低信号模式下的双极晶体管
在本例中，我们使用等效电路来评估双极晶体管的性能。晶体管在共发射极电路中接通，并在低信号（线性）模式下工作。
我们将使用 Mask 创建自己的晶体管块。
模型描述
晶体管由具有 h 参数的等效电路表示：
- 输入电阻、
- 输出导电率、
- 电流传输系数
- 电压反馈系数
参数是为晶体管 BC107-B 设置的：
In [ ]:
h_ie = 3000.0;
h_oe = 60e-6;
h_fe = 300.0;
h_re = 3e-4;
模型中有两个电阻器：
Rbias (47 kOhm) - 偏置电阻。它设定了额定工作点。
Rload (470 欧姆) - 负载电阻。
增益近似于表达式：
分离电容器 C1 (1 µF) 的选择是为了使其在 1 kHz 时的电阻与输入阻抗 相比可以忽略不计。峰值输出电压应为 。
模型模拟
In [ ]:
if "SmallSignalBipolarTransistor" in [m.name for m in engee.get_all_models()]
m = engee.open( "SmallSignalBipolarTransistor" ) # загрузка модели
else
m = engee.load( "SmallSignalBipolarTransistor.engee" )
end
results = engee.run(m, verbose=true)
In [ ]:
t = results["V_b"].time; # Время
V_b = results["V_b"].value; # Напряжение смещения
V_load = results["V_load"].value; # Напряжение нагрузки
In [ ]:
plot(t, V_b, title="Напряжение транзистора", xlabel="Время, c", ylabel="Напряжение, В", w = 2, label="База")
plot!(t, V_load, xlabel="Время, c", ylabel="Напряжение, В", w = 2, label="Коллектор")
Out[0]:
该模型展示了如何利用物理建模/基础库中的模块构建更复杂的元素（本例中为晶体管），并将其隐藏在掩膜下。