转换器（三相）

控制器控制的双向三相交流/直流转换器。

blockType: AcausalElectricPowerSystems.Converters.ThreePhase

图书馆路径:

/Physical Modeling/Electrical/Semiconductors & Converters/Converters/Converter (Three-Phase)

说明

转换器（三相） 单元模拟了一个由三个桥臂组成的六脉冲三相受控转换器。每个桥臂由两个开关器件组成。转换器电路将三相交流网络连接到直流网络。

三臂电路中的每个元件都是相同的开关设备，开关设备在参数 开关设备 中定义。可定义的开关设备都是由 半导体和转换器 库中的模块实现的：

GTO- 闭锁晶闸管。有关设备伏安特性的信息，请参见GTO 。
理想半导体开关- 理想固态受控开关。有关该器件伏安特性的信息，请参阅理想的半导体开关。
IGBT- 绝缘栅双极晶体管。有关该器件伏安特性的信息，请参见IGBT（理想型，开关型）。
MOSFET- 用于开关电路的 n 沟道 MOSFET。有关该器件伏安特性的信息，请参见MOSFET（理想，开关）。
晶闸管- 片线性晶闸管。有关该器件的伏安特性，请参见晶闸管（片式线性）。
平均开关- 带有反并联二极管的固态开关。控制信号端口 G 的取值范围为`[0, 1]`。当 G 为 "0 "或 "1 "时，平均开关分别处于全开或全闭状态。开关的行为类似于带有反并联二极管的理想的半导体开关块。当 G 介于`0`和`1`之间时，平均开关处于半开状态。您可以对一定周期内的脉宽调制（PWM）信号进行平均。然后，您可以对模型进行降采样，并使用调制波形代替 PWM 信号。

该图显示了带有完全受控开关器件（如 IGBT、GTO）的逆变器的等效电路：

converter three phase 1

通过输入 转换器（三相） 设备的 G 端口，控制六个开关设备的闸门端口：

使用模块六脉冲栅极多路复用器将所有六个栅极信号复用为一个矢量。
通过 G 端口将六脉冲栅极多路复用器块的输出连接到 转换器（三相） 块。

通过 积分二极管 的设置，可以打开内部保护二极管。当设备突然切断电感负载的电压供应时，内部二极管会为反向电流提供一个传导路径，从而保护设备。

请根据用途设置 内置保护二极管 的值。

用途选择值内部保护二极管

用途	选择值	内部保护二极管
不启用保护。	无	未使用
启用保护。	优先考虑模拟速度。	`无动态特性二极管`	程序块二极管（高级）.
优先考虑建模精度 - 精确显示反向模式下的电荷动态。	`电荷动态二极管`	动态块模型二极管（高级）.

不启用保护。

无

未使用

启用保护。

优先考虑模拟速度。

无动态特性二极管

程序块二极管（高级）.

优先考虑建模精度 - 精确显示反向模式下的电荷动态。

电荷动态二极管

动态块模型二极管（高级）.

如果参数 开关设备 设置为 平均开关，程序块将自动建立不带动态功能的保护二极管模型，参数 内置保护二极管 将不可见，保护二极管参数将与模型相对应。 无动态特性二极管.

程序块可以为每个开关设备包含一个缓冲电路。缓冲电路包含串联的电阻和电容。当设备断开对负载的电压供应时，它们可保护开关设备免受电感负载产生的高电压影响。此外，缓冲电路还能防止开关设备接通时电流变化率过大。

港口

非定向

# G — 百叶窗
电力

Details

与开关设备栅极端子相关联的输入端口。将此端口连接至设备六脉冲栅极多路复用器。

程序使用名称

gate_port

# ~ — 三相端口
电力

Details

三相复合端口。

程序使用名称

port

# + — 阳极
电

Details

与直流正极相关的端口。

程序使用名称

p

# - — 负极
电力

Details

与直流负极相关的端口。

程序使用名称

n

参数

开关器件

Details

变换器开关装置:

* GTO –可锁定晶闸管 GTO.

* 理想半导体开关 -完美的半导体控制开关理想的半导体开关.

* IGBT -具有隔离栅极的双极晶体管 IGBT（理想型，开关型）.

* MOSFET -用于开关电路的N沟道MOSFET MOSFET（理想，开关）.

* 晶闸管 -分段线性晶闸管晶闸管（片式线性）.

* 平均开关 -具有反平行二极管的半导体开关。开关的行为类似于块理想的半导体开关用反平行二极管。

值	`GTO` \| `Ideal Semiconductor Switch` \| `IGBT` \| `MOSFET` \| `Thyristor` \| `Averaged Switch`
默认值	`Ideal Semiconductor Switch`
程序使用名称	`switching_device_type`
可计算	无

# 整数，用于对栅极输入进行分片常数逼近（0 表示禁用） — FPGA使用的整数模式

Details

用于对FPGA部署的门输入执行分段常数近似的整数。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 平均开关.

