N-Channel MOSFET

基于表面电位方程的n沟道或p沟道MOSFET模型。

模块类型: AcausalElectricPowerSystems.Semiconductors.MOSFET

N-Channel MOSFET

库中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/N-Channel MOSFET

P-Channel MOSFET

库中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/P-Channel MOSFET

资料描述

街区 N-Channel MOSFET 及 P-Channel MOSFET 基于表面电位方程对具有金属氧化物半导体(MOSFET)结构的n沟道或p沟道场效应晶体管进行建模。

该模块还具有模拟热效应的能力。

基于表面电位方程的模型

基于表面电位方程的模型考虑了以下影响:

*全非线性容量模型（包括米勒的非线性容量）。

*节省费用。

*媒体速度和信道长度调制的饱和度。

*内置二极管。

*内置二极管模型中的反向恢复。

*温度对物理参数的影响。

*用于热效应建模选项的动态自加热（建模自加热对设备电气特性的影响）。

该模型是标准PSP模型的简化版本[1]，仅包括其中的一部分，以便在模型的准确性和复杂性之间找到平衡。有关此模型中包含的现象的物理先决条件的更多信息，请参阅[2]。

以下是n沟道MOSFET的表面电位方程。 P沟道MOSFET的方程类似地导出，但电荷和电流乘以 -1.

该模型基于泊松方程:

哪里

-静电势;
-电子电荷;
-底物中受体的浓度;
-半导体材料（例如硅）的介电常数;
-本体硅的本征费米能级与费米能级之间的差异;
是表面层相对于体的准费米势;
-温度电位;
-玻尔兹曼常数;
-温度。

泊松方程用于获得表面电位方程:

哪里

-施加的栅极-衬底电压;
-平区电压;
-表面电位;
-基板的系数:
-比表面容量。

该块使用表面电位方程的显式近似来避免对此隐式方程的数值解的需要。

一旦表面电位已知，漏极电流它的定义如下

哪里

-设备宽度;
-通道长度;
-弱领域的流动性;
-速度饱和;
-漏极和源极之间的表面电位差;
和 -分别在源极和漏极处的反转电荷的密度;
-沿沟道的反转电荷的平均密度;
-流动性的降低系数。有关详细信息，请参阅参数说明。 Surface roughness scattering factor ;
-信道长度调制:

哪里
- -信道长度的调制系数;
- -漏极-衬底电压;
- -漏极-衬底电压，调整到最大值对应于饱和的速度或截止（以先到者为准）;
- -通道长度调制电压。

单元直接从表面电位计算反转电荷密度。

该单元还计算表面电位的非线性电容。源和汇电荷的贡献是使用Ward-Dutton电荷分离方案分配的，该方案取决于位移，如[3]中所述。这些费用是明确计算的，因此在这个模型中费用是守恒的。电容电流是通过取相应电荷的时间导数来计算的. 在实践中，模拟中的电荷被归一化为氧化物容量，并以伏特计算。

MOSFET增益它的定义如下:

源-衬底短路连接的阈值电压近似确定如下:

哪里 -具有强反转的表面电位。

一般来说，三通道和四通道模型由它们自己的MOSFET组成，由表面电位公式、集成二极管、串联电阻和固定结电容定义，如n通道MOSFET的图所示。

n channel mosfet 1

n channel mosfet 2

内置二极管的仿真

该器件模拟具有指数伏安特性(VAC)的集成二极管。

结容量和扩散容量计算为:

哪里

-通过二极管的电流;
-反向饱和电流;
-漏极-衬底电压;
-完美系数;
-温度电位;
-二极管结容量;
-零偏移时的过渡容量;
-内置二极管的电压;
-二极管的扩散能力;
-通过时间。

温度依赖性建模

默认情况下，忽略温度依赖性，并在设置参数的温度下对设备进行建模。要考虑仿真过程中的温度依赖性，请设置参数 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

基于表面电位方程的模型考虑了温度对电容特性的影响，并在仿真过程中模拟了晶体管的静态行为对温度的依赖性。

参数 Measurement temperature 检测温度，其中设置了一些设备参数。部分中的参数 Temperature Dependence 设置模拟温度和用于所述装置的剩余参数的温度依赖性的系数。

热端口

该装置有一个额外的热端口,默认情况下隐藏. 要使用热端口*H*，请选中该框 Enable thermal port .

