Photodiode

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入射光的输入端口的光电二极管。

类型: AcausalElectricPowerSystems.Sensors.Photodiode

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Sensors & Transducers/Photodiode

资料描述

座 Photodiode 它是受控电流源和指数二极管并联形式的光电二极管。受控电流源产生电流，其与光通量的密度成正比:

哪里

-产生的电流与入射光通量的密度之比;
- 如果为参数 Sensitivity parameterization 值设置 Specify measured current for given flux density，然后块计算这个变量作为参数的比率 Measured current 到参数 Flux density .
- 如果为参数 Sensitivity parameterization 值设置 Specify current per unit flux density，那么这个变量由参数的值决定 Device sensitivity .
-入射光通量的密度。

要模拟动态响应时间，请使用参数 Parameterization 以在模型中包括二极管结电容。

指数二极管模型提供了二极管电流之间的以下关系和二极管电压 :

哪里

-电子的基本电荷（1.602176e-19 类）;
-玻尔兹曼常数（1.3806503e-23 J/K);
-排放系数;
-饱和电流，对应于参数的值 Dark current ;
-设置二极管的参数的温度对应于参数的值 Measurement temperature .

何时，块替换上，其对应于二极管电流的梯度在并且是线性外推的。

何时，块替换上，其也对应于梯度并且线性外推。典型的电路不能达到这么大的值. 座 Photodiode 提供此线性外推，以在仿真期间求解约束时帮助收敛。

如果为参数设置 Diode parameterization 意义 Use dark current and N，然后使用参数设置二极管的特性 Dark current 和 Emission coefficient, N .

如果为参数设置 Diode parameterization 意义 Use dark current plus a forward bias I-V data point，那么你需要设置参数 Dark current 以及电压和电流对二极管伏安特性的测量点。块计算从这些值如下:

哪里

-对应于*正向电压VF参数的值*;
;
-对应于参数*电流如果在正向电压VF*的值。

二极管的指数模型提供了打开结电容的机会:

如果为参数设置 Parameterization 意义 Fixed or zero junction capacitance，则容量固定。
如果为参数设置 Parameterization 意义 Use parameters CJ0, VJ, M & FC，则该块使用系数 , , ，而来计算结电容，其取决于结电压。
如果为参数设置 Parameterization 意义 Use C-V curve data points，然后该单元使用二极管的C-V曲线上的三个电容值来估计 , 和并将这些值与指定的值一起使用来计算结电容，其取决于结电压。块计算 , 和如下:

哪里
- , ，而 -参数向量中的值 Reverse bias voltages [VR1 VR2 VR3] ;
- , ，而 -参数向量中的值 Corresponding capacitances [C1 C2 C3] ;
不可能可靠地估计根据表格数据，因此，您必须使用参数指定其值 Capacitance coefficient, FC . 如果此参数没有合适的数据，请使用典型值。 0.5.

反向偏置电压（数值为正）必须满足 > > . 这意味着容量必须满足 > > 因为反向偏压扩大了耗尽区并因此降低了电容。违反这些不平等会导致错误。电压；电压和跃迁电位差应显着更大 . 电压；电压应小于跃迁的电位差，而典型值为作曲 0.1 V.

P-n结的性质对电压的依赖性是通过结电容的电荷来确定的如何:

为 :
为 :

哪里
- ;
- ;
- ;
- -跨结电容的电压。

这些方程类似于[2]中的方程，只是没有对参数的温度依赖性进行建模。和 . 该模型不包括扩散电容项，它会影响高频下的开关性能。

座 Photodiode 它还包括对二极管伏安特性的温度依赖性进行建模的许多其他可能性。结电容的温度依赖性没有建模，因为它们的尺寸很小。

热端口

您可以打开热端口来模拟产生的热量和设备温度的影响。要启用热端口请选中*Enable thermal port*复选框。

假设和限制

如果为参数设置 Diode parameterization 意义 Use dark current plus a forward bias I-V data point，可以设置接近二极管的开关电压的电压。该值通常在 0.05 以前 1 沃尔塔使用超出此区域的值可能会导致评估不佳。 .
您可能需要使用非零欧姆电阻和结电容值来避免数值模拟出现问题，但如果这些值为零，则模拟速度会更快。

港口

输入

# W — 入射到传感器元件上的光通量的密度
'标量`

Details

光电二极管上的入射光通量连接的输入端口。

数据类型	'漂浮64`
复数支持	非也。

非定向

# + — 正触点（阳极）
"电力`

Details

阳极连接的电端口。

程序使用名称

p

# - — 负触点（阴极）
"电力`

Details

阴极连接的电端口。

程序使用名称

n

# H — 热端口
"温暖"

Details

非定向热口。

依赖关系

要使用此端口，请选中此框 Enable thermal port .

