N-Channel IGBT (Advanced)

隔离栅极的N沟道双极晶体管。

模块类型: AcausalElectricPowerSystems.Semiconductors.IGBTAdvanced

库中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/N-Channel IGBT (Advanced)

资料描述

座 N-Channel IGBT (Advanced) 模拟绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该装置提供了伏安特性(VAC)和电容特性的完整模型，适用于模拟详细的开关特性和预测元件中的损耗。该模块允许您通过以下方式对IGBT进行建模:

*采用基于双极PNP晶体管和N沟道MOSFET的等效电路形式。有关详细信息，请参阅表示为等效电路、伏安特性的微调和[temperature-dependency]。

*近似VAC值的二维插值表的形式。有关详细信息，请参阅使用二维插值表表示。

*以近似VAC值的三维插值表的形式，包括温度数据。有关详细信息，请参阅使用三维插值表表示。

在模型中，栅极容量由固定的栅极-发射极容量表示。和固定或非线性栅极集电极容量 . 有关详细信息，请参阅收费模式。

表示为等效电路

等效电路由块 PNP Bipolar Transistor，由块控制 *N-Channel MOSFET*如下图所示。

n channel igbt advanced 1

MOSFET源极与双极型晶体管的集电极连接，MOSFET漏极与双极型晶体管的基极连接。对于MOSFET，使用单元描述中给出的阈值电压方程。 N-Channel MOSFET. 对于双极晶体管，使用块描述中的方程 *PNP Bipolar Transistor*附加排放系数 ,缩放 .

座 N-Channel IGBT (Advanced) 使用设置中设置的on和off状态特性来评估内部N沟道MOSFET和双极PNP晶体管的参数。单元基于关断状态的特性计算基极-发射极电压。和饱和电流 .

当晶体管关闭时，栅极-发射极电压为零，IGBT基极-集电极电压为高电平。因此，PNP晶体管的基极和集电极电流的方程简化为

哪里

-参数值 Emission coefficient, N ;
-Earley的紧张是向前的方向;
和 -分别指向集电极和基极的正电流。

其余变量的定义在块的描述中给出。 PNP Bipolar Transistor. 从第一个方程，我们可以确定 .

在关断状态下，基极电流为零，所以，在哪里 -零栅极电压下的集电极电流。基极-集电极电压为，在哪里 -测量时的电压 . 然后第二个方程采取的形式

块设置典型值和，因此和它们由公式确定

确切的价值不需要：该单元调整MOSFET增益以确保器件的正确整体增益。

参数 Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat) 及 Collector current at which Vce(sat) is defined 用于确定通过求解以下方程:

之后，该单元计算MOSFET增益使用以下等式:

哪里

-参数值 Gate-emitter threshold voltage, Vge(th) ;
-参数值 Gate-emitter voltage at which Vce(sat) is defined ;
-参数值 Total forward transit time .

电压；电压它与晶体管电压的比值有关 . 块替代该比率而不是，设置基极-发射极电压和基极电流等于饱和值并转换MOSFET方程以获得

哪里 -参数值 Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat) .

这些计算确保零栅极电压和集电极-发射极饱和电压下的指定集电极电流精确匹配。伏安特性对发射因子敏感而确切的价值 . 如果制造商的技术说明包含不同值的伏安特性，则参数和您可以手动配置它。

使用二维插值表表示

要使用插值表表示，请将表格式集电极电流值设置为栅极-发射极和集电极-发射极电压的函数。这种方法的主要优点是建模的速度。该设备可以根据测量结果和来自另一个模拟环境的数据进行参数化。

表格表示将等效电路的所有组件—PNP晶体管，N沟道MOSFET，集电极和发射极电阻-组合到一个等效插值表中。

为确保集电极-发射极电流和电压的标志一致，请遵守以下条件:

如果集电极-发射极电压等于 0，参数值 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) 必须等于 0;

表格功率，它是参数的乘积 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) 且集电极-发射极电压必须大于或等于 0;

表格电导率，即参数的梯度 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) 相对于集电极-发射极电压，必须大于等于 0;

参数的第一个梯度 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) 相对于栅极-发射极电压必须等于 0.

使用三维插值表表示

对于使用插值表的温度相关表示，将表格式集电极电流值设置为栅极-发射极和集电极-发射极电压和温度的函数。

表格表示将等效电路的所有组件—PNP晶体管，N沟道MOSFET，集电极和发射极电阻-组合到一个等效插值表中。

如果不使用单元的热端口，则模拟温度由参数设置 Device simulation temperature 在参数组中 Temperature Dependence .