使用热端口模拟产生的热量和器件温度的影响。

变量

使用参数组 Initial Targets 在建模之前为块参数变量设置优先级和初始目标值。有关详细信息，请参阅使用目标值配置物理块.

港口

非定向

# g — 快门
电力

Details

门相连的端口。

程序使用名称

gate

# d — 库存
电力

Details

漏极相关联的端口。

程序使用名称

drain

# s — 来源
电力

Details

源相关联的端口。

程序使用名称

source

# H — 热端口
温暖

Details

的导热口。

依赖关系

要使用此端口，请选中此框 Enable thermal port .

程序使用名称

thermal_port

# b — 身体
电力

Details

与基板上的内置二极管连接的端口。

依赖关系

要使用此端口，请设置参数 Number of terminals 价值 Four.

程序使用名称

body

参数

Main

# Transistor type — 晶体管类型
N-Channel | P-Channel

Details

晶体管型号:

N-Channel -n沟道MOSFET;
P-Channel -p沟道MOSFET。

值	`N-Channel` \| `P-Channel`
默认值	`—`
程序使用名称	`type`
可计算	无

# Number of terminals — 联系人参数化
Three | Four

Details

块中的触点的数量。

值	`Three` \| `Four`
默认值	`Three`
程序使用名称	`terminal_count`
可计算	无

# Gain — 增益
A/V^2

Details

MOSFET增益 . 此参数主要确定特性上的线性区域 - .

计量单位	`A/V^2`
默认值	`18.0 A/V^2`
程序使用名称	`reference_gain`
可计算	是

# Flatband voltage — 平区电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

平区电压确定为在硅表面上实现平坦区状态而必须施加的栅极偏移。您可以使用此参数来任意偏移阈值电压，因为材料的输出差异，以及界面或氧化物处的捕获电荷。然而，在实践中，通常建议首先使用参数改变阈值电压 Body factor 及 Surface potential at strong inversion ，并仅将此参数用于微调。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`-1.1 V`
程序使用名称	`V_flatband_reference`
可计算	是

# Body factor — 基材比
V^(1/2) | MV^(1/2) | kV^(1/2) | mV^(1/2)

Details

底物因子面电位的方程中。该参数主要影响阈值电压。

计量单位	`V^(1/2)` \| `MV^(1/2)` \| `kV^(1/2)` \| `mV^(1/2)`
默认值	`3.5 V^(1/2)`
程序使用名称	`body_factor`
可计算	是

# Surface potential at strong inversion — 具有强反演的表面电位
V | uV | mV | kV | MV

Details

价值面电位的方程中。该参数也主要影响阈值电压。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`reference_potential_at_strong_inversion`
可计算	是

# Velocity saturation factor — 率饱和系数
1/V | 1/MV | 1/kV | 1/mV

Details

价值漏极电流方程中。如果符合线性模式会导致饱和电流过大，请使用此参数。增加该参数的值导致饱和电流的减小。对于高压器件，经常发生的情况是，良好的线性模式顺应性导致饱和电流过低。在这种情况下，应该增加漏极的增益和欧姆电阻。

计量单位	`1/V` \| `1/MV` \| `1/kV` \| `1/mV`
默认值	`0.4 1/V`
程序使用名称	`reference_velocity_saturation_factor`
可计算	是

# Channel-length modulation factor — 信道长度调制系数

Details

比率，它是方程中对数项的乘数。 . 该参数描述了信道长度调制的开始。对于表现出正饱和电导率的器件的特性，增加参数值以匹配该行为。默认值为 0，这意味着信道长度调制被禁用。

默认值	`0.0`
程序使用名称	`modulation_factor`
可计算	是

# Channel-length modulation voltage — 通道长度调制电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

电压；电压在方程为 . 该参数控制沟道长度调制开始工作的漏极电压。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`5e-2 V`
程序使用名称	`V_modulation`
可计算	是

# Surface roughness scattering factor — 表面粗糙度的散射系数
1/V | 1/MV | 1/kV | 1/mV

Details

移动性降低的功率。移动性等于，在哪里 -在不受表面散射影响的弱场中的迁移率。流动性降低系数定义为，在哪里 -表面粗糙度的散射系数，以及是对应于沟道中电场强度的有效垂直分量的电压 . 对于高垂直电场，电子迁移率大约与 .

