转换器（三相）

控制器控制的双向三相交流/直流转换器。

类型: AcausalElectricPowerSystems.Converters.ThreePhase

图书馆中的路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/Converters/Converter (Three-Phase)

说明

转换器（三相） 单元模拟了一个由三个桥臂组成的六脉冲三相受控转换器。每个桥臂由两个开关器件组成。转换器电路将三相交流网络连接到直流网络。

三臂电路中的每个元件都是相同的开关设备，开关设备在参数 开关设备 中定义。可定义的开关设备都是由 半导体和转换器 库中的模块实现的：

GTO- 闭锁晶闸管。有关设备伏安特性的信息，请参见GTO 。
理想半导体开关- 理想固态受控开关。有关该器件伏安特性的信息，请参阅理想的半导体开关。
IGBT- 绝缘栅双极晶体管。有关该器件伏安特性的信息，请参见IGBT（理想，开关）。
MOSFET- 用于开关电路的 n 沟道 MOSFET。有关该器件伏安特性的信息，请参见MOSFET （理想，开关）。
晶闸管- 片线性晶闸管。有关该器件的伏安特性，请参见晶闸管（片式线性）。
平均开关- 带有反并联二极管的固态开关。控制信号端口 G 的取值范围为`[0, 1]`。当 G 为 "0 "或 "1 "时，平均开关分别处于全开或全闭状态。开关的行为类似于带有反并联二极管的理想的半导体开关块。当 G 介于`0`和`1`之间时，平均开关处于半开状态。您可以对一定周期内的脉宽调制（PWM）信号进行平均。然后，您可以对模型进行降采样，并使用调制波形代替 PWM 信号。

该图显示了带有完全受控开关器件（如 IGBT、GTO）的逆变器的等效电路：

converter three phase 1

通过输入 转换器（三相） 设备的 G 端口，控制六个开关设备的闸门端口：

使用模块六脉冲栅极多路复用器将所有六个栅极信号复用为一个矢量。
通过 G 端口将六脉冲栅极多路复用器块的输出连接到 转换器（三相） 块。

通过 积分二极管 的设置，可以打开内部保护二极管。当设备突然切断电感负载的电压供应时，内部二极管会为反向电流提供一个传导路径，从而保护设备。

请根据用途设置 内置保护二极管 的值。

用途选择值内部保护二极管

用途	选择值	内部保护二极管
不启用保护。	无	未使用
启用保护。	优先考虑模拟速度。	`无动力二极管`	程序块二极管（高级）.
优先考虑建模精度 - 精确显示反向模式下的电荷动态。	`电荷动态二极管`	动态块模型二极管（高级）.

不启用保护。

无

未使用

启用保护。

优先考虑模拟速度。

无动力二极管

程序块二极管（高级）.

优先考虑建模精度 - 精确显示反向模式下的电荷动态。

电荷动态二极管

动态块模型二极管（高级）.

如果参数 开关设备 设置为 平均开关，程序块将自动建立不带动态功能的保护二极管模型，参数 内置保护二极管 将不可见，保护二极管参数将与模型相对应。 无动力二极管.

程序块可以为每个开关设备包含一个缓冲电路。缓冲电路包含串联的电阻和电容。当设备断开对负载的电压供应时，它们可保护开关设备免受电感负载产生的高电压影响。此外，缓冲电路还能防止开关设备接通时电流变化率过大。

港口

非定向

# G — 百叶窗
电力

Details

与开关设备栅极端子相关联的输入端口。将此端口连接至设备六脉冲栅极多路复用器。

程序使用名称

gate_port

# ~ — 三相端口
电力

Details

三相复合端口。

程序使用名称

port

# + — 阳极
电

Details

与直流正极相关的端口。

程序使用名称

p

# - — 负极
电力

Details

与直流负极相关的端口。

程序使用名称

n

参数

开关器件

Details

逆变器的开关装置：

GTO- 可锁定晶闸管GTO.
理想半导体开关- 理想半导体可控开关理想的半导体开关.
IGBT- 绝缘栅双极晶体管IGBT（理想，开关）.
MOSFET- 用于开关电路的 n 沟道 MOSFETMOSFET （理想，开关）.
晶闸管- 片式线性晶闸管晶闸管（片式线性）.
平均开关- 带有反并联二极管的半导体开关。该开关的行为类似于带有反并联二极管的块理想的半导体开关。