为确保集电极-发射极电流和电压的标志一致，请遵守以下条件:

如果集电极-发射极电压等于 0，参数值 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) 必须等于 0;

表格功率，它是参数的乘积 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) 且集电极-发射极电压必须大于或等于 0;

表格电导率，即参数的梯度 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) 相对于集电极-发射极电压，必须大于等于 0;

参数的第一个梯度 *Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) 相对于栅极-发射极电压必须等于 0.

收费模式

该模块根据集电极-发射极电压以固定值或表格值模拟电容。栅极-发射极和栅极-集电极电容可以直接设置，也可以根据输入和输出电容计算。参数 Parameterization 在参数组中 Junction Capacitance 提供以下参数化方法:

Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance （默认情况下）-从技术描述中设置固定参数值，并将入口和出口罐的值转换为容量值，如下所述;
Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance -直接设置固定容量参数值;
Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance —根据技术描述中的图表设置集电极-发射极电容和电压的表格值，然后将输入和输出电容的值转换为电容值，如下所述;
Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance -设置电容和集电极-发射极电压的表格值。

使用表格方法之一（Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance 或 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance），如果技术描述显示了电容对集电极-发射极电压的依赖关系的曲线图。使用表格式容量值将提供更精确的动态特性并避免对迭代参数设置的需要。

如果使用方法 Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance 或 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance，则在参数组中 Junction Capacitance 您可以直接指定参数值 Gate-emitter capacitance , Gate-collector capacitance 及 Collector-emitter capacitance . 在其他情况下，块根据参数值计算它们。 Input capacitance, Cies , Reverse transfer capacitance, Cres 及 Output capacitance, Coes . 这两种参数化方法相关如下:

具有固定容量（Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance 或 Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance 该模型包含一个固定的栅极-发射极电容和固定或非线性栅极集电极容量 . 如果为参数 Charge-voltage linearity 选择一个值 Gate-collector charge function is nonlinear，栅极-集电极电荷依赖性由下图所示的分段线性函数确定。

n channel igbt advanced 2 cn

在这种非线性电容下，栅极-发射极和集电极-发射极电压曲线如下图所示。集电极-发射极电压降由区域_2_和_3_组成，栅极-发射极电压具有两个时间常数—在阈值电压之前和之后 .

n channel igbt advanced 3 cn

如果IGBT栅极通过外部电阻控制、电容器的电容值 , 和它可以定义如下:

问所以，为了得到所需的时间常数在_1_区域中。时间常数等于积和 . 相反，您可以使用该值从技术描述。
问所以，要获得所需的梯度在_2_区域中。梯度为 .
问等于梯度变化的电压，减去阈值电压 .
问因此，在_4_的区域中获得所需的米勒长度和时间常数。

该模型简化了实际电荷分布，因此可能需要这四个步骤的多次迭代以最佳匹配测量数据。

如果为参数 I-V characteristics defined by 值已设置 Fundamental nonlinear equations，IGBT关断时集电极电流的尾端由参数确定 Total forward transit time .

如果为参数 I-V characteristics defined by 值已设置 Lookup table (2D, temperature independent) 或 Lookup table (3D, temperature dependent)，IGBT关断时集电极电流的尾端由参数确定 Turn-off tail current transit time :

哪里 -IGBT关断电流, -IGBT开关电流, -关机时间, -参数值 Turn-off tail current transit time .

该模型考虑了电荷，因此，为了正确再现开关导通和关断的动态，有必要模拟栅极控制电路的阻抗。如果控制电路由受控电压源表示，则应在源极和栅极之间连接合适的串联电阻。

伏安特性的微调

若要将模型表示为等效架构，请使用组参数 Advanced 微调器件的伏安特性。配置需要制造商的技术说明，其中包含不同栅极-发射极电压下集电极电流对集电极-发射极电压的依赖关系图。这些参数具有以下效果: 参数 *Emission coefficient, N 确定原点附近的伏安特性的形状;

参数 *Collector resistance, RC 及 Emitter resistance, RE 在较高电流下以及器件在高栅极-发射极电压的影响下完全打开时影响VAC的倾斜; 参数 *Forward Early voltage, VAF 在接近该值的栅极-发射极电压下影响VAC的形状 Gate-emitter threshold voltage, Vge(th) .

温度依赖性建模

对于二维插值表，电气方程与温度无关。然而，温度依赖性可以使用三维表或使用等效方案建模。

等效方案使用组成部件的温度依赖性。定义方程在块描述中给出。 N-Channel MOSFET*及 *PNP Bipolar Transistor.

如果技术说明不包含零栅极电压下集电极电流的信息对于较高的测量温度，可以设置能隙。半导体的典型值。对于硅，能隙通常为 1.11 EV。

热端口

该装置有一个额外的热端口,默认情况下隐藏. 要使用热端口*H*和热模型的参数，请选中该框 Enable thermal port .