计量单位	`1/V` \| `1/MV` \| `1/kV` \| `1/mV`
默认值	`0.0 1/V`
程序使用名称	`reference_surface_roughness_factor`
可计算	是

# Linear-to-saturation transition coefficient — 线性区域-饱和过渡系数

Details

该系数表征MOSFET特性从线性区域到饱和的平滑过渡，特别是在启用速度饱和时。此参数通常可以保留在默认值，但您可以使用它来微调弯曲特性。 - . 此参数的预期值范围为 2 以前 8.

默认值	`8.0`
程序使用名称	`linear_to_saturation_transition_coefficient`
可计算	是

Details

温度，在其上测量块参数。如果参数值为 *Device simulation temperature 如果与该值不同，则根据仿真温度和参考温度确定器件参数。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_reference`
可计算	是

Ohm

# Source ohmic resistance — 晶体管源极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的源极电阻，即与源极接触相关的串联电阻。该值必须大于或等于 0.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`2e-3 Ohm`
程序使用名称	`R_s_reference`
可计算	是

# Drain ohmic resistance — 晶体管漏极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的漏极电阻，即与漏极接触相关的串联电阻。该值必须大于或等于 0.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.17 Ohm`
程序使用名称	`R_d_reference`
可计算	是

# Gate ohmic resistance — 晶体管栅极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的栅极电阻，即与栅极接触相关的串联电阻。该值必须大于或等于 0.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`8.4 Ohm`
程序使用名称	`R_g_reference`
可计算	是

# Bulk ohmic resistance — 晶体管基板的电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管衬底的电阻，即与衬底接触相关的串联电阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Number of terminals 价值 Four.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`2e-3 Ohm`
程序使用名称	`R_b_reference`
可计算	是

通道电容

# Oxide capacitance — 氧化物容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

栅极和沟道之间的容量。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`1500.0 pF`
程序使用名称	`C_oxide`
可计算	是

# Gate-source overlap capacitance — 栅源结容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

定与栅极-源极结相关联的线性电容。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`100.0 pF`
程序使用名称	`C_gs_overlap`
可计算	是

# Gate-drain overlap capacitance — 栅极-漏极结容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

定与栅极-漏极结相关联的线性容量。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`14.0 pF`
程序使用名称	`C_gd_overlap`
可计算	是

体二极管

# Reverse saturation current — 反向饱和电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

电流内置二极管的方程中。

将此参数设置为非零值，以模拟电流通过内置二极管，适用于模拟期间MOSFET电流变化很大的应用，例如，当MOSFET驱动电感负载时。

对于MOSFET电流从不改变符号的应用，例如在小信号放大器中，将此参数设置为 0 以提高仿真速度。

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`5.2e-13 A`
程序使用名称	`I_sat_reference`
可计算	是

# Built-in voltage — 内置二极管的电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

内置二极管的电压内置二极管的方程中。该电压仅影响结电容方程。不影响导通电流。

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`0.6 V`
程序使用名称	`V_built_in`
可计算	是

# Ideality factor — 完美系数

Details

完美系数内置二极管的方程中。

默认值	`1.0`
程序使用名称	`ideality_factor`
可计算	是

# Zero-bias junction capacitance — 零偏移时的过渡容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

漏极和衬底之间的电容在零偏置，仅由于内置二极管, 内置二极管的方程中。

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`480.0 pF`
程序使用名称	`C_j0`
可计算	是

# Transit time — 过境时间
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

时间内置二极管的方程中。

如果参数值为 Reverse saturation current 及 *Transit time 如果它们非零，则该单元能够反向恢复到内置二极管模型。

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`50e-9 s`
程序使用名称	`transit_time`
可计算	是

温度特性

# Parameterization — 温度依赖性参数化
None - Simulate at parameter measurement temperature | Model temperature dependence

Details

选择以下方法之一来参数化温度依赖性:

None - Simulate at parameter measurement temperature -温度依赖性未建模。这是默认方法。
Model temperature dependence -模拟依赖温度的影响。指定设备仿真的温度值和其他块参数的温度依赖性系数。

值	`None - Simulate at parameter measurement temperature` \| `Model temperature dependence`
默认值	`None - Simulate at parameter measurement temperature`
程序使用名称	`enable_temperature_dependence`
可计算	无

# Gain temperature exponent — 增益系数的温度依赖程度的指标

Details

假设MOSFET的增益指数取决于温度: ，在哪里 —这是参数值 Gain ，和 -参数值 Gain temperature exponent .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

默认值	`1.3`
程序使用名称	`gain_temperature_exponent`
可计算	是

# Flatband voltage temperature coefficient — 平坦区电压的温度依赖性系数
V/K

Details

假设平坦区的电压线性依赖于温度: ，在哪里 —这是参数值 Flatband voltage ，和 —这是参数值 Flatband voltage temperature coefficient .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

计量单位	`V/K`
默认值	`5e-4 V/K`
程序使用名称	`flatband_voltage_temperature_coefficient`
可计算	是

# Surface potential at strong inversion temperature coefficient — 强反演下表面电位的温度依赖系数
V/K

Details

假设强反演下的表面电位线性依赖于温度: ，在哪里 —这是参数值 Surface potential at strong inversion ，和 —这是参数值 Surface potential at strong inversion temperature coefficient .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

计量单位	`V/K`
默认值	`-0.00085 V/K`
程序使用名称	`potential_at_strong_inversion_temperature_coefficient`
可计算	是

# Velocity saturation temperature exponent — 饱和速度的温度依赖程度的指标

Details

假设速度的饱和度指数取决于温度: ，在哪里 —这是参数值 Velocity saturation factor ，和 -参数值 Velocity saturation temperature exponent .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

默认值	`1.04`
程序使用名称	`velocity_saturation_temperature_exponent`
可计算	是

# Surface roughness scattering temperature exponent — 表面粗糙度的散射系数的温度依赖程度的指标

Details

该参数导致MOSFET在高栅极电压下的电导率随温度而降低。

假设表面粗糙度的散射系数指数取决于温度: ，在哪里 —这是参数值 Surface roughness scattering factor ，和 -参数值 Surface roughness scattering temperature exponent .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

默认值	`0.65`
程序使用名称	`surface_roughness_temperature_exponent`
可计算	是

# Resistance temperature exponent — 电阻的温度依赖程度的指标

Details

假定串联电阻对应于半导体电阻。因此，它们随着温度的升高呈指数下降。: ，在哪里 -这是 , 或分别为源极、漏极或栅极的电阻, —这是相应参数的值 Source ohmic resistance , Drain ohmic resistance 或 Gate ohmic resistance ，和 -参数值 Resistance temperature exponent .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

默认值	`0.95`
程序使用名称	`resistance_temperature_exponent`
可计算	是

# Body diode reverse saturation current temperature exponent — 反向饱和电流的温度依赖程度的指标

Details

假设内置二极管的反向饱和电流与其自身载流子浓度的平方成正比。: ，在哪里是状态的依赖于温度的有效密度，并且是半导体材料的温度相关带隙。为了不引入温度依赖性的另一个参数，该块忽略了带隙宽度的温度依赖性，并将300K(1.12eV)处的硅带隙用于所有类型的器件。因此，反向饱和电流的温度依赖性如下确定:

哪里 -参数值 Reverse saturation current , -玻尔兹曼常数, -参数值 Body diode reverse saturation current temperature exponent . 默认值为 3 因为对于硅，大约按比例 . 能够通过调整值来考虑带隙宽度的温度依赖性 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

默认值	`3.0`
程序使用名称	`reverse_saturation_current_temperature_exponent`
可计算	是

Details

温度，对其设备正在建模。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Model temperature dependence.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_device`
可计算	是

热端口

# Enable thermal port — 打开热端口

Details

要启用热效应建模，请选中此选项的复选框。

默认值	`false (关掉)`
程序使用名称	`has_thermal_port`
可计算	无

# Thermal network — 选择内部热模型
Specify junction and case thermal parameters | Cauer model | Cauer model parameterized with Foster coefficients | External

Details

选择内部热模型:

Specify junction and case thermal parameters;
Cauer model;
Cauer model parameterized with Foster coefficients;
External.

