N 沟道 MOSFET

晶体管型号类型：

模块中触点的数量。

MOSFET 的增益 。该参数主要决定了特性 - 上的线性区域。

平区电压 定义了在硅表面实现平区状态所必须施加的栅极偏压。由于材料屈服性能和界面或氧化物上的俘获电荷存在差异，因此可以使用该参数任意改变阈值电压。不过，在实际应用中，通常建议首先使用*体因子*和*强反转时的表面电势*参数来改变阈值电压，然后再使用该参数进行微调。

表面电势方程中的衬底系数 。该参数主要影响阈值电压。

表面电势方程中的值 。该参数也主要影响阈值电压。

漏极电流方程中的 值。当良好的线性拟合导致饱和电流过大时使用该参数。增大该参数值会导致饱和电流减小。对于高压器件，良好的线性模式匹配通常会导致饱和电流过低。在这种情况下，应增加增益和漏极欧姆电阻。

系数 ，是 等式中对数项的乘数。该参数描述了沟道长度调制的起始点。对于在饱和状态下表现出正传导的器件特性，应增加该参数的值以符合这种行为。默认值为 "0"，表示通道长度调制关闭。

等式中的电压 。该参数控制沟道长度调制开始生效时的漏极电压。

迁移率降低力。流动性等于 ，其中 是在没有表面散射影响的弱电场中的流动性。迁移率降低系数 定义为 ，其中 是表面粗糙度散射系数， 是与通道中电场强度的有效垂直分量相对应的电压 。对于高垂直电场，电子迁移率与 大致成正比。

该系数表示 MOSFET 特性从线性区到饱和过渡的平滑程度，尤其是在启用速度饱和的情况下。通常情况下，该参数可保持默认值，但也可用于微调特性曲率 - 。该参数的预期取值范围为 "2 "至 "8"。

测量单位参数的温度 。如果 * 设备模拟温度* 的值与此值不同，则将根据模拟温度和参考温度确定单位参数。

晶体管的源电阻，即与源引脚相关的串联电阻。该值必须大于或等于 "0"。

晶体管的漏极电阻，即与漏极引脚相关的串联电阻。该值必须大于或等于 "0"。

晶体管的栅极电阻，即与栅极触点相关的串联电阻。该值必须大于或等于 "0"。

晶体管衬底电阻，即与衬底触点相关的串联电阻。

依赖关系

要使用此参数，请将*端子数*参数设置为 "四"。

栅极和沟道之间的电容。

与栅极-源极结点相关的固定线性电容。

与栅极到漏极结点相关的固定线性电容。

集成二极管公式中的电流 。

将该参数设置为非零值，以模拟 MOSFET 电流在模拟期间改变符号的应用（如 MOSFET 驱动电感负载时）中流经集成二极管的电流。

对于 MOSFET 电流从不改变符号的应用，如在小信号放大器中，将此参数设置为 "0 "以提高仿真速度。

嵌入式二极管电压 在嵌入式二极管方程中。该电压只影响结电容方程。它不会影响传导电流。

集成二极管计算公式中的表意系数 。

零偏压时漏极和基底之间的电容，仅由集成二极管引起， 。

集成二极管方程中的时间 。

如果*反向饱和电流*和*转移时间*参数的值不为零，则该模块在嵌入式二极管模型中包含反向恢复。

从以下方法中选择一种进行温度相关性参数化：

假设 MOSFET 的增益与温度呈指数关系： 其中 是*增益*参数值， 是*增益温度指数*参数值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模拟温度依赖性"。

假定平带电压 与温度呈线性关系： 其中 为*平带电压*参数值， 为*平带电压温度系数*参数值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模拟温度依赖性"。

强反转时的表面势 假设与温度成线性关系： 其中 为*强反演时的表面电位*值， 为*强反演时的表面电位温度系数*值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

速度饱和度 假设与温度成指数关系： 其中 是 * 速度饱和系数 * 参数值， 是 * 速度饱和温度指数 * 参数值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