使用热端口来模拟产生的热量和设备温度的影响。

假设和限制

块中使用的模型基于以下假设:

单位不允许您直接设置容器的初始条件。如果你选中了这个框 *Start simulation from steady state 在街区 Solver Configuration，初始电压按照计算出的稳态计算。否则，仿真开始时的电压为零。

*可能需要非零电容值以避免数值问题，但零值可以提高仿真速度。

*单位没有考虑到温度对容器的影响。

港口

非定向

# E — 发射器
电力

Details

与PNP晶体管的集电极端子连接的非定向端口。

程序使用名称

emitter

# G — 快门
电力

Details

与IGBT栅极端子连接的非定向端口。

程序使用名称

gate

# H — 热端口
温暖

Details

非定向热口。

依赖关系

要使用此端口，请选中此框 Enable thermal port .

程序使用名称

thermal_port

# C — 收集者
电力

Details

与PNP晶体管发射极的端子连接的非定向端口。

程序使用名称

collector

参数

Thermal Port

# Thermal resistances, [R1, R2, ..., Rn] — 福斯特模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从由加热网络中的Foster元件表示的热阻值。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port ，为参数 Thermal network 设置值 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.08, 0.14, 0.22, 0.16] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_foster_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1, M2, ..., Mn] — 福斯特模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中 —这是供暖网络中福斯特模型的系数数。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port ，为参数 Thermal network 设置值 Cauer model parameterized with Foster coefficients，而对于参数 Thermal mass parameterization -价值 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.001, 0.005, 0.05, 0.5] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_foster_vector`
可计算	是

# Thermal masses, [M1, M2, ..., Mn] — 考尔模型的热容值向量
J/K | kJ/K

Details

矢量从热容值，其中 —这是加热网络中Kauer模型的系数数。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port ，为参数 Thermal network 设置值 Cauer model，而对于参数 Thermal mass parameterization -价值 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.1, 0.3, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1, t2, ..., tn] — 福斯特模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中 —这是加热网络中福斯特元素的数量。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -第福斯特元素。

依赖关系

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[7.0e-5, 0.0007, 0.01, 0.08] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_foster_vector`
可计算	是

# Thermal resistances, [R1, R2, ..., Rn] — 考尔模型的热阻矢量
K/W

Details

矢量从由加热网络中的Kauer元件表示的热阻值。所有这些值必须大于零。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port ，为参数 Thermal network 设置值 Cauer model.

计量单位	`K/W`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_cauer_vector`
可计算	是

# Thermal time constants, [t1, t2, ..., tn] — 考尔模型的热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

矢量从热时间常数的值，其中 —这是加热网络中Kauer元素的数量。所有这些值必须大于零。

热容的值计算为，在哪里 , 和 -热容量、热时间常数及热阻 -Cowera的go元素。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port ，为参数 Thermal network 设置值 Cauer model，而对于参数 Thermal mass parameterization -价值 By thermal time constants.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[1.0, 3.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_cauer_vector`
可计算	是

# Junction and case thermal masses, [M_J, M_C] — 热容值向量
J/K | kJ/K

Details

向量资料 [M_J，M_C] 热容量的两个值中。第一个值 M_J —这是过渡的热容量。第二个值 M_C —这是表壳的热容量。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port ，为参数 Thermal network 设置值 Specify junction and case thermal parameters，而对于参数 Thermal mass parameterization -价值 By thermal mass.

计量单位	`J/K` \| `kJ/K`
默认值	`[0.0, 1.0] J/K`
程序使用名称	`thermal_mass_vector`
可计算	是

Details

向量资料 [T_J，T_C] 的两个温度值中。第一个值 T_J -这是初始转变温度。第二个值 T_C —这是案件的初始温度。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port 和参数 Thermal network 设置值 Specify junction and case thermal parameters.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_vector_start`
可计算	是

# Thermal network — 内部热模型
Specify junction and case thermal parameters | Cauer model | Cauer model parameterized with Foster coefficients | External

Details

选择内部热模型:

Specify junction and case thermal parameters;
Cauer model;
Cauer model parameterized with Foster coefficients;
External.

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port .