程序使用名称

thermal_port

参数

主页

# Sensitivity parameterization — 灵敏度参数化
Specify measured current for given flux density | Specify current per unit flux density

Details

选择以下灵敏度参数化方法之一:

Specify measured current for given flux density -指定测量的电流和相应的光通量密度。
Specify current per unit flux density -手动指定设备的灵敏度。

值	`Specify measured current for given flux density` \| `Specify current per unit flux density`
默认值	`Specify measured current for given flux density`
程序使用名称	`sensitivity_parameterization`
可计算	无

# Measured current — 测量电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

单元中用于计算器件灵敏度的电流。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Sensitivity parameterization 意义 Specify measured current for given flux density.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`25.0 uA`
程序使用名称	`I_measured`
可计算	是

# Flux density — 光通量密度
W/m^2

Details

的光通量密度，其用于计算器件的灵敏度。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Sensitivity parameterization 意义 Specify measured current for given flux density.

计量单位	`W/m^2`
默认值	`5.0 W/m^2`
程序使用名称	`flux_density`
可计算	是

# Device sensitivity — 设备灵敏度
A/(W/m^2)

Details

单位光通量密度的电流。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Sensitivity parameterization 意义 Specify current per unit flux density.

计量单位	`A/(W/m^2)`
默认值	`5e-06 A/(W/m^2)`
程序使用名称	`sensitivity`
可计算	是

# Diode parameterization — 二极管的参数化
Use dark current plus a forward bias I-V data point | Use dark current and N

Details

选择以下方法之一来参数化二极管模型:

Use dark current plus a forward bias I-V data point -指定电流在没有光通量和二极管的伏安曲线上的点。
Use dark current and N -指定在没有光通量和发射系数的情况下的电流。

值	`Use dark current plus a forward bias I-V data point` \| `Use dark current and N`
默认值	`Use dark current plus a forward bias I-V data point`
程序使用名称	`diode_parameterization`
可计算	无

# Current, I1 — 正向位移点处的电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

在二极管的伏安特性上的正向偏置点处的电流，该电流在单元中用于计算和 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Diode parameterization 意义 Use dark current plus a forward bias I-V data point.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`0.1 A`
程序使用名称	`I_point`
可计算	是

# Voltage, V1 — 正向位移点处的电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

二极管的伏安特性上的正向偏置点处的相应电压，其在计算单元中使用和 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Diode parameterization 意义 Use dark current plus a forward bias I-V data point.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.3 V`
程序使用名称	`V_point`
可计算	是

# Dark current — 在没有光通量的情况下的电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

电流通过二极管时，它不暴露于光。

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`5e-09 A`
程序使用名称	`I_sat`
可计算	是

# Emission coefficient, N — 排放比率

Details

二极管发射系数或理想系数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Diode parameterization 意义 Use dark current and N.

默认值	`3.0`
程序使用名称	`N`
可计算	是

# Ohmic resistance, RS — 二极管的串行电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

串联连接到二极管的电阻。

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.1 Ohm`
程序使用名称	`R_s`
可计算	是

Details

在没有光通量的情况下测量电压特性或电流的温度。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_measurement`
可计算	是

结点电容

# Parameterization — 过渡容量的参数化
Fixed or zero junction capacitance | Use C-V curve data points | Use parameters CJ0, VJ, M & FC

Details

选择以下选项之一，用于对过渡容量进行建模:

Fixed or zero junction capacitance -将过渡容量设置为固定值;
Use C-V curve data points -在二极管的C-V曲线的三个点设置测量数据;
Use parameters CJ0, VJ, M & FC —设定零位移时的过渡容量、过渡的接触电位差、考虑过渡的平滑性的系数、以及过渡的势垒容量在正向位移时的非线性的系数。

