Three-Level Converter (Three-Phase)

中性点锁定的受控三相三电平变换器。

类型: AcausalElectricPowerSystems.Converters.ThreePhaseThreeLevel

图书馆中的路径:

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资料描述

座 Three-Level Converter (Three-Phase) 它模拟了具有中性点锁定的十二脉冲三相三电平转换器。该单元设计用于将三相交流网络连接到三电平直流电网。

模型

该模块由三个桥臂组成，每个桥臂由四个开关器件和相应的反并联二极管组成。开关设备的可能类型:

GTO -可锁定晶闸管。有关设备伏安特性的信息，请参阅设备的描述。 GTO.
Ideal Semiconductor Switch -完美的半导体控制开关。有关设备伏安特性的信息，请参阅设备的描述。 Ideal Semiconductor Switch.
IGBT -具有隔离栅极的双极晶体管。有关设备伏安特性的信息，请参阅设备的描述。 IGBT (Ideal, Switching).
MOSFET -用于开关电路的N沟道MOSFET。有关设备伏安特性的信息，请参阅设备的描述。 MOSFET (Ideal, Switching).
Averaged Switch -具有反平行二极管的平均半导体开关。控制信号端口*G*取范围内的值 [0, 1]. 当*G*等于 0 或 1，平均开关分别为全开或全闭。开关的行为类似于块 Ideal Semiconductor Switch 用反平行二极管。当*G*在 0 以前 1，平均开关部分开路。可以在特定周期内平均脉宽调制(PWM)信号。然后，您可以减少模型的采样，并使用调制波形而不是PWM信号。

三路电路中的每个元件代表相同的开关器件，其在参数中设置 Switching device . 可以设置的交换设备是来自库的块的实现。 Semiconductors & Converters.

图中示出了使用块作为开关器件的块的等效电路。 Ideal Semiconductor Switch.

three level converter three phase

通过输入到单元的*G*端口控制12个开关器件的栅极端口 Three-Level Converter (Three-Phase) .

使用块将所有12个门信号复用到单个向量中 Twelve-Pulse Gate Multiplexer.
连接单元的输出 Twelve-Pulse Gate Multiplexer 到街区 Three-Level Converter (Three-Phase) 通过*G*端口。

使用设置 Diodes ，能够为每个开关器件导通一个内部保护二极管。内置二极管通过提供反向电流的导通通道来保护器件，当器件突然关闭对感性负载的电压供应时，会发生突然的浪涌。

设置参数的值 Integral protection diode 取决于目标。

目标选择的价值内部保护二极管

目标	选择的价值	内部保护二极管
仿真速度的优先级	`Diode with no dynamics`	座 Diode
建模精度的优先级是准确地指示反向模式下的电荷动力学。	`Diode with charge dynamics`	动态块模型 Diode

仿真速度的优先级

Diode with no dynamics

座 Diode

建模精度的优先级是准确地指示反向模式下的电荷动力学。

Diode with charge dynamics

动态块模型 Diode

在参数组中 Snubbers 可以为每个开关装置包括缓冲器(damper)电路。缓冲电路包含串联连接的电阻器和电容器。它们保护开关器件免受电感负载在器件关闭负载电源时产生的高电压影响。此外，缓冲电路可防止在开关器件上切换时出现过大的电流变化率。

平均开关中的分段常数近似

如果为参数设置 Switching device 意义 Averaged Switch 并使用分区求解器block来创建模型。 Three-Level Converter (Three-Phase) 创建非线性分裂，因为平均模式的方程包括模式，它们是输入信号*G*的函数。要激活分段常数近似，请设置参数 Integer for piecewise constant approximation of gate input (0 for disabled) 大于的值 0. 然后这个块将考虑模式作为具有固定范围的分段常数整数。这将以前的非线性分区转换为线性的、随时间变化的分区。

范围内的整数值 [0，K]，在哪里 -参数值 Integer for piecewise constant approximation of gate input (0 for disabled) ，现在与范围内的真实值的每个模式相关联 [0, 1]. 块通过将初始模式除以将其归一化回范围 [0, 1]:

港口

非定向

# G — 快门
电力

Details

开关器件的栅极端子连接的输入端口。将此端口连接到单元 Twelve-Pulse Gate Multiplexer.

程序使用名称

gate_port

# + — 正端子
电力

Details

正直流端连接的端口。

程序使用名称

p

# 0 — 中性终端
电力

Details

与中性点直流端子连接的端口。

程序使用名称

neutral_pin

# – — 负端子
电力

Details

负极直流端连接的端口。

程序使用名称

n

# ~ — 三相端口
电力

Details

复合三相端口。

程序使用名称

port

参数

Switching Devices

# Switching device — 开关装置
GTO | Ideal Semiconductor Switch | IGBT | MOSFET | Averaged Switch

Details

变换器开关装置:

GTO;
Ideal Semiconductor Switch;
IGBT;
MOSFET;
Averaged Switch.