值	`Specify junction and case thermal parameters` \| `Cauer model` \| `Cauer model parameterized with Foster coefficients` \| `External`
默认值	`Specify junction and case thermal parameters`
程序使用名称	`thermal_network_parameterization`
可计算	无

# Enable thermal port — 激活热端口

Details

选中此框可使用*H*热端口并模拟热效应。

默认值	`false (关掉)`
程序使用名称	`has_thermal_port`
可计算	无

Details

福斯特模型的每个元素的绝对温度值的向量。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port 和参数 Thermal network 设置值 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0, 25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_foster_vector_start`
可计算	是

# Thermal mass parameterization — 热容量参数化
By thermal time constants | By thermal mass

Details

选择设置热容量的方法:

By thermal time constants （默认）-根据热时间常数参数化热容量;
By thermal mass -直接设置热容值。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port 和参数 Thermal network 设置值 Specify junction and case thermal parameters, Cauer model 或 Cauer model parameterized with Foster coefficients.

值	`By thermal time constants` \| `By thermal mass`
默认值	`By thermal time constants`
程序使用名称	`thermal_mass_parameterization`
可计算	无

# Junction and case thermal time constants, [t_J, t_C] — 热时间常数向量
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

向量资料 [t_J，t_C] 热时间常数的两个值中。第一个值 t_J -这是过渡时间的热常数。第二个值 t_C -这是船体的热时间常数。

依赖关系

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`[0.0, 10.0] s`
程序使用名称	`thermal_time_constant_vector`
可计算	是

Details

温度值的向量。它对应于模型中每个热容量的温差。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port 和参数 Thermal network 设置值 Cauer model.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 25.0, 25.0] degC`
程序使用名称	`T_thermal_mass_cauer_vector_start`
可计算	是

# Junction-case and case-ambient (or case-heatsink) thermal resistances, [R_JC, R_CA] — 热阻矢量
K/W

Details

向量资料 [R_JC,R_CA] 热阻的两个值中。第一个值 R_JC -这是结和外壳之间的热阻。第二个值 R_CA —这是*H*端口和设备主体之间的热阻。

依赖关系

若要使用此选项，请选中此框 Enable thermal port 和参数 Thermal network 设置值 Specify junction and case thermal parameters.

计量单位	`K/W`
默认值	`[0.0, 10.0] K/W`
程序使用名称	`thermal_resistance_vector`
可计算	是

Main

Details

用于通过插值表进行搜索的温度向量。向量的值必须严格增加。值可能不均匀分布。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (3D, temperature dependent).

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`[25.0, 125.0] degC`
程序使用名称	`T_vector`
可计算	是

# Voltage at which Ices is defined — 确定电流的电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

测量参数时使用的电压 Zero gate voltage collector current, Ices .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`600.0 V`
程序使用名称	`V_ces`
可计算	是

# I-V characteristics defined by — IGBT表示
Fundamental nonlinear equations | Lookup table (2D, temperature independent) | Lookup table (3D, temperature dependent)

Details

选择IGBT表示:

Fundamental nonlinear equations （默认）-基于双极PNP晶体管和N沟道MOSFET的等效电路;
Lookup table (2D, temperature independent) -集电极电流作为栅极-发射极和集电极-发射极电压的函数的二维插值表;
Lookup table (3D, temperature dependent) -集电极电流作为栅极-发射极和集电极-发射极电压和温度的函数的三维插值表。

值	`Fundamental nonlinear equations` \| `Lookup table (2D, temperature independent)` \| `Lookup table (3D, temperature dependent)`
默认值	`Fundamental nonlinear equations`
程序使用名称	`model_type`
可计算	无

# Vector of gate-emitter voltages, Vge — 栅极-发射极电压矢量
V | uV | mV | kV | MV

Details

用于通过插值表搜索的栅极-发射极电压矢量。向量的值必须严格增加。值可能不均匀分布。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (2D, temperature independent) 或 Lookup table (3D, temperature dependent).

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`[-1.0, 0.0, 2.0, 3.0, 5.0, 6.0, 7.0, 8.0, 10.0, 12.0, 15.0, 18.0, 20.0] V`
程序使用名称	`V_ge_vector`
可计算	是

# Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce) — 集电极电流的表格值，与温度无关
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

集电极电流的表格值作为栅极-发射极和集电极-发射极电压的函数，用于在二维表中搜索。每个值为相应的栅极-发射极和集电极-发射极电压对设置集电极电流。矩阵的尺寸必须对应于由栅极-发射极和集电极-发射极电压矢量确定的尺寸。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (2D, temperature independent).