值	`Fixed or zero junction capacitance` \| `Use C-V curve data points` \| `Use parameters CJ0, VJ, M & FC`
默认值	`Fixed or zero junction capacitance`
程序使用名称	`C_parameterization`
可计算	无

# Junction capacitance — 转移能力
F | pF | nF | uF | mF

Details

定值的过渡容量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Fixed or zero junction capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`60.0 pF`
程序使用名称	`C_j`
可计算	是

# Zero-bias junction capacitance, CJ0 — 零偏移时的过渡容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

指数二极管并联连接的电容的值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use parameters CJ0, VJ, M & FC

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`60.0 pF`
程序使用名称	`C_j0`
可计算	是

# Junction potential, VJ — 过渡的接触电位差
V | uV | mV | kV | MV

Details

结的接触电位差。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use parameters CJ0, VJ, M & FC.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`V_j`
可计算	是

# Grading coefficient, M — 考虑过渡平滑度的系数

Details

量化p-n过渡的平滑度的系数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use parameters CJ0, VJ, M & FC.

默认值	`0.5`
程序使用名称	`grading_coefficient`
可计算	是

# Reverse bias voltages [VR1 VR2 VR3] — 反向位移应力矢量
V | uV | mV | kV | MV

Details

二极管曲线c-V三点处的反向偏置电压值的矢量，该单元用于计算 , 和 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use C-V curve data points.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`[0.1, 10.0, 100.0] V`
程序使用名称	`V_r_vector`
可计算	是

# Corresponding capacitances [C1 C2 C3] — 与反向位移应力矢量相对应的电容矢量
F | pF | nF | uF | mF

Details

二极管C-V曲线上三点电容值的矢量，该单元用来计算 , 和 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use C-V curve data points.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[3.5, 1.0, 0.4] pF`
程序使用名称	`C_r_vector`
可计算	是

# Capacitance coefficient, FC — 正向位移时结势垒容量的非线性系数

Details

量化随施加电压的放电容量下降的系数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use parameters CJ0, VJ, M & FC 或 Use C-V curve data points.

默认值	`0.5`
程序使用名称	`C_coefficient`
可计算	是

温度依赖性

# Parameterization — 温度依赖性参数化
None - Use characteristics at parameter measurement temperature | Use an I-V data point at second measurement temperature | Specify saturation current at second measurement temperature | Specify the energy gap, EG

Details

选择以下方法之一来参数化温度依赖性:

None - Use characteristics at parameter measurement temperature -温度依赖性不建模，测量温度用于建模，在参数中指定 Measurement temperature .
Use an I-V data point at second measurement temperature -选择此值时，需要指定第二次测量的温度。，以及在该温度下的电流和电压的值。该模型将这些值与第一次测量温度下的参数值一起使用。来计算带隙宽度的值。
Specify saturation current at second measurement temperature -选择此值时，需要指定第二次测量的温度。，以及该温度下的饱和电流的值。该模型将这些值与第一次测量温度下的参数值一起使用。来计算带隙宽度的值。
Specify the energy gap, EG -禁止区域宽度的值是手动设置的。

值	`None - Use characteristics at parameter measurement temperature` \| `Use an I-V data point at second measurement temperature` \| `Specify saturation current at second measurement temperature` \| `Specify the energy gap, EG`
默认值	`None - Use characteristics at parameter measurement temperature`
程序使用名称	`T_parameterization`
可计算	无

Details

指定温度值，在该设备将被建模。

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_device`
可计算	是

# Saturation current, IS, at second measurement temperature — 第二维温度下的饱和电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

指定饱和电流值第二维度的温度下。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Specify saturation current at second measurement temperature.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`2.5e-07 A`
程序使用名称	`I_sat_at_T2_measurement`
可计算	是

# Current I1 at second measurement temperature — 第二次测量温度下的电流I1
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

指定当前值在二极管上，当电压为，在第二维度的温度下。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use an I-V data point at second measurement temperature.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`0.07 A`
程序使用名称	`I_point_at_T2_measurement`
可计算	是