该参数会导致 MOSFET 在高栅极电压下的电导率随温度而降低。

表面粗糙度散射系数 假设与温度成指数关系： 其中 是*表面粗糙度散射系数*的值， 是*表面粗糙度散射温度指数*的值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

假设串联电阻与半导体电阻相对应。因此，它们随着温度的升高呈指数式下降： 其中 分别代表源极、漏极或栅极电阻的 、 或 ， 是相应的*源极欧姆电阻*、*漏极欧姆电阻*或*栅极欧姆电阻*参数的值， 是*电阻温度指数*参数的值。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

集成二极管的反向饱和电流假定与本征载流子浓度的平方成正比： 其中 是随温度变化的有效态密度， 是随温度变化的半导体材料带隙宽度。为了避免为温度相关性引入另一个参数，我们忽略了禁带宽度的温度相关性，所有类型的器件都采用了硅在 300 K 时的禁带宽度（1.12 eV）。因此，反向饱和电流的温度依赖性定义如下：

其中 是*反向饱和电流*参数的值， 是玻尔兹曼常数， 是*体二极管反向饱和电流温度指数*参数的值。默认值为 "3"，因为硅的 与 大致成正比。可以通过调整 的值来考虑禁带宽度的温度依赖性。

依赖关系

要使用该参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

，对其进行设备模拟。

依赖关系

要使用此参数，请将*参数化*参数设置为 "模型温度依赖性"。

要启用热效应建模，请选中该选项的复选框。

选择内部热模型：

矢量包含两个热阻值。第一个值 `R_JC 是结点与机箱之间的热阻。第二个值 R_CA 是 H 端口与设备外壳之间的热阻。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "指定结点和机箱热参数"。

热网络中考尔元件所代表的热阻向量值。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "考尔模型"。

热网中福斯特模型系数所代表的热阻值矢量。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"。

选择指定热容量的方法：

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "指定接合点和外壳热参数"、"考尔模型 "或 "用福斯特系数参数化的考尔模型"。

矢量 [M_J M_C] 包含两个热容量值。第一个值 M_J 是过渡层的热容量。第二个值 M_C 是外壳的热容量。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "指定连接点和壳体热参数"，并将*热质量参数化*参数设置为 "按热质量"。

热容量值矢量，其中 是热网中考尔模型系数的个数。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网*参数设置为 "考尔模型"，*热质参数化*参数设置为 "按热质"。

热容量值矢量，其中 是热网中 Foster 元素的数量。所有这些值都必须大于零。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"，*热质参数化*参数设置为 "按热质"。

由两个热时间常数值组成的矢量`[t_J t_C]。第一个值 `t_J 是过渡的热时间常数。第二个值 t_C 是物体的热时间常数。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网络*参数设置为 "指定结点和壳体热参数"，并将*热质量参数化*参数设置为 "通过热时间常数"。

热时间常数的矢量，其中 是热网络中考尔元素的数量。所有这些值都必须大于零。

热容量值的计算公式为 ，其中 、 和 分别为 -th 考尔元件的热容量、热时间常数和热阻。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "考尔模型"，*热质量参数化*参数设置为 "通过热时间常数"。

热时间常数的矢量，其中 是热网络中福斯特模型系数的数量。所有这些值都必须大于零。

热容值计算公式为 ，其中 、 和 分别为 -th Cauer 单元的热容、热时间常数和热阻。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"，并将*热质量参数化*参数设置为 "通过热时间常数"。

由两个温度值组成的向量 [T_J T_C]。第一个值 T_J 是初始过渡温度。第二个值 T_C 是初始情况温度。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网络*参数设置为 "指定结点和外壳热参数"。

温度值向量。相当于模型中每个热容量的温度差。

依赖关系

要使用此参数，请将*热网*参数设置为 "考尔模型"。

福斯特模型各元素绝对温度值的向量。

依赖关系

要使用该参数，请将*热网*参数设置为 "用福斯特系数参数化的考尔模型"。