值	`GTO` \| `Ideal Semiconductor Switch` \| `IGBT` \| `MOSFET` \| `Thyristor` \| `Averaged Switch`
默认值	`Ideal Semiconductor Switch`
程序使用名称	`switching_device_type`
可计算	无

# 整数，用于对栅极输入进行分片常数逼近（0 表示禁用） — 用于 FPGA 的整数模式

Details

一个整数，用于对 FPGA 部署中的栅极输入进行片断常数近似。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 平均开关.

默认值	`0.0`
程序使用名称	`K`
可计算	是

# 正向电压 — 正向电压
V | MV | kV | mV

Details

块端口*+*和*-（阴极和阳极）上的最小电压 `GTO`и `晶闸管`的阴极和阳极，或 `IGBT`的阴极和阳极）上的最小电压，使伏安特性斜率等于，其中是参数值。 *状态阻力 .

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 GTO, IGBT`或 `晶闸管.

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`0.8 V`
程序使用名称	`V_f`
可计算	是

# 状态阻力 — 论电阻
欧姆 | 高欧 | 摩尔 | 千欧 | 毫欧

Details

端口*+*和*-*（阴极-阳极）之间的电阻。 理想半导体开关, GTO, 晶闸管`и `平均开关`的阴极-阳极或 `IGBT）之间的电阻。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 理想半导体开关, GTO, IGBT, 晶闸管`或 `平均开关.

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_on`
可计算	是

# 漏极-源极导通电阻，R_DS(on) — 漏极至源极电阻
欧姆 | 高 | 欧姆 | 千欧 | 毫欧

Details

设备接通时，+ 和 -（漏极至漏极）端口之间的电阻。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 MOSFET.

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_ds`
可计算	是

# 离态电导 — 离态电导率
S | mS | nS | uS | 1 欧姆

Details

+*和-块端口之间的电导率（阴阳极之间的电导率）。 理想半导体开关, GTO, 晶闸管`发射极-集电极 `IGBT`或漏极-源极 `MOSFET）在关断状态下的电导率。该值必须小于，其中是导通状态下的电阻值。 *状态阻力 .

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 GTO, 理想半导体开关, IGBT, MOSFET`或 `晶闸管.

计量单位	`S` \| `mS` \| `nS` \| `uS` \| `1/Ohm`
默认值	`1e-06 1/Ohm`
程序使用名称	`G_off`
可计算	是

# 阈值电压 — 阈值电压
V | MV | 千伏 | mV

Details

块端口 G（栅极）和 +（阴极）之间的阈值电压。理想半导体开关`的发射极，或 `IGBT`的阴极，或 `MOSFET).当 G 端口和 + 端口之间的电压超过此值时，设备将开启。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 理想半导体开关, IGBT`或 `MOSFET.

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`6.0 V`
程序使用名称	`V_threshold`
可计算	是

# 门触发电压 — 栅极电压
V | MV | 千伏 | mV

Details

G（栅极）和 +（阴极）端口之间的阈值电压。当 G 端口和 + 端口之间的电压超过此值时，器件开启。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 GTO`或 `晶闸管.

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`V_GT`
可计算	是

# 栅极关断电压 — 合闸控制电压
V | 中压 | 千伏 | mV

Details

G（栅极）和 +（阴极）模块端口之间的阈值电压。当*G*块端口和*+*之间的电压低于此值时，器件关闭。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 GTO.