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	[0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0; 0.0 0.0 0.0 0.81 3.13 4.97 6.03 6.53 6.84 7.01 7.19 7.32 7.44 7.55 7.67 7.78 7.89 8.0 8.07 8.07; 0.0 0.0 0.0 1.07 5.5 12.93 22.09 29.14 35.27 38.97 41.37 43.08 44.52 45.45 46.28 46.85 47.41 47.76 48.06 48.36; 0.0 0.0 0.0 1.1 6.99 16.51 28.38 41.53 55.76 69.08 80.5 89.56 96.13 101.45 105.15 107.99 110.09 111.87 113.54 114.95; 0.0 0.0 0.0 1.36 6.26 17.43 33.6 50.43 71.75 93.61 114.64 134.42 151.44 164.25 177.06 189.88 202.69 215.51 228.32 241.14; 0.0 0.0 0.0 1.42 6.4 18.7 36.19 55.23 79.71 106.22 131.28 156.62 182.79 208.97 235.15 261.32 287.5 313.67 339.85 366.02; 0.0 0.0 0.0 1.45 6.81 20.01 39.61 60.63 88.74 117.7 147.16 191.87 237.14 282.42 327.69 372.96 418.23 463.5 508.77 554.04; 0.0 0.0 0.0 1.49 6.97 20.55 41.34 64.15 94.91 126.1 170.16 233.77 297.38 360.98 424.59 488.19 551.8 615.4 679.01 742.62; 0.0 0.0 0.0 1.5 7.5 20.96 42.17 66.19 98.34 131.14 187.84 263.46 339.09 414.72 490.34 565.97 641.6 717.22 792.85 868.48] A
程序使用名称	`I_c_matrix`
可计算	是

# Vector of collector-emitter voltages, Vce — 集电极-发射极电压矢量
V | uV | mV | kV | MV

Details

用于通过插值表搜索的集电极-发射极电压矢量。向量的值必须严格增加。值可能不均匀分布。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (2D, temperature independent) 或 Lookup table (3D, temperature dependent).

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`[0.0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0, 1.26, 1.51, 1.76, 2.01, 2.26, 2.51, 2.76, 3.01, 3.27, 3.52, 3.77, 4.02, 4.27, 4.52, 4.77] V`
程序使用名称	`V_ce_vector`
可计算	是

# Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat) — 集电极-发射极饱和电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

典型开关状态的集电极-发射极电压由制造商指定。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`2.6 V`
程序使用名称	`V_ce_sat`
可计算	是

# Tabulated collector currents, Ic(Vge,Vce,T) — 集电极电流的表格值，取决于温度
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

集电极电流的表格值作为栅极-发射极电压、集电极-发射极电压和温度的函数，用于在三维表格中搜索。每个值在一定温度下为相应的栅极-发射极和集电极-发射极电压对设置集电极电流。阵列的尺寸必须对应于由栅极-发射极和集电极-发射极电压和温度矢量确定的尺寸。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (3D, temperature dependent).

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`zeros(13, 20, 2) A`
程序使用名称	`I_c_array_3D`
可计算	是

# Gate-emitter voltage at which Vce(sat) is defined — 测量期间的栅极-发射极电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

测量中使用的栅极-发射极电压和 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`10.0 V`
程序使用名称	`V_ge_sat`
可计算	是

# Collector current at which Vce(sat) is defined — 测量过程中的集电极电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

栅极-发射极电压下的集电极-发射极电流和集电极-发射极电压 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`400.0 A`
程序使用名称	`I_ce_sat`
可计算	是

# Zero gate voltage collector current, Ices — 零栅极电压下的集电极电流
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

在零栅极-发射极电压和施加高集电极-发射极电压下的集电极电流，即当器件关闭时。集电极-发射极电压由参数设置 Voltage at which Ices is defined .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`2.0 mA`
程序使用名称	`I_ces`
可计算	是

Details

温度，为其指定设备参数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`25.0 degC`
程序使用名称	`T_measurement`
可计算	是

# Gate-emitter threshold voltage, Vge(th) — 栅极-发射极阈值电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

MOSFET方程中使用的阈值电压。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`6.0 V`
程序使用名称	`V_threshold`
可计算	是

Junction Capacitance

# Output capacitance, Coes — 输出容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

集电极-发射极电容，栅极和发射极彼此闭合。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`0.0 nF`
程序使用名称	`C_oes`
可计算	是

# Reverse transfer capacitance, Cres — 通过能力
F | pF | nF | uF | mF

Details

发射极与地连接时的集电极-栅极电容。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`2.7 nF`
程序使用名称	`C_res`
可计算	是

# Total forward transit time — 远期收费旅行总时间
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

IGBT内部模型的pnp晶体管的正向电荷传输时间. 该参数影响IGBT关断时从通道中移除电荷的速率。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`0.0 us`
程序使用名称	`forward_transit_time`
可计算	是

# Collector-gate voltage below which oxide capacitance is active — 氧化物槽的活化电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

集电极-栅极电压，在该集电极-栅极电容在关态电容之间切换和启用状态的容量 .