默认值	`0.0`
程序使用名称	`K`
可计算	是

# 正向电压 — 正向电压
V | uV | mV | kV | MV

Details

在单元的端口的最小电压*+*和*−*（阴极和阳极为 GTO 和 晶闸管，或者发射极和集电极用于 IGBT)，必须保证伏安特性的倾斜角等于，在哪里 -参数值 *状态阻力*.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 GTO, IGBT 或 晶闸管.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`0.8 V`
程序使用名称	`V_f`
可计算	是

# 状态阻力 — 导通状态下的电阻
欧姆 | 毫欧 | 千欧 | 摩尔 | 高欧

Details

单元的端口之间的电阻*+*和*-*（阴极-阳极为 理想半导体开关, GTO, 晶闸管 和 平均开关，或发射极集电极用于 IGBT）当设备打开时。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 理想半导体开关, GTO, IGBT, 晶闸管 或 平均开关.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_on`
可计算	是

# 漏极-源极导通电阻，R_DS(on) — 漏源电阻
欧姆 | 毫欧 | 千欧 | 欧姆 | 高

Details

当设备打开时，单元*+*和*−*（漏源）端口之间的电阻。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 MOSFET.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_ds`
可计算	是

# 离态电导 — 关状态下的导电性
S | nS | uS | mS | 1 欧姆

Details

单元的端口之间的导电性*+*和*-*（阴极-阳极为 理想半导体开关, GTO, 晶闸管，发射极集电极为 IGBT，或用于 MOSFET)处于关闭状态。值应小于，在哪里 -接通状态下电阻的值 *状态阻力*.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 GTO, 理想半导体开关, IGBT, MOSFET 或 晶闸管.

计量单位	`S` \| `nS` \| `uS` \| `mS` \| `1/Ohm`
默认值	`1e-06 1/Ohm`
程序使用名称	`G_off`
可计算	是

# 阈值电压 — 阈值电压
V | uV | mV | 千伏 | MV

Details

单元的端口之间的阈值电压*G*（栅极）和*+*（阴极为 理想半导体开关，发射体为 IGBT，或来源 MOSFET). 当*G*和*+*块的端口之间的电压超过此值时，设备打开。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 理想半导体开关, IGBT 或 MOSFET.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`6.0 V`
程序使用名称	`V_threshold`
可计算	是

# 门触发电压 — 快门释放电压
V | uV | mV | 千伏 | MV

Details

单元的端口之间的阈值电压为*G*（栅极）和*+*（阴极）。当*G*和*+*块的端口之间的电压超过此值时，设备打开。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 GTO 或 晶闸管.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`1.0 V`
程序使用名称	`V_GT`
可计算	是

# 栅极关断电压 — 锁定电压控制
V | uV | mV | 千伏 | 中压

Details

单元的端口之间的阈值电压为*G*（栅极）和*+*（阴极）。当*G*和*+*单元端口之间的电压低于此值时，器件将关闭。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 GTO.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`-1.0 V`
程序使用名称	`V_GT_off`
可计算	是

# 保持电流 — 保持电流
A | pA | nA | uA | 毫安 | kA | MA

Details

的当前阈值。如果电流超过此值，即使单元*G*（栅极）和*+*（阴极）端口之间的电压低于解锁控制电压，设备仍保持打开状态。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 GTO 或 晶闸管.

计量单位	`A` \| `pA` \| `nA` \| `uA` \| `mA` \| `kA` \| `MA`
默认值	`1.0 A`
程序使用名称	`I_H`
可计算	是

积分二极管

# 内置保护二极管 — 内部保护二极管（抑制器）
无 | 无动态特性二极管 | 电荷动态二极管

Details

指定单元是否包括保护二极管（抑制器）。默认值为 无.

如果有必要打开内部保护二极管，那么有两种可能的选择:

* 无动态特性二极管.

* 电荷动态二极管.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *开关设备*价值 GTO, 理想半导体开关, IGBT, MOSFET 或 晶闸管.

值	`None` \| `Diode with no dynamics` \| `Diode with charge dynamics`
默认值	`None`
程序使用名称	`protection_diode_parameterization`
可计算	无

# 正向电压 — 正向电压
V | uV | mV | 千伏 | MV

Details

块的端口*+*和*−*所需的最小电压，以确保二极管的伏安特性的倾斜角等于，在哪里 -参数值 *状态阻力*.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *内置保护二极管*价值 无动态特性二极管 或 电荷动态二极管.

计量单位	`V` \| `uV` \| `mV` \| `kV` \| `MV`
默认值	`0.8 V`
程序使用名称	`V_f_diode`
可计算	是

# 电阻 — 直接接通时的电阻
欧姆 | 毫欧 | 千欧 | 欧姆 | 欧姆

Details

当电压高于参数设置的值时，二极管的电阻处于开路状态 *正向电压*.

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *内置保护二极管*价值 无动态特性二极管 或 电荷动态二极管.

计量单位	`Ohm` \| `mOhm` \| `kOhm` \| `MOhm` \| `GOhm`
默认值	`0.001 Ohm`
程序使用名称	`R_on_diode`
可计算	是

# 关闭电导 — 封闭状态电导率
S | nS | uS | mS | 1 欧姆

Details

二极管重新导通时的电导率。

依赖关系

若要使用此参数，请为参数设置 *内置保护二极管*价值 无动态特性二极管 或 电荷动态二极管.

计量单位	`S` \| `nS` \| `uS` \| `mS` \| `1/Ohm`
默认值	`1e-05 1/Ohm`
程序使用名称	`G_off_diode`
可计算	是

# 结电容 — 转移能力
F | pF | nF | uF | mF

Details

从耗尽区过渡的电容特性的值，充当电介质并分离阳极和阴极的连接。

依赖关系