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`-1.0 V`
程序使用名称	`V_GT_off`
可计算	是

# 保持电流 — 保持电流
A | MA | kA | 毫安 | nA | pA | uA

Details

电流阈值。如果电流超过该值，即使*G*（栅极）和*+*（阴极）模块端口之间的电压低于释放控制电压，器件也会保持开启状态。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 GTO`或 `晶闸管.

计量单位	`A` \| `MA` \| `kA` \| `mA` \| `nA` \| `pA` \| `uA`
默认值	`1.0 A`
程序使用名称	`I_H`
可计算	是

积分二极管

# 内置保护二极管 — 内部保护二极管（抑制器）
无 | 无动力二极管 | 电荷动态二极管

Details

指定设备是否包含保护二极管（抑制器）。默认设置为 无.

如果要启用内部保护二极管，有两个选项可供选择：

无动力二极管.
电荷动态二极管.

依赖关系

要使用该参数，请将参数 开关设备 值 GTO, 理想半导体开关, IGBT, MOSFET`或 `晶闸管.

值	`None` \| `Diode with no dynamics` \| `Diode with charge dynamics`
默认值	`None`
程序使用名称	`protection_diode_parameterization`
可计算	无

# 正向电压 — 正向电压
V | MV | 千伏 | mV

Details

二极管伏安特性斜率角等于时，模块 + 和 - 端口上的最小电压，其中为参数值。 状态阻力 .

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值无动力二极管`或 `电荷动态二极管.

计量单位	`V` \| `MV` \| `kV` \| `mV`
默认值	`0.8 V`
程序使用名称	`V_f_diode`
可计算	是

# 电阻 — 前进阻力
欧姆 | 欧姆 | 欧姆 | 千欧 | 毫欧

Details

当电压高于参数设置值时，二极管在开路状态下的电阻。 正向电压 .

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值无动力二极管`或 `电荷动态二极管.

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_on_diode`
可计算	是

# 关闭电导 — 封闭导电
S | mS | nS | uS | 1 欧姆

Details

二极管重新接通时的电导率。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值无动力二极管`或 `电荷动态二极管.

计量单位	`S` \| `mS` \| `nS` \| `uS` \| `1/Ohm`
默认值	`1e-05 1/Ohm`
程序使用名称	`G_off_diode`
可计算	是

# 结电容 — 结电容
F | mF | nF | pF | uF

Details

耗尽区过渡中固有的电容值，作为电介质将阳极和阴极结分隔开来。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值 电荷动态二极管.

计量单位	`F` \| `mF` \| `nF` \| `pF` \| `uF`
默认值	`50.0 nF`
程序使用名称	`C_diode`
可计算	是

# 峰值反向电流 iRM — 峰值反向电流
A | MA | kA | 毫安 | nA | pA | uA

Details

由外部测试电路测量的峰值反向电流。该值必须小于零。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值 电荷动态二极管.

计量单位	`A` \| `MA` \| `kA` \| `mA` \| `nA` \| `pA` \| `uA`
默认值	`-235.0 A`
程序使用名称	`i_rm_diode`
可计算	是

# 测量 iRM 时的初始正向电流 — 测量 iRM 时的初始直流电流
A | MA | kA | 毫安 | nA | pA | uA

Details

测量峰值反向电流时的初始正向电流（初始接通时间）。该值必须大于零。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值 电荷动态二极管.

计量单位	`A` \| `MA` \| `kA` \| `mA` \| `nA` \| `pA` \| `uA`
默认值	`300.0 A`
程序使用名称	`i_f_diode`
可计算	是

# 测量 iRM 时的电流变化率 — iRM 测量期间的电流变化率
A/s | A/us

Details

测量峰值反向电流时的电流变化率。该值必须小于零。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值 电荷动态二极管.