依赖关系

根据特定开关设备的选择，几个附加参数将变得可见。

值	`GTO` \| `Ideal Semiconductor Switch` \| `IGBT` \| `MOSFET` \| `Averaged Switch`
默认值	`Ideal Semiconductor Switch`
程序使用名称	`device_type`
可计算	无

# On-state resistance — 导通状态下的电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

端口之间的电阻*+和-*（阴极-阳极为 GTO, Ideal Semiconductor Switch 和 Averaged Switch，或发射极集电极用于 IGBT 设备开启时）。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 GTO, Ideal Semiconductor Switch, IGBT 或 Averaged Switch.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_on`
可计算	是

# Off-state conductance — 关状态下的导电性
S | nS | uS | mS | 1/Ohm

Details

端口之间的电导率*+和-（阴极-阳极为 GTO, Ideal Semiconductor Switch，发射极集电极为 IGBT，或用于 MOSFET 器关闭时）。值应小于，在哪里 -参数值 *On-state resistance .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 GTO, Ideal Semiconductor Switch, IGBT 或 MOSFET.

计量单位	`S` \| `nS` \| `uS` \| `mS` \| `1/Ohm`
默认值	`1.0e-6 1/Ohm`
程序使用名称	`G_off`
可计算	是

# Threshold voltage, Vth — 阈值电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

端口之间的阈值电压*G*（栅极）和**（阴极为 `{blockLibraryPP_blockTypesPP_AcausalElectricPowerSystemsBB_PP_ConvertersBB_PP_ThreePhaseThreeLevelPP_BasePP_paramsPP_PP_SwitchingSS_DevicesPP_device_typePP_optionsPP_IdealSS_SemiconductorSS_Switch}`，发射体为 `{blockLibraryPP_blockTypesPP_AcausalElectricPowerSystemsBB_PP_ConvertersBB_PP_ThreePhaseThreeLevelPP_BasePP_paramsPP_PP_SwitchingSS_DevicesPP_device_typePP_optionsPP_IGBT}`，或来源 `{blockLibraryPP_blockTypesPP_AcausalElectricPowerSystemsBB_PP_ConvertersBB_PP_ThreePhaseThreeLevelPP_BasePP_paramsPP_PP_SwitchingSS_DevicesPP_device_typePP_optionsPP_MOSFET}`). 当*G*和**块的端口之间的电压超过此值时，设备打开。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 Ideal Semiconductor Switch, IGBT 或 MOSFET.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`6.0 V`
程序使用名称	`V_threshold`
可计算	是

# Forward voltage, Vf — 正向电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

阳极-阴极端口所需的最小电压（用于 GTO）或集电极-发射极（用于 IGBT)，使得器件的伏安特性的梯度等于，在哪里 -参数值 On-state resistance .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 GTO 或 IGBT.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`0.8 V`
程序使用名称	`V_f`
可计算	是

# Gate trigger voltage, Vgt — 快门释放电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

的栅极-阴极阈值电压。当栅极-阴极电压超过此值时，器件导通。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 GTO.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`V_GT`
可计算	是

# Gate turn-off voltage, Vgt_off — 快门释放电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

的栅极-阴极阈值电压。当栅极-阴极电压低于此值时，器件关闭。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 GTO.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`-1.0 V`
程序使用名称	`V_GT_off`
可计算	是

# Holding current — 保持电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

的当前阈值。当电流超过此值时，即使栅极-阴极电压降至栅极释放电压以下，器件仍保持导通状态。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 GTO.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`1.0 A`
程序使用名称	`I_H`
可计算	是

# Drain-source on resistance, R_DS(on) — 漏源电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

器件导通时的漏源电阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 MOSFET.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_ds`
可计算	是

# Integer for piecewise constant approximation of gate input (0 for disabled) — 分段常数近似

Details

用于对栅极输入数据执行分段常数近似的整数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Switching device 意义 Averaged Switch.

默认值	`0`
程序使用名称	`K`
可计算	是

Diodes

# Integral protection diode — 内部保护二极管
Diode with no dynamics | Diode with charge dynamics

Details

每个开关器件的内部保护二极管。

如果有必要打开内部保护二极管，那么有两种可能的选择:

Diode with no dynamics;
Diode with charge dynamics.

如果为参数 Switching device 值设置 Averaged Switch 在设置中 Switching Devices ，则不显示此参数和值 Diode with no dynamics 它是自动选择的。

值	`Diode with no dynamics` \| `Diode with charge dynamics`
默认值	`Diode with no dynamics`
程序使用名称	`protection_diode_parameterization`
可计算	无

# Forward voltage — 正向电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

端口*+和−处所需的最小电压，以便二极管的伏安特性的梯度等于，在哪里 -参数值 *On resistance .