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Charge-voltage linearity 价值 Gate-collector charge function is nonlinear.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`-5.0 V`
程序使用名称	`V_C_oxide`
可计算	是

# Reverse transfer capacitance, Cres(Vce) — 具有表格输入信号的直通能力
F | pF | nF | uF | mF

Details

发射极与地连接时的集电极-栅极电容，其制表以匹配集电极-发射极电压。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[55.0, 9.0, 5.5, 3.1, 2.5, 2.1, 1.9, 1.8, 1.7] nF`
程序使用名称	`C_res_vector`
可计算	是

# Gate-emitter capacitance, Cge(Vge,Vce) — 具有表格值的栅极-发射极电容
F | pF | nF | uF | mF

Details

栅极和发射极之间的电容，具有栅极-发射极电压和集电极-发射极电压的表格值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[25.0 31.0 26.5 24.9 25.0 24.9 24.6 24.7 24.8] nF`
程序使用名称	`C_ge_matrix`
可计算	是

# Charge-voltage linearity — 电荷与电压依赖性的线性度
Gate-collector capacitance is constant | Gate-collector charge function is nonlinear

Details

选择一种表示栅极-集电极容量的方式:

Gate-collector capacitance is constant （默认）-容量值是恒定的，根据所选参数确定：直接或根据技术描述;
Gate-collector charge function is nonlinear -栅极-集电极电荷依赖性由收费模式部分的分段线性函数设置；另外两个参数可用于设置栅极-集电极电荷函数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance 或 Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

值	`Gate-collector capacitance is constant` \| `Gate-collector charge function is nonlinear`
默认值	`Gate-collector capacitance is constant`
程序使用名称	`charge_linearity_parameterization`
可计算	无

# Input capacitance, Cies(Vce) — 带表格输入信号的输入容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

集电极和发射极相互闭合的栅极-发射极电容，用集电极-发射极电压以表格形式表示。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[80.0, 40.0, 32.0, 28.0, 27.5, 27.0, 26.5, 26.5, 26.5] nF`
程序使用名称	`C_ies_vector`
可计算	是

# Collector-emitter capacitance, Cce(Vce) — 具有表格值的集电极-发射极容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

集电极和发射极之间的电容，在集电极-发射极电压表中指定。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[5.0, 11.0, 6.5, 4.9, 3.5, 2.7, 2.1, 1.7, 1.4] nF`
程序使用名称	`C_ce_vector`
可计算	是

# Turn-off tail current transit time — 尾电流在前进方向上的总行程时间
s | ns | us | ms | min | hr | d

Details

流的尾部部分通过的时间。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (2D, temperature independent) 或 Lookup table (3D, temperature dependent).

计量单位	`s` \| `ns` \| `us` \| `ms` \| `min` \| `hr` \| `d`
默认值	`0.0 us`
程序使用名称	`t_transit`
可计算	是

# Gate-collector capacitance, Cgc(Vge,Vce) — 带有表格值的门收集器容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

栅极和集电极之间的电容，表格值匹配栅极-发射极电压和集电极-发射极电压。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[55.0 9.0 5.5 3.1 2.5 2.1 1.9 1.8 1.7] nF`
程序使用名称	`C_gc_matrix`
可计算	是

# Collector-emitter capacitance — 集电极-发射极容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

集电极和发射极之间的电容。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`0.0 nF`
程序使用名称	`C_ce`
可计算	是

# Input capacitance, Cies — 输入容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

集电极和发射极彼此闭合时的栅极-发射极电容。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`26.4 nF`
程序使用名称	`C_ies`
可计算	是

# Corresponding gate-emitter voltages for tabulated gate capacitance, Vge — 相应的栅极-发射极电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

栅极-发射极电压对应于栅极电容的表格值。

如果指定了标量，则参数为 Gate-emitter capacitance, Cge(Vge,Vce) 及 Gate-collector capacitance, Cgc(Vge,Vce) 是向量。如果指定了向量，则这些参数是矩阵。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`[0.0] V`
程序使用名称	`V_C_ge_vector`
可计算	是

# Output capacitance, Coes(Vce) — 带表格输入信号的输出能力
F | pF | nF | uF | mF

Details

集电极-发射极电容，栅极和发射极彼此闭合，用集电极-发射极电压以表格形式表示。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`[60.0, 20.0, 12.0, 8.0, 6.0, 4.8, 4.0, 3.5, 3.1] nF`
程序使用名称	`C_oes_vector`
可计算	是

# Gate-collector oxide capacitance — 氧化物槽栅集热器
F | pF | nF | uF | mF

Details

器件导通且集电极-栅极电压较低时的栅极-集电极容量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Charge-voltage linearity 价值 Gate-collector charge function is nonlinear.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`20.0 nF`
程序使用名称	`C_oxide`
可计算	是