值	`Specify junction and case thermal parameters` \| `Cauer model` \| `Cauer model parameterized with Foster coefficients` \| `External`
默认值	`Specify junction and case thermal parameters`
程序使用名称	`thermal_network_parameterization`
可计算	无

# Junction-case and case-ambient (or case-heatsink) thermal resistances, [R_JC, R_CA] — 热阻矢量
K/W

Details

向量资料 [R_JC,R_CA] 热阻的两个值中。第一个值 R_JC -这是结和外壳之间的热阻。第二个值, R_CA —这是*H*端口和设备主体之间的热阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Specify junction and case thermal parameters.

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1, R2, ..., Rn] — 考尔模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从由加热网络中的Kauer元件表示的热阻值。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model.

计量单位	`K/W`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1, R2, ..., Rn] — 福斯特模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从热阻值由Foster模型在加热网络中的系数表示。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

计量单位	`K/W`
默认值	`[4.0, 6.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_foster_vector`
可计算	是

# Thermal mass parameterization — 热容量参数化
By thermal time constants | By thermal mass

Details

选择设置热容量的方法:

By thermal time constants -热时间常数方面的热容量的参数化。默认情况下使用此值。
By thermal mass -设置热容值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Specify junction and case thermal parameters, Cauer model 或 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

值	`By thermal time constants` \| `By thermal mass`
默认值	`By thermal time constants`
程序使用名称	`thermal_mass_parameterization`
可计算	无

# Junction and case thermal masses, [M_J, M_C] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

向量资料 [M_J，M_C] 热容量的两个值中。第一个值 M_J —这是过渡的热容量。第二个值, M_C —这是表壳的热容量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Specify junction and case thermal parameters，而对于参数 Thermal mass parameterization 价值 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.0, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1, M2, ..., Mn] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中这是热网中Kauer模型的系数数。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model，而对于参数 Thermal mass parameterization 价值 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.1, 0.3, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1, M2, ..., Mn] — 福斯特模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中这是加热网络中福斯特元件的数量。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model parameterized with Foster coefficients，而对于参数 Thermal mass parameterization 价值 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[1.5, 3.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_foster_vector`
可计算	是

# Junction and case thermal time constants, [t_J, t_C] — 热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

向量资料 [t_J，t_C] 热时间常数的两个值中。第一个值 t_J -这是过渡时间的热常数。第二个值, t_C -这是船体的热时间常数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Specify junction and case thermal parameters，而对于参数 Thermal mass parameterization 价值 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[0.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1, t2, ..., tn] — 考尔模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中这是加热网络中Kauer元件的数量。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model，而对于参数 Thermal mass parameterization 价值 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1, t2, ..., tn] — 福斯特模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中这是加热网络中福斯特模型的系数数。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model parameterized with Foster coefficients，而对于参数 Thermal mass parameterization 价值 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[6.0, 18.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_foster_vector`
可计算	是

Details

向量资料 [T_J，T_C] 的两个温度值中。第一个值 T_J -这是转变的初始温度。第二个值, T_C —这是案件的初始温度。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Specify junction and case thermal parameters.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_vector_start`
可计算	是

Details

温度值的向量。它对应于模型中每个热容量的温差。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_cauer_vector_start`
可计算	是

Details

福斯特模型的每个元素的绝对温度值的向量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 价值 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_foster_vector_start`
可计算	是

文学作品

[1] Gildenblat，G.，et al。 "PSP MOSFET型号简介。"Proc. MSM2005Int。 Conf。，Nanotech2005。 2005.

[2] Van Langevelde，R.，A.J.Scholten和D.B.M.Klaassen。 "MOS模型11的物理背景。等级1101。"纳特。实验室。 2003/00239号未分类报告。 2003年4月。

[3] 哦，S-Y，D.E.沃德和R.W.达顿。 "MOS晶体管的瞬态分析。"IEEE J.Solid State Circuits。 SC-15，第636-643页，1980年。