# Voltage V1 at second measurement temperature — 第二次测量温度下的电压V1
V | uV | mV | kV | MV

Details

指定电压值在二极管上，当电流等于，在第二维度的温度下。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use an I-V data point at second measurement temperature.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.3 V`
程序使用名称	`V_point_at_T2_measurement`
可计算	是

Details

为第二测量的温度指定值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Use an I-V data point at second measurement temperature 或 Specify saturation current at second measurement temperature.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`125.0 degC`
程序使用名称	`T2_measurement`
可计算	是

# Energy gap parameterization — 带隙宽度的参数化
Use nominal value for silicon (EG=1.11eV) | Use nominal value for 4H-SiC silicon carbide (EG=3.23eV) | Use nominal value for 6H-SiC silicon carbide (EG=3.00eV) | Use nominal value for germanium (EG=0.67eV) | Use nominal value for gallium arsenide (EG=1.43eV) | Use nominal value for selenium (EG=1.74eV) | Use nominal value for Schottky barrier diodes (EG=0.69eV) | Specify a custom value

Details

从预设参数列表中选择受限区域宽度值或指定自定义值。:

Use nominal value for silicon (EG=1.11eV) -默认值;
Use nominal value for 4H-SiC silicon carbide (EG=3.23eV);
Use nominal value for 6H-SiC silicon carbide (EG=3.00eV);
Use nominal value for germanium (EG=0.67eV);
Use nominal value for gallium arsenide (EG=1.43eV);
Use nominal value for selenium (EG=1.74eV);
Use nominal value for Schottky barrier diodes (EG=0.69eV);
Specify a custom value —如果选择此值，参数将出现 Energy gap, EG ，它允许您为 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 意义 Specify the energy gap, EG.

值	`Use nominal value for silicon (EG=1.11eV)` \| `Use nominal value for 4H-SiC silicon carbide (EG=3.23eV)` \| `Use nominal value for 6H-SiC silicon carbide (EG=3.00eV)` \| `Use nominal value for germanium (EG=0.67eV)` \| `Use nominal value for gallium arsenide (EG=1.43eV)` \| `Use nominal value for selenium (EG=1.74eV)` \| `Use nominal value for Schottky barrier diodes (EG=0.69eV)` \| `Specify a custom value`
默认值	`Use nominal value for silicon (EG=1.11eV)`
程序使用名称	`E_g_parameterization`
可计算	无

# Energy gap, EG — 禁区的宽度
J | mJ | kJ | MJ | mW*hr | W*hr | kW*hr | MW*hr | eV | cal | kcal | Btu_IT

Details

指定限制区域宽度的自定义值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Energy gap parameterization 意义 Specify a custom value.

计量单位	`J` \| `mJ` \| `kJ` \| `MJ` \| `mWhr` \| `Whr` \| `kWhr` \| `MWhr` \| `eV` \| `cal` \| `kcal` \| `Btu_IT`
默认值	`1.11 eV`
程序使用名称	`E_g`
可计算	是

# Saturation current temperature exponent parameterization — 饱和电流的温度指数的参数化
Use nominal value for pn-junction diode (XTI=3) | Use nominal value for Schottky barrier diode (XTI=2) | Specify a custom value

Details

选择以下参数之一来设置饱和电流温度值:

Use nominal value for pn-junction diode (XTI=3);
Use nominal value for Schottky barrier diode (XTI=2);
Specify a custom value —如果选择此值，参数将出现 Saturation current temperature exponent, XTI -饱和电流的温度指示器，它允许您设置自定义值 .

值	`Use nominal value for pn-junction diode (XTI=3)` \| `Use nominal value for Schottky barrier diode (XTI=2)` \| `Specify a custom value`
默认值	`Use nominal value for pn-junction diode (XTI=3)`
程序使用名称	`XTI_parameterization`
可计算	无

# Saturation current temperature exponent, XTI — 饱和电流的温度指示器

Details

指定饱和电流温度指示器的值 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Saturation current temperature exponent parameterization 意义 Specify a custom value.

