代表的热阻向量值。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "考尔模型"。

计量单位	`K/W`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1 R2 ... Rn] — 福斯特模型的热阻矢量
K/W

Details

热网中福斯特模型系数所代表的热阻值矢量。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"。

计量单位	`K/W`
默认值	`[4.0, 6.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_foster_vector`
可计算	是

# Thermal mass parameterization — 热容量参数化
By thermal time constants | By thermal mass

Details

选择指定热容量的方法：

热时间常数"- 根据热时间常数设置热容量参数。默认使用该值。
按热量质量"- 以热容量值为参数。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "指定接合点和外壳热参数"、"考尔模型 "或 "用福斯特系数参数化的考尔模型"。

值	`By thermal time constants` \| `By thermal mass`
默认值	`By thermal time constants`
程序使用名称	`thermal_mass_parameterization`
可计算	无

# Junction and case thermal masses, [M_J M_C] — 考赫特模型的热容值矢量
J/K | kJ/K

Details

矢量 [M_J M_C] 包含两个热容量值。第一个值 M_J 是过渡层的热容量。第二个值 M_C 是外壳的热容量。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "指定连接点和壳体热参数"，并将*热质量参数化*参数设置为 "按热质量"。

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.0, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1 M2 ... Mn] — 考尔模型的热容值矢量
J/K | kJ/K

Details

热容量值矢量，其中是热网中考尔模型系数的个数。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网*参数设置为 "考尔模型"，*热质参数化*参数设置为 "按热质"。

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.1, 0.3, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1 M2 ... Mn] — 福斯特模型的热容量矢量
J/K | kJ/K

Details

热容量值矢量，其中是热网中 Foster 元素的数量。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"，*热质参数化*参数设置为 "按热质"。

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[1.5, 3.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_foster_vector`
可计算	是

# Junction and case thermal time constants, [t_J t_C] — 热时间常数矢量
d | s | hr | ms | ns | us | min

Details

由两个热时间常数值组成的矢量`[t_J t_C]。第一个值 `t_J 是过渡的热时间常数。第二个值 t_C 是物体的热时间常数。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "指定结点和壳体热参数"，并将*热质量参数化*参数设置为 "通过热时间常数"。

计量单位	`d` \| `s` \| `hr` \| `ms` \| `ns` \| `us` \| `min`
默认值	`[0.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1 t2 ... tn] — 考尔模型的热时间常数矢量
d | s | hr | ms | ns | us | min

Details

热时间常数的矢量，其中是热网络中考尔元素的数量。所有这些值都必须大于零。

热容量值的计算公式为，其中、和分别为 -th 考尔元件的热容量、热时间常数和热阻。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "考尔模型"，*热质量参数化*参数设置为 "通过热时间常数"。

计量单位	`d` \| `s` \| `hr` \| `ms` \| `ns` \| `us` \| `min`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1 t2 ... tn] — 福斯特模型的热时间常数矢量
d | s | hr | ms | ns | us | min

Details

热时间常数的矢量，其中是热网络中福斯特模型系数的数量。所有这些值都必须大于零。

热容值计算公式为，其中、和分别为 -th Cauer 单元的热容、热时间常数和热阻。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"，并将*热质量参数化*参数设置为 "通过热时间常数"。

计量单位	`d` \| `s` \| `hr` \| `ms` \| `ns` \| `us` \| `min`
默认值	`[6.0, 18.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_foster_vector`
可计算	是

Details

由两个温度值组成的向量 [T_J T_C]。第一个值 T_J 是初始过渡温度。第二个值 T_C 是初始情况温度。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "指定结点和外壳热参数"。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_vector_start`
可计算	是

Details

温度值向量。相当于模型中每个热容量的温度差。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网*参数设置为 "考尔模型"。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_cauer_vector_start`
可计算	是

Details

福斯特模型各元素绝对温度值的向量。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_foster_vector_start`
可计算	是

文学

[1] Gildenblat, G., et al."PSP MOSFET 模型简介"。Proc.Conf., Nanotech 2005.2005.

[2] Van Langevelde, R., A. J. Scholten, and D. B. M. M. Klaassen."MOS Model 11 的物理背景。1101 级"。Nat.Lab.Unclassified Report 2003/00239.2003 年 4 月。

[3] Oh, S-Y., D.E.Ward, and R. W. Dutton."MOS 晶体管的瞬态分析"。IEEE J. Solid State Circuits.SC-15，第 636-643 页，1980 年。