# Parameterization — 过渡容量的参数化
Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance | Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance | Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance | Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance

Details

选择块参数化方法:

Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance （默认情况下）-从技术描述中设置固定参数值，并将输入和输出容量值转换为容量值，如收费模式部分所述;
Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance -直接设置过渡容量参数的固定值;
Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance —根据技术描述中的图表设置集电极-发射极电容和电压的表格值，然后将输入和输出电容的值转换为电容值，如[电荷模型]部分所述;
Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance -设置结电容和集电极-发射极电压的表格值。

值	`Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance` \| `Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance` \| `Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance` \| `Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance`
默认值	`Specify fixed input, reverse transfer, and output capacitance`
程序使用名称	`C_parameterization`
可计算	无

# Gate-emitter capacitance — 栅极-发射极容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

栅极和发射极之间的电容。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`23.7 nF`
程序使用名称	`C_ge`
可计算	是

# Corresponding collector-emitter voltages, Vce — 相应的集电极-发射极电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

集电极-发射极电压对应于电容的表格值.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify tabulated input, reverse transfer, and output capacitance 或 Specify tabulated gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`[0.0, 1.0, 2.0, 5.0, 10.0, 15.0, 20.0, 25.0, 30.0] V`
程序使用名称	`V_C_ce_vector`
可计算	是

# Gate-collector capacitance — 栅极集电器容量
F | pF | nF | uF | mF

Details

栅极和集电极之间的容量。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 Parameterization 价值 Specify fixed gate-emitter, gate-collector, and output capacitance.

计量单位	`F` \| `pF` \| `nF` \| `uF` \| `mF`
默认值	`2.7 nF`
程序使用名称	`C_gc`
可计算	是

Advanced

# Forward Early voltage, VAF — Earley在前进方向的紧张
V | uV | mV | kV | MV

Details

对于IGBT模型中使用的PNP晶体管，Earley电压处于正向方向。有关详细信息，请参阅块的说明。 PNP Bipolar Transistor.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`200.0 V`
程序使用名称	`V_A`
可计算	是

# Emitter resistance, RE — 发射极电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

的发射极电阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_e`
可计算	是

# Forward current transfer ratio, BF — 正向电流传动比

Details

IGBT模型中使用的PNP晶体管的理想最大正向电流增益。有关详细信息，请参阅块的说明。 PNP Bipolar Transistor.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

默认值	`50.0`
程序使用名称	`beta_f`
可计算	是

# Internal gate resistance, RG — 快门的内阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

测量温度下的内部栅极电阻器的电阻。这不是外部电路的栅极电阻的值，应该在IGBT之外建模。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_g`
可计算	是

# Emission coefficient, N — 排放系数

Details

双极晶体管的发射系数或理想系数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

默认值	`1.0`
程序使用名称	`N`
可计算	是

# Collector resistance, RC — 集电器电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

集电极电阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_c`
可计算	是

Packaging

# Collector lead resistance — 晶体管的集电极输出电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的集电极端子电阻，即连接到集电极触点的串联端子的电阻。使用此参数可模拟晶体管中的寄生效应。

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.0 Ohm`
程序使用名称	`R_collector_lead`
可计算	是

# Gate lead resistance — 晶体管栅极输出电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管的栅极端子的电阻，即连接到栅极触点的串联端子的电阻。使用此参数可模拟晶体管中的寄生效应。

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.0 Ohm`
程序使用名称	`R_gate_lead`
可计算	是

# Gate lead inductance — 晶体管栅极输出的电感
H | nH | uH | mH

Details

晶体管的栅极端子的电感，即连接到栅极触点的串联端子的电感。使用此参数可模拟晶体管中的寄生效应。

计量单位	`H` \| `nH` \| `uH` \| `mH`
默认值	`0.0 nH`
程序使用名称	`L_gate_lead`
可计算	是

# Collector lead inductance — 晶体管的集电极输出的电感
H | nH | uH | mH

Details

晶体管的集电极端子的电感，即连接到集电极触点的串联端子的电感。使用此参数可模拟晶体管中的寄生效应。

计量单位	`H` \| `nH` \| `uH` \| `mH`
默认值	`0.0 nH`
程序使用名称	`L_collector_lead`
可计算	是

# Emitter lead inductance — 晶体管发射极输出的电感
H | nH | uH | mH

Details

晶体管发射极端子的电感，即连接到发射极触点的串行端子的电感。使用此参数可模拟晶体管中的寄生效应。

计量单位	`H` \| `nH` \| `uH` \| `mH`
默认值	`0.0 nH`
程序使用名称	`L_emitter_lead`
可计算	是

# Emitter lead resistance — 晶体管发射极的输出电阻
Ohm | mOhm | kOhm | MOhm | GOhm

Details

晶体管发射极端子的电阻，即连接到发射极触点的串行端子的电阻。使用此参数可模拟晶体管中的寄生效应。

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.0 Ohm`
程序使用名称	`R_emitter_lead`
可计算	是