计量单位	`A/s` \| `A/us`
默认值	`-50.0 A/us`
程序使用名称	`diode_current_change_rate`
可计算	是

# 反向恢复时间参数化 — 确定反向恢复时间的类型
指定拉伸系数 | 直接指定反向恢复时间 | 指定反向恢复电荷

Details

当选择 `指定拉伸系数`或 `指定反向恢复电荷`时，将指定区块用于计算反向恢复时间的值。

依赖关系

要使用此参数，请设置参数 内置保护二极管 值 电荷动态二极管.

值	`Specify stretch factor` \| `Specify reverse recovery time directly` \| `Specify reverse recovery charge`
默认值	`Specify stretch factor`
程序使用名称	`t_rr_diode_parameterization`
可计算	无

# 反向恢复时间拉伸系数 — 背部恢复时间拉伸因子

Details

区块用于计算 反向恢复时间，trr .该值必须大于 1。与指定反向恢复电荷相比，指定拉伸因数是一种更简单的反向恢复时间参数化方法。拉伸因数的值越大，反向恢复电流耗散的时间就越长。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值电荷动态二极管`和 * 反向恢复时间参数化 * 参数的值为 `指定拉伸系数.

默认值	`3.0`
程序使用名称	`t_rr_factor_diode`
可计算	是

# 反向恢复时间，trr — 恢复时间
d | s | hr | 毫秒 | ns | us | 分钟

Details

当二极管上的电压从正向偏置转换为反向偏置时，二极管关闭所需的时间。

从电流最初过零（二极管关断）到电流降至峰值电流的 10%以下之间的时间间隔。参数值 反向恢复时间，trr 的值必须大于 峰值反向电流 iRM 除以参数值 测量时的电流变化率，iRM。

依赖关系

要使用该参数，请将参数设置为 内置保护二极管 值电荷动态二极管`和 * 反向恢复时间参数化 * 参数的值为 `直接指定反向恢复时间.

计量单位	`d` \| `s` \| `hr` \| `ms` \| `ns` \| `us` \| `min`
默认值	`15.0 us`
程序使用名称	`t_rr_diode`
可计算	是

# 反向恢复电荷，Qrr — 反向恢复费
C | Ah | mC | nC | uC | MAh | kAh | 毫安 | s*uA

Details

区块用于计算 反向恢复时间，trr .如果程序块参数指定反向恢复电荷值而不是反向恢复时间值作为反向恢复时间定义类型，则使用此参数。

反向恢复电荷是二极管关断后继续耗散的总电荷。该值必须小于，其中：

- 是为参数指定的值 峰值反向电流 iRM ;
- 为参数指定的值 测量 iRM 时的电流变化率 .

依赖关系

要使用该参数，请将参数 内置保护二极管 值电荷动态二极管`和 * 反向恢复时间参数化 * 参数的值为 `指定反向恢复电荷.

计量单位	`C` \| `Ah` \| `mC` \| `nC` \| `uC` \| `MAh` \| `kAh` \| `mAh` \| `s*uA`
默认值	`1500.0 s*uA`
程序使用名称	`Q_rr_diode`
可计算	是

缓冲器

# 缓冲器 — 缓冲器型号
无 | RC 缓冲器

Details

带噪声抑制器的开关设备模型

值	`None` \| `RC snubber`
默认值	`None`
程序使用名称	`snubber_option`
可计算	无

# 缓冲器电容 — 缓冲器容量
F | mF | nF | pF | uF

Details

缓冲器容量。

依赖关系

要使用该参数，请将参数 缓冲器 值 RC 缓冲器.

计量单位	`F` \| `mF` \| `nF` \| `pF` \| `uF`
默认值	`1e-07 F`
程序使用名称	`C_s`
可计算	是

# 缓冲器阻力 — 缓冲电阻
欧姆 | GOhm | MOhm | 千欧 | 毫欧

Details

缓冲器电阻

依赖关系

要使用该参数，请将参数 缓冲器 值 RC 缓冲器.

计量单位	`Ohm` \| `GOhm` \| `MOhm` \| `kOhm` \| `mOhm`
默认值	`0.1 Ohm`
程序使用名称	`R_s`
可计算	是