低压模式下的双极晶体管
在本例中，我们使用等效替代电路来评估双极晶体管的性能。 晶体管根据共发射极电路导通，并以低信号（线性）模式工作。
我们将使用掩码创建我们自己的晶体管块。
模型描述
晶体管由具有h参数的等效电路表示:
-输入电阻,
-输出电导率,
-电流传递系数,
-电压反馈系数。
参数设置为BC107-b晶体管:
In [ ]:
h_ie = 3000.0;
h_oe = 60e-6;
h_fe = 300.0;
h_re = 3e-4;
模型中有两个电阻:
*Rbias（47kOhm）是偏置电阻。 设置标称工作点。
*Rload（470欧姆）-负载电阻。
增益近似由表达式确定:
选择分离电容C1(1UF)，使其在1kHz频率下的电阻与输入电阻相比可忽略不计 . 峰值输出电压应为 .
模型的仿真
In [ ]:
engee.addpath(@__DIR__)
if "SmallSignalBipolarTransistor" in [m.name for m in engee.get_all_models()]
m = engee.open( "SmallSignalBipolarTransistor" ) # загрузка модели
else
m = engee.load( "SmallSignalBipolarTransistor.engee" )
end
results = engee.run(m, verbose=true)
Out[0]:
In [ ]:
t = results["V_b"].time; # Время
V_b = results["V_b"].value; # Напряжение смещения
V_load = results["V_load"].value; # Напряжение нагрузки
In [ ]:
plot(t, V_b, title="Напряжение транзистора", xlabel="Время, c", ylabel="Напряжение, В", w = 2, label="База")
plot!(t, V_load, xlabel="Время, c", ylabel="Напряжение, В", w = 2, label="Коллектор")
Out[0]:
该模型显示了如何从物理建模/基础库的块中构建更复杂的元素，在这种情况下是晶体管，并隐藏在掩模下。