Temperature Dependence

# Zero gate voltage collector current, Ices, at second measurement temperature — 集电极电流在零栅极电压和第二温度
A | pA | nA | uA | mA | kA | MA

Details

零栅极电压和第二测量温度下的集电极电流。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations，并在参数组中 Temperature Dependence 为参数设置 Parameterization 价值 Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`100.0 mA`
程序使用名称	`I_ces_T2`
可计算	是

# Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat), at second measurement temperature — 集电极-发射极饱和电压在第二温度
V | uV | mV | kV | MV

Details

在第二测量温度下的集电极-发射极饱和电压以及由组中的相应参数设置的集电极电流和栅极-发射极电压的值 Main .

依赖关系

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`3.0 V`
程序使用名称	`V_ce_sat_T2`
可计算	是

# Saturation current temperature exponent, XTI — 饱和电流程度的温度指数

Details

用于被建模的器件的饱和电流程度的指示器。如果有依赖关系计划根据温度，用它来微调 .

依赖关系

默认值	`3.0`
程序使用名称	`XTI`
可计算	是

Details

第二温度，在该参数被测量 Zero gate voltage collector current, Ices, at second measurement temperature 及 Collector-emitter saturation voltage, Vce(sat), at second measurement temperature .

依赖关系

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`125.0 degC`
程序使用名称	`T2_measurement`
可计算	是

Details

相对变化率快门的内阻发烧了。电阻计算为，在哪里 -参数值 Internal gate resistance, RG .

依赖关系

计量单位	`1/K` \| `1/degR` \| `1/deltaK` \| `1/deltadegC` \| `1/deltadegF` \| `1/deltadegR`
默认值	`0.0 1/K`
程序使用名称	`alpha_R_g`
可计算	是

Details

温度，在该设备被建模。

依赖关系

要使用此选项，请取消选中该框。 Enable thermal port 并满足其中一个条件:

为参数设置 *I-V characteristics defined by 价值 Lookup table (3D, temperature dependent); 为参数设置 *I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations，而对于参数 Parameterization -价值 Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature 或 Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG.

计量单位	`K` \| `degC` \| `degF` \| `degR` \| `deltaK` \| `deltadegC` \| `deltadegF` \| `deltadegR`
默认值	`300.0 K`
程序使用名称	`T_device`, `T_device_3D`
可计算	是

# Energy gap, EG — 能隙
J | mJ | kJ | MJ | mW*hr | W*hr | kW*hr | MW*hr | eV | cal | kcal | Btu_IT

Details

能隙的值。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations，并在参数组中 Temperature Dependence 为参数设置 Parameterization 价值 Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG.

计量单位	`J` \| `mJ` \| `kJ` \| `MJ` \| `mWhr` \| `Whr` \| `kWhr` \| `MWhr` \| `eV` \| `cal` \| `kcal` \| `Btu_IT`
默认值	`1.11 eV`
程序使用名称	`E_g`
可计算	是

# Parameterization — 温度依赖性参数化
None - Simulate at parameter measurement temperature | Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature | Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG

Details

选择参数化温度依赖性的方法:

None - Simulate at parameter measurement temperature （默认情况下）-不模拟温度依赖性;
Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature -在零栅极电压下模拟温度对集电极电流的影响和集电极-发射极电压在第二测量温度;
Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG -基于集电极-发射极电压模拟温度效应在第二测量温度和能隙下；如果技术描述不包含关于零栅极电压下的集电极电流的信息，则使用该方法。于较高的测量温度。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 I-V characteristics defined by 价值 Fundamental nonlinear equations.

值	`None - Simulate at parameter measurement temperature` \| `Specify Ices, and Vce(sat) at second measurement temperature` \| `Specify Vce(sat) at second measurement temperature plus the energy gap, EG`
默认值	`None - Simulate at parameter measurement temperature`
程序使用名称	`T_parameterization`
可计算	无

# Mobility temperature exponent, BEX — 流动程度的温度指数

Details

迁移率的温度系数。对于大多数设备，您可以使用默认值。如果时间表可用在不同的温度下，使用它们进行微调 .

依赖关系

默认值	`-1.5`
程序使用名称	`BEX`
可计算	是