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晶体管

完美的忆阻器。

模块类型: AcausalFoundation.Electrical.Elements.Memristor

memristor

库中的路径:

/Physical Modeling/Fundamental/Electrical/Elements/Memristor

资料描述

该模块允许您模拟理想的忆阻器。 忆阻器的行为类似于电阻器的行为，不同之处在于其电阻是通过器件的电流（电流的时间积分）的函数。 忆阻器在给定时间的电阻由忆阻器的两种状态决定, A 和 B，取决于设备的哪个部分处于这些状态之一。 忆阻器的数学模型由以下方程描述:

ξξ

ξξ

哪里:

  • -忆阻器上的电压;

  • -电流电阻;

  • -电流;

  • 和 -状态下的忆阻电阻 A 和 B 因此;

  • ξ -状态下忆阻器的比例 A. 从**端子流向*−*端子的正电流增加 ξ . 同样，从端子*−*流向端子*的正电流减小 ξ . 意义 ξ 限于*0*和*1;

  • -时间;

  • -忆阻器从一种状态完全转换到另一种状态所需的总电荷;

  • ξ -*窗口功能*持有 ξ 在*1*和*0*之间的窗口中。

窗口功能:

ξξ

哪里:

  • р -一个正整数。 此函数在以下情况下被修改 ξ 接近*0*或*1*以提高计算稳定性。

港口

+—正传：q[<br>] 电力

电端口表示忆阻器的正极端子。

--负通：q[<br>] 电力

电端口代表忆阻器的负端。

参数

状态a的阻力-状态中的阻力 但是 通行证：q[<br>] 1欧姆（默认） | 正 | 标量,标量

忆阻器的电阻的情况下，当整个设备在 但是 也就是说，如果 ξ . 值必须大于零。

状态b的电阻-整个忆阻器处于状态 B 通行证：q[<br>] 100欧姆（默认） | 正 | 标量,标量

忆阻器的电阻的情况下，当整个设备在 B 也就是说，如果 ξ . 值必须大于零。

完全状态转换所需的总电荷-状态之间完全转换的电荷通过：q[<br>] 10毫升(默认) | 正 | 标量,标量

忆阻器从完全一个状态转变到完全另一个状态所需的总电荷。

状态分数在t=0-忆阻器在状态的分数 但是 在模拟开始时，通过：q[<br>] 0（默认） | 最小/最大:(0.1)

初始值为 ξ 在模拟开始时。 值必须大于或等于*0*且小于或等于*1*。

窗函数的指数-窗函数的指数传递：q[<br>] 2（默认情况下） | 正 | 整数 | 标量,标量

指标 保存值的窗口函数 ξ 在*0*和*1*之间。

电流i的初始值-电流i的初始值通过：q[<br>] 0(默认)

初始电流值 .

电压v的初始值-电压v的初始值
0(默认)

初始电压值 .