默认值	`3.0`
程序使用名称	`XTI`
可计算	是

热端口

# Enable thermal port — 打开热端口打开热端口

Details

选择此选项可使用单元的热端口并模拟产生的热量和设备温度的影响。选择此选项可使用单元的热端口并模拟产生的热量和设备温度的影响。

默认值	`false (关掉)`
程序使用名称	`has_thermal_port`
可计算	无

# Thermal network — 选择内部热模型
Specify junction and case thermal parameters | Cauer model | Cauer model parameterized with Foster coefficients | External

Details

选择内部热模型:

Specify junction and case thermal parameters;
Cauer model;
Cauer model parameterized with Foster coefficients;
External.

值	`Specify junction and case thermal parameters` \| `Cauer model` \| `Cauer model parameterized with Foster coefficients` \| `External`
默认值	`Specify junction and case thermal parameters`
程序使用名称	`thermal_network_parameterization`
可计算	无

# Junction-case and case-ambient (or case-heatsink) thermal resistances, [R_JC R_CA] — 热阻矢量
K/W

Details

向量资料 [R_JC R_CA] 热阻的两个值中。第一个值 R_JC -这是结和外壳之间的热阻。第二个值, R_CA —这是*H*端口和设备主体之间的热阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Specify junction and case thermal parameters.

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1 R2 ... Rn] — 考尔模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从由加热网络中的Kauer元件表示的热阻值。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model.

计量单位	`K/W`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1 R2 ... Rn] — 福斯特模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从热阻值由Foster模型在加热网络中的系数表示。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.03, 0.2] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_foster_vector`
可计算	是

# Thermal mass parameterization — 热容量参数化
By thermal time constants | By thermal mass

Details

选择设置热容量的方法:

By thermal time constants -热时间常数方面的热容量的参数化。默认情况下使用此值。
By thermal mass -设置热容值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Specify junction and case thermal parameters, Cauer model 或 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

值	`By thermal time constants` \| `By thermal mass`
默认值	`By thermal time constants`
程序使用名称	`thermal_mass_parameterization`
可计算	无

# Junction and case thermal masses, [M_J M_C] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

向量资料 [M_J M_C] 热容量的两个值中。第一个值 M_J —这是过渡的热容量。第二个值, M_C —这是表壳的热容量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Specify junction and case thermal parameters，而对于参数 Thermal mass parameterization 意义 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.0, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1 M2 ... Mn] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中这是热网中Kauer模型的系数数。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model，而对于参数 Thermal mass parameterization 意义 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[1.5, 2.0, 3.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1 M2 ... Mn] — 福斯特模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中这是加热网络中福斯特元件的数量。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model parameterized with Foster coefficients，而对于参数 Thermal mass parameterization 意义 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[33.0, 50.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_foster_vector`
可计算	是

# Junction and case thermal time constants, [t_J t_C] — 热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

向量资料 [t_J t_C] 热时间常数的两个值中。第一个值 t_J -这是过渡时间的热常数。第二个值, t_C -这是船体的热时间常数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Specify junction and case thermal parameters，而对于参数 Thermal mass parameterization 意义 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[0.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1 t2 ... tn] — 考尔模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中这是加热网络中Kauer元件的数量。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model，而对于参数 Thermal mass parameterization 意义 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1 t2 ... tn] — 福斯特模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中这是供暖网络中福斯特模型的系数数。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model parameterized with Foster coefficients，而对于参数 Thermal mass parameterization 意义 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[1.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_foster_vector`
可计算	是

Details

向量资料 [t_J t_C] 热时间常数的两个值中。第一个值 t_J -这是过渡时间的热常数。第二个值, t_C -这是船体的热时间常数。

依赖关系

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_vector_start`
可计算	是

Details

温度值的向量。它对应于模型中每个热容量的温差。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_cauer_vector_start`
可计算	是

# Start from steady state — 从稳定状态开始

Details

选择此选项可从稳定状态开始仿真。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

默认值	`true (已开启)`
程序使用名称	`start_from_steady_state`
可计算	无

Details

福斯特模型的每个元素的绝对温度值的向量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Thermal network 意义 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_foster_vector_start`
可计算	是

文学作品

H.Ahmed和P.J.Spreadbury。模拟和数字电子工程师. 2nd Edition,Cambridge University Press,1984.
G.Massobrio和P.Antognetti。用SPICE进行半导体器件建模。第2版，麦格劳-希尔，1993年。