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`0.8 V`
程序使用名称	`V_f_diode`
可计算	是

# On resistance — 接通时的电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

取决于电流的电压变化率更高 Forward voltage .

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_on_diode`
可计算	是

# Off conductance — 关机时的电导率
S | nS | uS | mS | 1/Ohm

Details

二极管的导电性反转。

计量单位	`S` \| `nS` \| `uS` \| `mS` \| `1/Ohm`
默认值	`1.0e-5 1/Ohm`
程序使用名称	`G_off_diode`
可计算	是

# Junction capacitance — 转移能力
F | pF | nF | uF | mF

Details

二极管结的电容。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`50.0 nF`
程序使用名称	`C_diode`
可计算	是

# Peak reverse current, iRM — 峰值反向电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

外部测试电路测得的返回电流峰值。此值必须小于零。默认值为 -235一个.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`-235.0 A`
程序使用名称	`i_rm_diode`
可计算	是

# Initial forward current when measuring iRM — iRM测量期间的初始正向电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

测量峰值反向电流时的初始正向电流。此值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`300.0 A`
程序使用名称	`i_f_diode`
可计算	是

# Rate of change of current when measuring iRM — iRM测量期间电流的变化率
A/s | A/us

Details

测量峰值反向电流时的电流的变化率。此值必须小于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics.

计量单位	`A/s` \| `A/us`
默认值	`-50.0 A/us`
程序使用名称	`diode_current_change_rate`
可计算	是

# Reverse recovery time parameterization — 反向恢复时间的参数化
Specify stretch factor | Specify reverse recovery time directly | Specify reverse recovery charge

Details

定义如何在块中设置反向恢复时间。默认值 — Specify reverse recovery time directly.

如果选择值 Specify stretch factor 或 Specify reverse recovery charge 您可以指定块用于计算反向恢复时间的值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics.

值	`Specify stretch factor` \| `Specify reverse recovery time directly` \| `Specify reverse recovery charge`
默认值	`Specify stretch factor`
程序使用名称	`t_rr_diode_parameterization`
可计算	无

# Reverse recovery time stretch factor — 反向恢复时间的拉伸系数

Details

块用于计算参数的值 Reverse recovery time, trr . 这个值应该更高。 1. 与指定反向恢复电荷相比，指定拉伸系数是参数化反向恢复时间的更简单方法。拉伸系数的值越高，反向恢复电流耗散的时间越长。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics，而对于参数 Reverse recovery time parameterization 意义 Specify stretch factor.

默认值	`3.0`
程序使用名称	`t_rr_factor_diode`
可计算	是

# Reverse recovery time, trr — 反向恢复时间
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

电流最初下降到零（二极管关断时）的瞬间与电流下降到小于一个值的瞬间之间的间隔 10 峰值返回电流的%。参数值 Reverse recovery time, trr 必须有超过参数值。 Peak reverse current, iRM ，除以参数值 Rate of change of current when measuring iRM .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics，而对于参数 Reverse recovery time parameterization 意义 Specify reverse recovery time directly.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`15.0 us`
程序使用名称	`t_rr_diode`
可计算	是

# Reverse recovery charge, Qrr — 反向恢复费用
C | nC | uC | mC | nA*s | uA*s | mA*s | A*s | mA*hr | A*hr | kA*hr | MA*hr

Details

块用于计算参数的值 Reverse recovery time, trr . 如果二极管器件的技术说明中指定了反向恢复电荷值而不是反向恢复时间值，请使用此参数。

反向恢复电荷是二极管关断时持续耗散的总电荷。值必须小于，在哪里

-参数值 Peak reverse current, iRM ;
-参数值 Rate of change of current when measuring iRM .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Integral protection diode 意义 Diode with charge dynamics，而对于参数 Reverse recovery time parameterization 意义 Specify reverse recovery charge.

计量单位	`C` \| `nC` \| `uC` \| `mC` \| `nAs` \| `uAs` \| `mAs` \| `As` \| `mAhr` \| `Ahr` \| `kAhr` \| `MAhr`
默认值	`1500.0 uA*s`
程序使用名称	`Q_rr_diode`
可计算	是

Snubbers

# Snubber — 激活阻尼器

Details

在开关装置上增加一个阻尼器.

默认值	`false (关掉)`
程序使用名称	`snubber_option`
可计算	无

# Snubber capacitance — 阻尼器容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

阻尼器的容量。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Snubber .

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`1.0e-7 F`
程序使用名称	`C_s`
可计算	是

# Snubber resistance — 阻尼器阻力
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

阻尼器的阻力。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Snubber .

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.1 Ohm`
程序使用名称	`R_s`
可计算	是